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简介:SJTU 上海交大 Solar Energy Institute太阳能研究所 Solar Simulator Innovation Technology for Photovoltaic Module Performance Testing and Energy Rating Solar Energy Institute of Shanghai Jiaotong University Shanghai Hi-show Photovoltaic Science Technology Co. Ltd. Xu Lin Nov. 10th 2018 Xi an SJTU 上海交大 Sol
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简介:掺杂 非晶硅 沉积过程对 SHJ太阳电池界面 钝化影响研究 西安 2018-11-10 中科院上海微系统与信息技术研究所 吴卓鹏 1 主要内容 1. 背景介绍 2. 掺杂非晶硅沉积对钝化性能影响 3. 掺杂非晶硅沉积对本征非晶硅结构影响 4. SHJ电池性能 5. 总结 2 3 背景介绍 n a-SiH i-a-SiH c-Sin i-a-SiH p-a-SiH Rear emitter SHJ 衬底温度 ℃ 氢气稀释 热丝温度( ℃) I160 160 0.5 1700 I120 120 0.5 1700 n-type a-SiH / 4 1900 本征非晶硅 c-Si
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简介:T-SUN Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider 报告题目 P型硅太阳能电池共烧结铝浆的研究进展 Firing through aluminum paste for bifacial P-type silicon PERC solar cells 中国科学技术大学纳米科学技术学院 南通天盛新能源股份有限公司 报告人吴广 T-SUN Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider 目录 1 共烧结与激光开槽 2 P型共烧结铝浆开
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简介:N型铸造多晶硅中磷的挥发 及分布研究 大连理工大学材料科学与工程学院 2018.11.10 李鹏廷,王子龙,谭毅 第十四届太阳能级硅及光伏发电研讨会 汇报提纲 研究背景及现状 磷的纵向分布及分凝行为 磷的横向分布及分凝行为 总结 研究背景及现状 目前市场上 P型多 晶硅太阳能电池占 据主导地位 N型多晶硅电池相对 于 P型多晶硅电池优 势明显 N型电池 /组件不受与硼氧有关的 光致衰减的影响。 N型基底对铁等常见金属杂质的 容忍度更高 基于 N型硅片的电池允许双面电 池设计,可以吸收背面照射产出 更高的电力。 1.1 N型与 P型铸造多晶 特征对比 环节 参数 P
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简介:T-SUN Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider 项目组成员刘媛 刘艳冬 刘梦雪 汇报时间 2018年 8月 18日 中国科学技术大学纳米学院 南通天盛新能源股份有限公司 汇报人刘梦雪 汇报时间 2018年 11月 会议报告 T-SUN Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider 1 基本信息 2 技术目标与路线 3 初步表征 4 阶段性实验结果 5 技术难点 目录 T-SUN Integrated Photovoltai
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简介:Faculty of Engineering School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering Optical Simulation and Applications in Solar Module Design CSPV 2018 Yang Li1, Ning Song1, Pei-Chieh Hsiao1, Mreedula Mungra1, Zi Ouyang1, Alison Lennon1, Ingrid Haedrich2, Marco Ernst2, Bonna Newman3, Mark Jansen3, Chen
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简介:PANDA BIFACIALN型双面发电产品领导者英利绿色能源控股有限公司2018.10.30 目 录CONTENTS 0 10 2 产品优势研究方法及过程0 3 案例分享 PANDA由来及发展 3与ECN、Tempress合作研发N型高效电池技术,并成立PANDA项目组,PANDA由SHA -type evelopment lliance而命名 4 产品基本信息电池正面电池背面二代PANDA电池 离子注入技术 VS 常规扩散技术优化长波段光电转换效率 400 600 800 1000 12000.00.2 0.40.60.8 1.0IQE P diffusion Wavelength
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简介:常州聚和新材料股份有限公司 CHANGZHOU FUSION NEW MATERIAL CO., LTD HIT电池用聚合物银浆的开发 Polymeric Ag paste development for HIT application 汇报人郑建华 2018-11-18 目录 CONTENTS 聚和公司介绍 HIT电池对低温银浆的要求 HIT电池的特点和现状 聚和的研发思路 01 02 03 04 PART ONE 聚和公司介绍 1 2 3 4 2015年 8月于常州成立 , 注册资本 5000万 研发团队 45人 , 博士 2名 , 硕士 10
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简介:HJT电池与同质结电池的比较 王文静 中科院电工所 中国科学院大学 HJT与同质结的比较 原理的比较 工艺比较 设备比较 规模的比较 成本比较 特性比较 HJT与同质结的比较 原理的比较 工艺比较 设备比较 规模的比较 成本比较 特性比较 SiNxH 铝背场 金属电极 p型硅衬底 n型发射极 发射极轻掺杂 接触电 阻增大 少子复 合降低 发射极重掺杂 接触电 阻减小 少子复 合升高 重掺杂发射极 区域制备电极 轻掺杂区域产 生光生电流 均匀发射极太阳电池 选择发射极太阳电池 太阳电
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简介:GS-SOLAR CHINA COMPANY LTD. 钧石(中国)能源有限公司 HDT异质结电池的产业化技术和关键点 宋广华, 2018 10 19 02 异质结电池产业化设备关键 钧石能源高效单晶异质结( HDT)太阳电池技术方案 Cont ents 目 录 01 03 异质结电池在行业中的竞争现状估计 04 HDT实证对比数据分析 05 HDT电池技术发展潜力及不组件技术的结合趋势 01 异质结电池在行业中的竞争现状估计 Cont ents 目 录 丌同电池技术的市场预计不实际差异 异质结电池的量产效率和未来发展空间占优,但目前还处于进入市场的早期, 2018 年产能估计 2-3
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简介:提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控 制 的 数值模拟与实验验证 刘 鑫 ,原田博文,宫村佳儿,韩学峰,中 野智,西泽伸一,柿本浩一 九州大学,应用力学研究所 N. Kolesnikov et al. Modern Aspects of Bulk Crystal and Thin Film Preparation 2012. 90 氧和 碳 CZ-Si主要杂质 O 生长条纹 不均匀性 C O 沉淀 成核中心 杂质输运控制关键指标 少流子寿命 30 ms C 1.0E14 atoms/cm3 CZ-Si 晶体生长系统 过量碳氧杂质降低 CZ-
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简介:CONFIDENTIAL Anti-Soiling Coatings For PV Applications Royal DSM 10th Nov. 2018 Contents Introduction to DSM in solar DSM Anti-Soiling coating technology Soiling test methods and results in the lab Validations of Anti-Soiling coating outdoor 1 Page Contents Introduction to DSM in solar
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简介:Driving wafering technology to the next level 梅耶博格线锯 产品 新的进展 11.10.2018 –梅耶博格中国区产品经理 朱伟诚 线锯技术的演变图 2009-至今 Perf orm anc e 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018* 金刚线技 术开始 Kerf 150 150 150 120 90 80 70/75* µm Cut Time 8 4 3 3 2 2 1.5* hrs DW Use N/A Slurry 2 1.2 1 1 1 120GW 产能规模
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简介:江苏协鑫软控设备科技发展有限公司 Jiangsu GCL Software Control Equipment Technology Development Co.,Ltd. Dropping of Minority Carrier lifetime with the Lower Resistivity of Cz Silicon Materials Xiaochen Guo, Bayard Johnson, zhaobiao Meng Xi’an, 14th CSPV, November 8, 2018 1 New requirement on MCL Minority carrie
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简介:2 0 1 8 -2 0 2 1年双面与双玻市场展望Jason Tsai 2018.10.30 2019年重点议题硅片1 .铸锭单晶是否达到性价比优势2 . CCZ进度与发展3 .薄片与细线化发展4 .大尺寸硅片与单晶大方片发展硅料1 .国产料产能加大、成本下降。硅料进口替代发生,进口料占比将下降至3 02 .单多晶用料价差缩小,重回5元正常水平3 .硅料厂开始产能退出,万吨以下中东部厂、海外厂将开始关停产能或转往电子级4 .料价将被长期压制在8 0元/公斤以下,2 0 1 9年料价范围是否能在6 5 -8 0之间电池组件 1 .双面应用与需求渗透率均增加,双玻与透明背板的应用2 .半片性
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