2_《扩散工艺》作业

第二章《扩散工艺》作业1、 1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20 分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μ m的结深，推进时间应为多少？假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多少？ （已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 1021cm-3， 磷的扩散系数为 1.39× 10-14cm2/s， 1100℃时磷的扩散系数为 1.56× 10-13 cm2/s ）2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃， 11分钟预淀积扩散；再进行 1180℃， 40分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽作用所需的最小氧化层厚度为多少埃 （保留整数） ？ （已知 950℃时硼在 SiO2中的扩散系数为 10-17 cm2/s ； 1180℃时硼在 SiO2中的扩散系数为 4× 10-15 cm2/s ）3、某硼预淀积工艺的温度为 950℃，衬底磷浓度为 2× 1015cm-3，要求预淀积后的方块电阻为 80? /□，请确定预淀积所需时间。 （已知扩散层 s=660(? · cm)-1，硼预淀积时表面浓度为 4× 1020cm-3， erfc -1(5× 10-6) = 2.95， 950℃时硼的扩散系数为 5× 10-15 cm2/s ）