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简介:目录序1 半导体硅简介2 半导体物理特性简介3 数控多线切割机浅谈4 太阳能电池产业现状5 我国硅片供应商龙虎榜6 切片的原理及过程7 太阳能硅片切割技术七大手法8 常见主辊的图形9 线网断线分析方法10 料浆工艺11 光复行业基础知识12 硅片切割常见问题12-1 硅片厚薄不均预防措施12-2 粘接面毛边12-3 小崩边产生原因12-4 怎么防止小崩边12-5 翘曲12-6 硅片产生线痕的原因王懿成 自强不息 -厚德载物 wyccrazy163.com第 1 页,共 5 页审批2008.10.17LDK12-7 硅
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简介:武汉理工大学专业课程设计 3(半导体物理)课程设计说明书目录1 技术要求 1 2 基本原理 1 2.1 软件支持 1 2.2 n-p 型异质结原理及相关特性 . 1 2.3 异质结太阳电池原理 2 3 参数描述 2 3.1 物理模型 2 3.2 主要测量参数描述 3 4 调试过程及结论 4 4.1 太阳电池相关参数的设定 4 4.2 发射层厚度对电池性能的影响 6 4.3 本征层对光伏性能的影响 7 4.3.1 本 征层厚度的影响 . 7 4.3.2 本 征层能隙宽度的影响 . 9 4.4 界面态对电池光伏性能的影响 . 10 4.5 结论 . 12 5 心得体会
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简介:1 Si 单晶太阳能电池生产实习报告一、实践目的学习 Si 太阳能电池片的制造工艺原理,初步了解和掌握太阳能电池的整个生产制造流程的工艺技术。 学习每个工艺的目的和作用, 工艺原理、 具体工艺参数。 熟悉半导体工艺设备半导体制造工艺技术以及工艺过程测试与分析方法, 并学以致用、理论联系实际,巩固和理解所学的理论知识。另外,培养在实际生产过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力,增强综合实践能力,建立劳动观念、实践观念和创新意识,树立实事求是、严肃认真的科学态度,提高综合素质。二、实践安排实践课程时间 2013-7-14 至 7-21 日7 月 14-15 日在图书馆上网查资料7
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简介:工业生产中清洗液温度对硅片颗粒度的影响张倩 熊诚雷 齐旭东 史舸 崔小换(洛阳麦斯克电子材料有限责任公司 洛阳 471009)摘要介绍了 RCA 清洗液组成、特点及原理 ;研究在不同温度下, RCA 清洗的SC-1 溶液对颗粒去除的影响,得出工业生产中较合适的清洗温度。关键字硅片; RCA 清洗;温度;Effect of cleaning solution temperature on wafer particle in manufacturering production ZHANG Qian XIONG Chenglei QI Xudong SHE Ge CUI Xiaohuan (
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简介:单晶硅电池片工艺(初稿)工艺流程图硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1. 单晶硅片质量检验标准1. 1 外观检验1. 1. 1 基片大小 1253 125mm± 0.5mm 1. 1. 2 形状准方片1. 1. 3 直径∮ 150± 1.0mm Φ 165± 1.0mm 1. 1. 4 厚度 280 ± 30μ m;在所规定区域内 5
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简介:半导体工艺1 三.热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应, 在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。 这种方法的优点是 基片本身不参与形成氧化膜的反应, 而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。 衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。 如果是硅片, 获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅, 而保持硅片厚度不变,这是与热氧化法最根本的区别。因为这种方法可以在较低的温度下应用,所以被称作“低温淀积” 。常用的热分解淀积氧化膜反应源物质(硅化合物)有正硅酸乙脂和硅烷两种。现分别介绍如下1.正硅酸乙脂热分解淀积淀积源的温度控制在 20 oC 左右, 反应在真空状态下进行, 真
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简介:单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板 详细参数 单晶硅太阳能板 100W 尺寸 963x805x35MM 净重 11KGS 工作电压 33.5V 工作电流 2.99A 开路电压 41.5V 短路电流 3.57A 蓄电池 24v 二、产品特点 采用平均转换效率在 15以上的优质单晶硅太阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合 IEC61215 和电气保护 II 级标准。太阳能电池转换效率高。 而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。 太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。 阳极氧化铝边框机械强度高,具有良好的抗风性和防雹性,可在各种
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简介:龙源期刊网 http//www.qikan.com.cn PLD 方法在制备量子点太阳能电池中的应用进展作者孙爽来源中国科技纵横 2015 年第 05 期【摘 要】 脉冲激光沉积技术( PLD )是一种可以在纳米线上直接沉积量子点的温和清洁且有效的方式。 PLD 制备的量子点在空气中稳定性高。与传统的胶体液相合成法,连续的有机层吸附反应( SILAR ),化学浴沉积( CBD ),原子层沉积( ALD )制备量子点相比, PLD 方法避免了复杂的配合基交换过程,缩短了制备时间。本文主要对近期几篇国外文献报道的关于PLD 方法制备量子点太阳能电池的现状作了归纳和总结。【关键词】 脉
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简介:2018 年光伏产业链发展深度分析报告(多晶硅料,硅片和电池片)目录第一节 光伏产业链分析 . 6一、产业发展迅速 . 6二、多晶硅料寡头垄断格局 . 81、寡头垄断格局初现 . 82、竞争格局 . 14 3、技术工艺 . 16 三、硅片行业发展 . 19 1、产业现状 . 20 2、竞争格局 . 25 3、技术工艺 . 26 四、电池片产业发展 . 28 1、产业现状 . 28 2、竞争格局 . 31 3、技术工艺 . 33 五、组件竞争格局 . 37 1、产业现状 . 37 2、竞争格局 . 41 3、技术工艺 . 43 六、逆变器竞争分析 . 48 七、电站装机速度超预期 . 50
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简介:符合光伏制造行业规范条件企业名 单 第一批 序号 省市 企业(产品类型)1 江苏 常州天合光能有限公司(硅锭,硅片,电池,组件)2 江苏 天合光能(常州)科技有限公司(电池,组件)3 河北 英利能源(中国)有限公司(硅锭,硅棒,硅片,电池,组件)4 河北 保定天威英利新能源有限公司(硅锭,硅片,电池,组件)5 河北 六九硅业有限公司(多晶硅)6 江苏 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司(电池)7 江苏 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司(组件)8 河南 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司(硅锭,硅片)9 河北 晶龙实业集团有限公司(硅片)10 河北 宁晋晶兴电子材料有限公司(硅棒)11 河北
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