简介：36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经过约 400℃左右的退火处理之后（即所谓的“退火”工艺），可在低电阻率（约 1Ω cm）的 p型硅片上将 SRV降低至 20cm/s以下 [2] 。除此之外，电池背表面的 SiO 2/Al 叠层结构还可作为近带隙光子的极佳反射器，可显著提升（背表面的）限光特性并以此提高电池的短路电流。但是为什么迄今为止热

简介：高效无铅太阳能电池背银浆料的研究作者 Jerome Moyer， 张伟铭 ， 韩晶 ， 周晓兵作者单位 Jerome Moyer,张伟铭 贺利氏有限公司 厚膜材料部 ,美国 宾夕法尼亚洲 19428 ， 韩晶 上海贺利氏工业技术材料有限公司 ,中国 上海 201108 ， 周晓兵 浙江向日葵光能科技有限公司 ,浙江 绍兴 312071相似文献 10条1.期刊论文 刘丽琴 . LIU Liqin 晶体硅太阳能电池 PECVD SiNxH薄膜工艺研究 - 新技术新工艺 2009,““12通过在工业化生产线上研究了 PECVD法沉积 SiNxH薄膜过程中工

简介：多晶硅太阳电池的表面和界面复合 Ξ陈庭金云南师范大学太阳能研究所 , 云南省农村能源工程重点实验室 , 昆明 650092刘祖明 涂洁磊四川大学物理系 , 国家教育部辐射物理和技术开放实验室 , 成都 610064 文 摘 根据晶格的周期性排列中断而在边界产生悬挂键理论 , 分析了多晶硅太阳电池的表面和界面复合问题 , 指出对表面和界面进行钝化和建立合适的表面和界面场是降低表面和界面对光生少数载流子的复合速度 , 从而降低表面和界面复合电流 , 提高光电流输出的重要方法 。关键词 多晶硅 , 太阳电池 , 表面和界面复合0 引 言多晶硅太阳电池是目前世界上大规模

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简介： 本文由黑色枫叶２贡献ｐｄｆ文档可能在ＷＡＰ端浏览体验不佳。建议您优先选择ＴＸＴ，或下载源文件到本机查看。８ 材料导报 研究篇 ２００９ 年 ７ 月 （ 下） 第 ２３ 卷第 ７ 期（ 中山大学太阳能系统研究所 ，国家新能源工程技术研究中心华南分中心 ，广州５１０００６）（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒ ｆｏｒ Ｒｅｎｅｗａｂｌｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ ｏｆ Ｓｏ ｕｔ ｈ Ｃｈｉｎａ ， Ｉｎｓｔｉｔ ｕｔｅ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ ， Ｓｕｎ Ｙａｔ２ｓｅｎ Ｕ ｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ， Ｇｕａｎｇｚｈ

简介：第 23 卷第 11 期 中国有色金属学报 2013 年 11月Vol.23 No.11 The Chinese Journal of Nonferrous Metals Nov. 2013文章编号 1004-0609201311-3189-07 电解液组成对 LiFePO 4电池低温性能的影响赖静远 1，邹 忠 1，徐俊毅 1，张治安 1，赖延清 1,2，李 劼 1,2，刘 晋 11. 中南大学 冶金与环境学院，长沙 410083；2. 中南大学 先进电池材料教育部工程研究中心，长沙 410083 摘 要 研究了低温 -20 ℃ 下磷酸铁锂正极材料与电解液的相容性。采用不同

简介：电性能参数及影响因素介绍收藏 分享 2011-8-11 1653 | 发布者 么西么西 | 查看数 1210 | 评论数 0 摘要 一、电参数介绍 1、各个参数之间的关系 A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。 B.Pmpp为在 I-V 曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功 . 一、电参数介绍1、各个参数之间的关系A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。B.Pmpp为在 I-V 曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压 Umpp，该点对应得电流就是最大功率

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简介：1 多晶硅薄膜太阳能电池摘 要本设计主要阐述研究了太阳能电池的发展历程， 详细介绍了多晶硅薄膜太阳能电池的各种工艺， 多晶硅薄膜太阳能电池的结构、 特点， 以及多晶硅薄膜的制备方法， 阐述了在实际研究过程中沉积大晶粒多晶硅薄膜的技术路线和工艺， 并展望了多晶硅薄膜太阳能电池的研究趋势。关键词陶瓷衬底，多晶硅薄膜，太阳能电池，发展趋势2 多晶硅太阳能电池绪言 31. 硅太阳能电池的原理41.1 太阳能电池的原理31.2 多晶硅太阳能电池工作原理 31.3 多 晶 硅 太 阳 能 电 池 结 构 特 点错误未定义书签。1.4 多晶硅电池构成 4 1.5 多晶硅电池特性 4 1.6 多晶硅

简介：- 1 - 高效晶体硅电池技术综述以及商业化现状摘 要太阳能、 风能、 水能等清洁能源随着能源危机的初现端倪已经越来越为人们所重视和提倡， 能源问题已经成为制约国家经济发展的重要战略问题。 其中太阳能不论从资源的数量、 分布的普遍性、 技术的成熟度和对环境的影响都体现出巨大的优势。 光伏发电也逐渐从传统发电的补充能源形式过渡到替代能源形式。 这当中发电成本始终是制约推广的首要因素。寻求新技术、新材料、新工艺，以提高太阳电池转换效率，大幅度降低生产成本是整个光伏行业面临的紧迫课题。晶体硅电池是目前商业化程度最高， 制备技术最成熟的太阳能电池。 以晶体硅技术为基础， 着力于降低生产成本， 提高

简介：太阳能电池光电转换原理主要是利用太阳光射入太阳能电池后产生电子电洞对，利用P-N 接面的电场将电子电洞对分离 ,利用上下电极将这些电子电洞引出， 从而产生电流。 整个生产流程以多晶硅切片为原料， 制成多晶硅太阳能电池芯片。 处理工艺主要有多晶硅切片清洗、磷扩散、氧化层去除、抗反射膜沉积、电极网印、烧结、镭射切割、测试分类包装等。生产工艺主要分为以下过程⑴ 表面处理（多晶硅片清洗、制绒）与单晶硅绒面制备采用碱液和异丙醇腐蚀工艺不同，多晶硅绒面制备采用氢氟酸和硝酸配成的腐蚀液对多晶硅体表面进行腐蚀。 一定浓度的强酸液对硅表面进行晶体的各相异性腐蚀，使得硅表面成为无数个小“金字塔”组成的凹凸表面

简介：22 www.pv-tech.org不同蚀刻深度对多晶硅太阳能电池性能的影响摘要在多晶硅太阳能电池的生产工艺中， 绒面的制备一般采用酸蚀刻的方式进行，制绒效果的差异则以绒面反射率值的大小和蚀刻深度作为评价标准。本文通过调整制程参数而获取蚀刻深度分别为 2.82μ m、 3.83 μ m、 4.41 μ m、 5.92 μ m的四组样片，分析了蚀刻深度与后续各制程之间的关系，确定了随着蚀刻深度的增加，镀膜厚度和正面电极主栅线的抗拉力有逐渐增加的趋势，同时扩散阻值与蚀刻深度没有必然的联系。根据最终的电性参数，确定了最佳的蚀刻深度。童锐、刘家益、石东益，茂迪（苏州）新能源有限公司前言为了提高太

简介：多晶硅太阳电池的表面和界面复合 陈庭金“ 云南师范大学太阳能研究所 云南省农村能源工程重点实验室 昆明 0 时 . / 可以算出其 . * * * / 4. ** 6 * 4 / 8A / 473 6 78 A 3 85 / B6 3 6 B8A / 473 76 8A 3C8式中 “ 为复合中心 相应的能级位置 “ 并有4 5 / 4D5 D / 4D5 D / 47 3E8式中 “ 4DF5D 和