简介：第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池）利用碘酒钝化测量晶体硅体少子寿命 *陈静伟 赵 雷 刁宏伟 闫保军 周 素 汤叶华 王 革 王文静中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室 , 中国科学院电工研究所 , 北京 100190 摘要摘要 利用微波光电导衰减法（ μ PCD ）测量晶体硅的有效少子寿命 τ eff，采用不同浓度0.04mol/L0.4mol/L 的碘酒溶液分别对 n 型 CZ 硅片和 p 型 CZ 硅片进行钝化，结果表明碘酒溶液浓度在 0.08mol/L0.16 mol/L 时， 对硅片钝化最为有效， 测量有效少子寿命 τ eff 最

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简介：1 一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕； 见附图一、二 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插 25 片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插 100 张硅片，需更换手套。5.3

简介：第二章扩散工艺作业1、 1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20 分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μ m的结深，推进时间应为多少假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多少 （已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 1021cm-3， 磷的扩散系数为 1.39 10-14cm2/s， 1100℃时磷的扩散系数为 1.56 10-13 cm2/s ）2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃， 11分钟预淀积扩散；再进行 1180℃， 40分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽

简介：非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺内容提纲一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介二、非晶硅太阳能电池制造工艺三、非晶硅电池封装工艺一、 非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介1、电池结构分为单结、双结、三结2、制造技术三种类型①单室，多片玻璃衬底制造技术该技术主要以美国 Chronar 、 APS、 EPV 公司为代表②多室，双片（或多片）玻璃衬底制造技该技术主要以日本 KANEKA 公司为代表③卷绕柔性衬底制造技术（衬底不锈钢、聚酰亚胺 该技术主要以美国 Uni-Solar 公司为代表所谓 “ 单室，多片玻璃衬底制造技术 ” 就 是指在一个真空室内，完成 P、 I、 N 三层非晶

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简介：湖南红太阳光电科技有限公司 文件编号 UMGD/ZLPG-DJ-26-2012 等离子刻蚀设备操作规程版号 A 修改第 0 次页 码第 1 页 共 2 页编制宇树光 审核 批准 / 日期1 1. 目的确保刻蚀机处于良好的运行状态。2. 适用范围刻蚀机操作及保养。3. 参考设备管理程序。4. 责任由设备工程师及工艺工程师负责。5. 内容5.1 开机5.1.1 合上墙上电控柜中的断路器开关，按下“电源”，此时将自动登录初始画面，用户登录名和密码，然后点击“进入”，输入相应的密码，进入操作界面（手动模式）；点击“真空泵”图标按钮，等待 10 秒钟真空泵完全启动；5.1.2 旋动射频

简介：355nm全固态紫外激光切割硅片的研究 张菲， 杨焕， 段军， 曾晓雁 （ 华中科技大学武汉光电国家实验室 ，湖北武汉 430074） 摘要 近年来，激光微加工硅和蓝宝石等半导体材料已经吸引越来越多的关注。高精度激光切割和钻孔加工已经成功用于半导体、光电子、光机电系统（ MEMS ）行业，包括晶圆切割、划线、直接成型通孔和三维微结构。利用自主研发的紫外激光微加工设备，系统研究了激光功率密度、重复频率、扫描次数、单脉冲能量等工艺参数对切割 0.18mm厚多晶硅片和 0.38mm厚单晶硅片的缝宽和效率的影响规律。结果表明，采用扫描振镜加远心扫描透镜系统，当需要得到最大的切割深度时，优化

简介：实验一 加工方法及加工装备的归纳与调研一．车削加工1. 车削概述在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过程，称为车削加工。其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。车削适合加工回转零件， 其切削过程连续平稳， 可以加工各种内外回转体表面及端平面。所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。图 1.1 车削加工主要应用范围车削加工的尺寸精度较宽，一般可达 it12 ～ it7 ，精车时可达 it6 ～ it5 。表面粗糙度 ra数值的范围一般是 6.3 ～ 0.8

简介：本文由米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 整理推荐米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展摘要 集成电路芯片不断向高密度、 高性能和轻薄短小方向发展， 发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。 随着大直径硅片的应用， 硅片的厚度相应增大， 而先进的封装技术则要求更薄的芯片， 超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。 本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术， 论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、 工艺特点和关键技术， 介绍了硅片背面磨

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简介：单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池， 它的构成和生产工艺已定型， 产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。 这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求 99.999 ％。为了降低生产成本， 现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒， 材料性能指标有所放宽。 有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片厚约 0.3 毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上