49-利用碘酒钝化测量晶体硅体少子寿命

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池）利用碘酒钝化测量晶体硅体少子寿命 *陈静伟 赵 雷 刁宏伟 闫保军 周 素 汤叶华 王 革 王文静中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室 , 中国科学院电工研究所 , 北京 100190 摘要摘要： ： 利用微波光电导衰减法（ μ PCD ）测量晶体硅的有效少子寿命 τ eff，采用不同浓度(0.04mol/L~0.4mol/L) 的碘酒溶液分别对 n 型 CZ 硅片和 p 型 CZ 硅片进行钝化，结果表明：碘酒溶液浓度在 0.08mol/L~0.16 mol/L 时， 对硅片钝化最为有效， 测量有效少子寿命 τ eff 最高， n 型硅片为973.71μ s， p 型硅片为 362.6μ s；之后采用 0.08mol/L 的碘酒溶液对硅片进行钝化，测量了有效少子寿命随时间的衰减规律；并通过对碘酒溶液钝化不同厚度硅片后的有效少子寿命 τ eff 的测量结合理论计算，获得了硅片的体少子寿命 τ b。关键词关键词： ： 有效少子寿命；体少子寿命；微波光电导衰减法；碘酒钝化*项目资助：国家 863 高技术研究发展计划（ 2011AA050502），国家 973重点基础研究计划（ 2011CBA00705） 作者简介：陈静伟 , 博士研究生 , 从事硅异质结太阳电池研究 , Email: chenjingwei@126.com1 引言在晶体硅太阳电池制备过程中， 晶体硅体少子寿命 (τ b)是硅材料的一项重要参数。 体少子寿命 (τ b)直接影响着太阳电池的转换效率， 同时通过测量硅片的少子寿命可以评价原材料质量和控制工艺过程 [1,2]。常用的测量晶体硅的方法有： 微波光电导衰减 (μ -PCD)，准稳态光电导方法 ( QSSPC)，表面光电压 ( SPV)，IR 浓度载流子浓度成像 ( CDI ) , 调制自由载流子吸收 ( MFCA) 和光束 ( 电子束 ) 诱导电流 ( LBIC, EBLC) 等方法 [3]。但是实际测量值是硅片的有效少子寿命 τ eff， 它由硅片的体寿命 (τ b)和硅片两边表面复合速率 (S)分共同影响， 当 S