电池片工艺

电性能参数及影响因素介绍收藏 分享 2011-8-11 16:53 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 1210 | 评论数 : 0 摘要 : 一、电参数介绍 1、各个参数之间的关系 A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。 B.Pmpp为在 I-V 曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功 . 一、电参数介绍1、各个参数之间的关系A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。B.Pmpp为在 I-V 曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压 Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流 Impp C.Rs 为在光强为 1000W/M2和 500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况D.Rsh 为暗电流曲线下接近电流为 0 时曲线的斜率E.Irev1 为电压为 -10V 时的反向电流F.Irev2 为电压为 -12V 时的反向电流G.Rs和 Rsh决定 FF H.Rsh 和 Irev1 、 Irev2 有对应的关系I. 计算公式：J.Ncell= Pmpp/S （硅片面积）K.Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF L.FF=（ Umpp*Impp） / （ Uoc*Isc ）二、转换效率的影响因素三、测试外部参数影响正常测试温度为 25± 2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低正常光强为 1000± 50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低四、串阻 Rs 组成测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：1. 材料体电阻（可以认为电阻率为 ρ 的均匀掺杂半导体）2. 正面电极金属栅线体电阻3. 正面扩散层电阻4. 背面电极金属层电阻5. 正背面金属半导体接触电阻6. 外部因素影响，如探针和片子的接触等烧结的关键就是欧姆接触电阻， 也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。可以这样考虑，上述 1.2.3.4 项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；5 则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响 Rs的最终值；6 属于外部测试因素，也会导致 Rs 变化五、 Rs影响因素六、并阻 Rsh 组成A.测试中并联电阻 Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出， 主要由边缘漏电和体内漏电决定B.边缘漏电主要由以下几个方面决定：C.①边缘刻蚀不彻底D.②硅片边缘污染E.③边缘过刻F. G.体内漏电主要几个方面决定H.①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿I. ②由于铝粉的沾污导致的烧穿J. ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电K.④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、 DI水质不合格等七、 Rsh影响因素八、 Uoc影响因素九、 Isc 影响因素十、网印区工艺过程常见问题处理A.一、翘曲：B.1. 硅片太薄 -- 控制原始硅片厚度C.2. 印刷铝浆太厚 -- 控制铝浆重量D.3. 烧结温度过高 -- 调整烧结炉 4、 5、 6、 7 区温度E.4. 烧结炉冷却区冷却效果不好 -- 查看风扇状况、进出水温度压力等F. 二、铝包：G.1. 烧结温度太高 -- 调整烧结炉 4、 5、 6、 7 区温度H.2. 印刷铝浆太薄 -- 印刷铝浆重量加重I.3. 使用前浆料搅拌不充分 -- 搅拌时间必须达到规定时间J.4. 铝浆印刷后烘干时间不够 -- 增加烘干时间或提高烘干温度K.5. 烧结排风太小 -- 增大烧结炉排风L.6. 烧结炉冷却区冷却效果不好 -- 查看风扇状况、进出水温度压力等M.三、虚印：N.1. 印刷压力太小 -- 增大印刷压力O.2. 印刷板间距太大 -- 减小板间距P.3. 印刷刮刀条不平 -- 更换刮刀条Q.4. 工作台板不平，磨损严重 -- 更换工作台板R.5. 网印机导轨不平 -- 重新调整导轨A.四、粗线：B.1. 网版使用次数太多，张力不够 -- 更换网版C.2. 网版参数不合格 -- 核对该批网版参数，更换网版D.3. 浆料太稀，浆料搅拌时间太长 -- 严格执行浆料搅拌时间规定E.4. 网印机参数不合适 -- 调整网印机参数SE 电池实现方法汇总收藏 分享 2011-8-10 13:54 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 501 | 评论数 : 0 |来自 : solarzoom 摘要 : 一 、印刷磷桨（云南师范） 特点：磷浆容易高温挥发，选择性不佳。 也可以一次性实现选择性扩散。 二 、 腐蚀出扩散掩膜层 （南京中电）特点：阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来 . 一 、印刷磷桨（云南师范）特点：磷浆容易高温挥发，选择性不佳。也可以一次性实现选择性扩散。二 、腐蚀出扩散掩膜层（南京中电）特点：阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚， 形成半阻挡膜， 一次性扩散。困难在， 浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。三、 直接印刷掩膜层（ schmid， centrotherm ）特点： 要求掩膜的印刷特性要好， 抗氢氟酸要好， 容易清除。 工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。 schmid 的腐蚀法 SE 电池交钥匙工程，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜 SE电池交钥匙工程。四、湿法腐蚀重扩散层 / 等离子体刻蚀重扩特点： 湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱， 将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。 要求耐腐蚀浆料。 干法等离子体， 用四氟化碳或氟化氮等氟化物形成的氟离子来刻蚀暴露的中掺杂部分。干法也可用银浆做掩膜。五、 LDSE（新南威尔士）特点：用到激光和电镀，工序多，工艺复杂。电镀有多种选择。电镀的银的导电性约是银浆的 10 倍。可以节省贵金属。用镍铜银，或镍铜锡结构，可以省掉贵金属。可以把删线做的很密很细，或其他优化结构。六、 硅墨技术（ Innovalingt,OTB ）特点： 只需增加一台印刷机， 就可实现较大幅度的效率提升。 在现有工艺设备基础上也容易升级。高效单晶硅太阳电池的研制收藏 分享 2011-6-3 16:33 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 3585 | 评论数 : 0 摘要 : 晶硅太阳电池一直占据光伏市场的最大份额。 近年来高效单晶硅电池获得的巨大成就 , 使晶硅电池在未来发展中的地位和前景更为乐观。 澳大利亚新南威尔士大学光伏器件及研究中心是这一研究领域中最突出的代表 , 他们研 . 晶硅太阳电池一直占据光伏市场的最大份额。 近年来高效单晶硅电池获得的巨大成就 , 使晶硅电池在未来发展中的地位和前景更为乐观。 澳大利亚新南威尔士大学光伏器件及研究中心是这一研究领域中最突出的代表 , 他们研制的电池 , 效率高达 24%。美国、德国、日本等国高效电池的效率也都超过 20%。这些研究成就的意义不仅为降低晶体电池成本提供了更大可能 , 同时对开发高效薄膜多晶电池 , 从而大幅度降低太阳电池成本具有重要意义。影响太阳电池效率的因素有两类 : 一类是光学损失 , 包括电池前表面反射损失、 接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失 , 其中反射和阴影损失是可以通过特定技术措施减小的 , 而长波非吸收损失与半导体性质有关 ; 另一类是电学损失 , 它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、 半导体和金属栅线的体电阻和半导体 / 金属界面电阻损失。相对而言 , 欧姆损失在技术上较易降低 , 其中最关键、 难度最大的是降低光生载流子的复合 , 它直接影响太阳电池的开路电压 , 而提高电池效率的关键就是提高开路电压 V oc 。我们对不同电池结构、 不同电阻率的材料 (CZ、 FZ)、背场等进行了试验。 目前制备的最好电池 , 其效率达 18. 63%。一、实 验1、硅材料试验中采用两种 Ф 50 的硅片 : a. P (100) , CZ, 0. 3-0. 4 Ω cm, 双面抛光 , 300 ± 10μ m b. P (100) , FZ, 1. 2 Ω cm, 双面抛光 , 300 ± 10μ m 2、电池结构为了对比 , 依次进行如图 1 所示三种电池结构的试验。在电池结构 (b) 中 , 增加了栅线下的重掺杂； 在电池结构 (c) 中 , 除栅线下重掺杂外 , 还增加了表面倒金字塔减反射工艺。3、工艺过程结构 (a) : 硅片清洗→磷扩散→热氧化→背面蒸 AL →烧背场→光刻正面栅指接触条纹→蒸发 Ti/Ag 或 Ti/Pd/Ag →光刻栅指电极结构 (b) : 在 (a) 的扩散前增加氧化和光刻栅指接触区→磷扩散→去氧化膜步骤 , 其它同 (a) ；结构 (c) : 在 (b) 之前增加光刻和腐蚀倒金字塔结构化表面工艺 , 其它同(b) 。清洗 : 采用 RCA 清洗工艺。扩散 : n+ 和 n++发射区扩散均用 POCL 3 液态源。 n+发射区经过预沉积和再分布后 , 薄电阻为 100-500Ω / □ , n++经预沉积和再分布后 , 薄电阻为 10-30Ω / □。氧化 : 掩膜氧化和钝化氧化均为干氧加 2Vo l %HCL , 温度 900-1100℃掩膜厚度 0. 08-0. 25 μ m, 钝化膜 ( 兼减反射膜厚度 0. 1-0. 11 μ m) , 氧化前 , 石英管经 HCL 在 1150℃下清洗 1-2h 。烧背场 : 背面蒸铝 1-2 μ m, 在 900-1100℃下烧 1-2h 。表面积构化 : 采用光刻腐蚀工艺制备倒金字塔结构 , 其表面开口为 10μ m × 10μ m, 如图 2 所示。电极 : 采用热蒸发 Ti/Ag 或 Ti/Pd/Ag, 光刻腐蚀工艺制备电极栅线 , 然后采用脉冲电镀 Ag 使电极厚度增至 6-8 μ m。二、结果与讨论试验电池的实验数据列于表 1。表 1 中单项最佳参数为 : 开路电压 Voc = 651V , 短路电压 Jsc = 35. 9mA.cm2( Isc=143. 62mA ) , 填充因子 F· F = 81.41%。 最佳电池效率为 18. 63% , 其 I-V 曲线如图 3 所示。，与常规电池相比 , 结构 (a) 加了背场 , 并减少了栅线下的接触面积 , 材料为 0. 3-0. 4 Ω cm 的 CZ 硅片 , 效率高于 14%。 结构 (b) 采用了 CZ 和 PZ 两种材料 , 电阻率分别为 0. 3-0. 4 Ω cm和 1. 2 Ω cm, 效率在 16% 左右。同时可以看出 , 低电阻率的 CZ 材料 , 开路电压较高 ,V oc 最高可达到 651mV。而电阻率稍高的 FZ 材料 , 短路电流较高 , 达 140mA 以上 , 这种差别在结构 (c) 中也可观察到。 在结构 (c) 中 , 两种材料 (CZ 和 FZ) 的电池效率有明显差别 , FZ 电池效率比 CZ 电池效率提高近二个百分点。 与结构 (b) 相比 , 填充因子明显增大。 材料质量对电池的影响在结构 (c) 中明显体现出来。实验中还发现 , 实验室净化及 HCL 清洗石英管对改善电池性能的重要影响。三、结 论实验表明 , 发射区钝化、减小栅线与发射区接触面积、分区进行轻 ( n+ ) 和重 ( n++ ) 掺杂、表面积构化、减反射涂层等工艺对提高电池效率有利。采用低电阻率材料开路电压较高 , 采用高电阻率材料短路电流较高 , 为了提高效率 , 选用材料时应适当折中。目前 , 我们实验制备的最好电池 , 效率达 18.63%。 但从电池的开路电压看 , 若能改进表面钝化技术以及有关工艺 , 减少光生载流子复合 , 特别是背面复合 , 电池效率还有可能进一步提高。多晶硅太阳能电池制作工艺概述收藏 分享 2011-6-7 13:31 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 1733 | 评论数 : 0 摘要 : 一、 电子束蒸发和电镀 通常， 应用正胶剥离工艺， 蒸镀 Ti/Pa/Ag多层金属电极， 要减小金属电极所引起的串联电阻， 往往需要金属层比较厚 （ 8～10 微米）。缺点是电子束蒸发造成硅表面 / 钝化层介面损伤，使表面复合提 . 一、电子束蒸发和电镀通常，应用正胶剥离工艺，蒸镀 Ti/Pa/Ag 多层金属电极，要减小金属电极所引起的串联电阻，往往需要金属层比较厚（ 8～ 10 微米）。缺点是电子束蒸发造成硅表面 / 钝化层介面损伤，使表面复合提高，因此，工艺中，采用短时蒸发Ti/Pa 层，在蒸发银层的工艺。另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。 工艺中， 采用了隧道结接触的方法， 在硅和金属成间形成一个较薄的氧化层（一般厚度为 20 微米左右）应用功函数较低的金属 ( 如钛等 ) 可在硅表面感应一个稳定的电子积累层 ( 也可引入固定正电荷加深反型 ) 。 另外一种方法是在钝化层上开出小窗口 （小于 2 微米） ， 再淀积较宽的金属栅线 （通常为10 微米），形成 mushroom-like 状电极，用该方法在 4cm2 Mc-Si 上电池的转换效率达到 17.3 ％。目前，在机械刻槽表面也运用了 Shallow angle (oblique)技术。二、 PN结的形成技术1、发射区形成和磷吸杂对于高效太阳能电池， 发射区的形成一般采用选择扩散， 在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散， 发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应， 又使硅表面易于钝化。 扩散的方法有两步扩散工艺、 扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。 目前采用选择扩散， 15× 15cm2 电池转换效率达到 16.4%， n ++、n +区域的表面方块电阻分别为 20Ω 和 80Ω . 对于 Mc-Si 材料， 扩磷吸杂对电池的影响得到广泛的研究， 较长时间的磷吸杂过程（一般 3～ 4 小时），可使一些 Mc-Si 的少子扩散长度提高两个数量级。在对衬底浓度对吸杂效应的研究中发现， 即便对高浓度的衬第材料， 经吸杂也能够获得较大的少子扩散长度（大于 200 微米），电池的开路电压大于 638mv, 转换效率超过 17％。2、背表面场的形成及铝吸杂技术在 Mc-Si 电池中，背 p+p 结由均匀扩散铝或硼形成，硼源一般为 BN、 Bp、APCVD SiO2： B2O8等，铝扩散为蒸发或丝网印刷铝， 800 度下烧结所完成，对铝吸杂的作用也开展了大量的研究， 与磷扩散吸杂不同， 铝吸杂在相对较低的温度下进行。 其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积， 而在较高温度下， 沉积的杂质易于溶解进入硅中， 对 Mc-Si 产生不利的影响。 到目前为至， 区域背场已应用于单晶硅电池工艺中，但在多晶硅中，还是应用全铝背表面场结构。3、双面 Mc-Si 电池Mc-Si 双面电池其正面为常规结构，背面为 N＋和 P＋相互交叉的结构，这样，正面光照产生的但位于背面附近的光生少子可由背电极有效吸收。背电极作为对正面电极的有效补充， 也作为一个独立的栽流子收集器对背面光照和散射光产生作用，据报道，在 AM1.5条件下，转换效率超过 19％。三、表面和体钝化技术对于 Mc-Si ， 因存在较高的晶界、 点缺陷 （空位、 填隙原子、 金属杂质、氧、 氮及他们的复合物） 对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要， 除前面提到的吸杂技术外， 钝化工艺有多种方法， 通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法，可使 Si- SiO2 界面的复合速度大大下降，其钝化效果取决于发射区的表面浓度、 界面态密度和电子、 空穴的浮获截面。 在氢气氛中退火可使钝化效果更加明显。 采用 PECVD淀积氮化硅近期正面十分有效， 因为在成膜的过程中具有加氢的效果。该工艺也可应用于规模化生产中。应用 Remote PECVD Si3N4可使表面复合速度小于 20cm/s。工业化电池工艺太阳电池从研究室走向工厂， 实验研究走向规模化生产是其发展的道路， 所以能够达到工业化生产的特征应该是：（ 1）电池的制作工艺能够满足流水线作业；（ 2）能够大规模、现代化生产；（ 3）达到高效、低成本。当然，其主要目标是降低太阳电池的生产成本。目前多晶硅电池的主要发展方向朝着大面积、薄衬底。例如，市场上可见到125× 125mm2、 150× 150mm2 甚至更大规模的单片电池， 厚度从原来的 300 微米减小到目前的 250、 200 及 200 微米以下。效率得到大幅度的提高。日本京磁（ Kyocera）公司 150× 150 的电池小批量生产的光电转换效率达到 17.1%，该公司 1998 年的生产量达到 25.4MW。铝背场烧结后形成 P+区，同时有一定的钝化作用，它对开压串联的影响主要有哪些方面？ 网友解答： kaixin001 烧结效果好的话，串联电阻会小，对应的并联就大。 helloyuche . 提问：helbing 铝背场烧结后形成 P+区，同时有一定的钝化作用，它对开压串联的影响主要有哪些方面？网友解答：kaixin001 烧结效果好的话，串联电阻会小，对应的并联就大。helloyuchen 铝背场是个 P+的重掺杂，对开路电压有贡献，而且钝化作用对电流有提升，再就是增强太阳能电池的长波相应， 感觉铝背场和背电极接触的烧结效果会影响到电池的串联电阻。likehoo11 1、背场吸杂，减少背面复合速率，提高开压；2、反射长波，提高长波段 IQE；3、背场与硅片是重掺杂的欧姆接触，在电池串联电阻中占很小比例，理想的背场，背面接触电阻可忽略。boy@mm铝背场作用很多：1. 在背面形成一层 P++层。能有效提高电池开压。2. 背面形成一种重掺杂，使背电极形成良好欧姆接触，减小接触电阻3. 背面铝在烧结时候， 具有吸杂作用， 使晶体硅体内杂质减少， 。 降低了体复合4. 背场厚度适当增加， 能提高电池的短路电流和开路电压， 增加长波段光的响应、。大面积背场也存在一定问题， 比如烧结后背场不平整， 弯曲等。 现在有些区域性背场技术，好像效率更高。fshuaichen 在生产时有进出现很多串联大的情况， 提高背场烧结温度后串联就会恢复正常太阳能电池输出特性测量的基本方法摘要 : 为了对太阳能电池的输出特性作出正确的评价， 测量和计算应该按下面三个步骤依次进行： 1、测量入射于太阳能电池的光强 要想知道在室内照明灯下太阳能电池的特性， 首先要确定光源的种类 （白色荧光灯、 白 . 为了对太阳能电池的输出特性作出正确的评价， 测量和计算应该按下面三个步骤依次进行：1、测量入射于太阳能电池的光强要想知道在室内照明灯下太阳能电池的特性， 首先要确定光源的种类 （白色荧光灯、白炽灯等），再测量照度。要了解太阳光下太阳能电池的特性时，采用室外的太阳光，或者采用接近于太阳光的模拟太阳光作光源，再测量光的强度。在测量光的强度时，要用一预先已知光强和输出电流关系的参考电池作为标准，或者直接测量光的能量和光谱。2、测量太阳能电池的输出特性左图是太阳能电池输出特性测量电路示意图。 其中图一 （ a） 由电池、 电压表、 电流表和可变负载组成， 改变可变电阻值即可得到电池的输出特性； 当太阳能电池的输出电流很大时， 由于电流表的内电阻和太阳能电池的引线电阻， 就不能正确测量了。此时，要用图一（ b）所示的电路用两个回路来分别测量电压和电流以减少导线电阻的影响，同时用可变电源作负载以补偿电流表内电阻的影响。图一在使用电路 (a) 测量太阳能电池的输出特性时，可使可变电阻开路来测开路电压，使可变电阻短路来测短路电流；在用电路 (b) 进行测量时，可调节电源负载使电流为零来测量开路电压， 调节电源负载使输出电压为零时， 则可得到短路电流。3、计算电池的转换效率根据所测得的太阳能电池的输出特性， 计算出各点的电压与电流乘积， 然后求出：最佳工作电压 Vop：即太阳能电池输出为最大时的电压；最佳工作电流 Iop ：即太阳能电池输出为最大时的电流；据此计算出填充因子和转换效率：FF=VopxIop/VocxIsc η =VopxIop/SxPin 其中 S 是电池面积，而 Pin 是步骤 1 中得到的入射光功率。下面图二是太阳能电池输出特性测试的装置示意图。 此处为了消除测试引线的串联电阻和相关的接触电阻对测量结果的影响，电压引线和电流引线是分开的。 同时， 整个被测电池与恒温块接触， 保持温度在 25 度或 28 度， 这两个温度都是太阳能电池测试的标准温度。 测试前， 先用标准电池调节光源的辐照度， 直到标准电池的输出特性达到其标定参数为止。然后再测试待测的太阳能电池样品。图二什么是电池片的暗电流、反向饱和电流和漏电流？收藏 分享 2011-4-18 15:14 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 317 | 评论数 : 0 摘要 : 提问： 飘渺 电池片的暗电流、反向饱和电流、漏电流具体如何解释 ? 网友解答： 向日葵 电池片的暗电流： 指的是电池的暗特性， 光伏电池在无光照时，由外电压作用下 P-N 结内流过的单向电流。 . 提问：飘渺电池片的暗电流、反向饱和电流、漏电流具体如何解释 ? 网友解答：向日葵电池片的暗电流： 指的是电池的暗特性， 光伏电池在无光照时， 由外电压作用下 P-N 结内流过的单向电流。反向饱和电流： 这个外电压从 0 开始， 从坐标图上看， 逐渐增加的过程中， 电流的曲线变化过程中， 会有一个拐点， 取这个拐点的电流就是反向饱和电流。 另外一种解释就是： 反向电压在某一个范围内变化， 反向电流基本不变， 好象通过二极管的电流饱和了一样， 这个电流就叫反向饱和电流。漏电流： 完美的二极管理论模型， 在反向电压下应该是断路状态， 但实际上还是会有少量的电流漏过去， 这个电流就是漏电流， 电池也是同样的道理， 漏电流的大小代表了电池性能的高低，代表了这个二极管成型是否完美。waspknight暗电流：光伏电池在无光照时，由外电压作用下 P-N 结内流过的单向电流。反向饱和： 随着反向电压的增大， 势垒抬高， 耗尽层变宽， 被反向抽走的电子和空穴就会增加，所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一点。但是对于硅 pn 结，反向饱和电流一般在 10e-14A～ 10e-10A,一般都很小，即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和，饱和的含义就是再怎么增大电压，电流增大的不多的意思。漏电流： 对二极管来说 ,就是给它加反向电压在理论上应该彻底关断 ,没有电流 ,但实际上有一个很小的电流 ,这就是漏电流 ,又叫反向电流 . 376177754（纯属个人总结）暗电流：无光照。外加电压（正 OR 负） ，流过 PN结的单向电流。反向饱和电流：外加反向电压，会有微小的电流流过 PN 结（少子） ，当外加反向电压增大时，这个微小电流不变化（或者变化及其微小） ，也就是说不论外加反向电压多大，这个微小电流都是不变的电流。 （太大了，就击穿了）漏电流：不走正道的电流！没有被负载完全利用的电流。liudianbao暗电流（ Dark Current）也称无照电流，是指在没有光照的条件下，给 PN 结加反偏电压（ N 区接正， P 区接负） ，此时会有反向的电流产生，这就是所谓的暗电流，对单纯的二极管来说， 暗电流其实就是反向饱和电流， 但是对太阳能电池而言， 暗电流不仅仅包括反向饱和电流，还包括薄层漏电流和体漏电流。反向饱和电流指给 PN 结加反偏电压时，外加的电压使得 PN 结的耗尽层变宽，结电场（即内建电场）变大，电子的电势能增加， P 区和 N 区的多数载流子（ P 区多子为空穴， N区多子为电子）就很难越过势垒，因此扩散电流趋近于零，但是由于结电场的增加，使得 N区和 P 区中的少数载流子更容易产生漂移运动，因此在这种情况下， PN结内的电流由起支配作用的漂移电流决定。 漂移电流的方向与扩散电流的方向相反， 表现在外电路上有一个留入 N 区的反向电流，它是由少数载流子的漂移运动形成的。由于少数载流子是由本征激发而产生的，在温度一定的情况下，热激发产生的少子数量是一定的，电流趋于恒定。漏电流：我们都知道，太阳能电池片可以分 3 层，即薄层（即 N 区） ，耗尽层（即 PN结） ，体区（即 P 区） ，对电池片而言，始终是有一些有害的杂质和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我们的工艺中形成的，这些有害的杂质和缺陷可以起到复合中心的作用，可以虏获空穴和电子， 使它们复合， 复合的过程始终伴随着载流子的定向移动， 必然会有微小的电流产生， 这些电流对测试所得的暗电流的值是有贡献的， 由薄层贡献的部分称之为薄层漏电流，由体区贡献的部分称之为体漏电流电池的 Uoc 如何提高？收藏 分享 2011-4-14 17:37 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 448 | 评论数 : 0 摘要 : 提问： klihaqqy 电池的 Uoc 如何提高？ 网友解答： hanpengcom 净化与扩散， 重要是高方阻。 HJXC 调调铝浆及烧结温度试试。 crasure 开压要高，在片源不变的情况下，主要是要钝 . 提问：klihaqqy 电池的 Uoc 如何提高？网友解答：hanpengcom净化与扩散，重要是高方阻。HJXC 调调铝浆及烧结温度试试。crasure 开压要高， 在片源不变的情况下， 主要是要钝化要做得好， 做得致密； 有在文献中看到过用湿法做二氧化硅钝化的，开压可以做得很高。rosefather 多注意一下电阻率对开压的影响。心之翼1、 好的片源。2、均匀的绒面。3、清洁的扩散环境。4、良好的表面钝化。5、性能优越的铝浆和合适的烧结工艺。songhaha0123开压，片源不变的情况下，主要是扩散方阻， PE 钝化。铝浆的质量和烧结匹配很重要的。黎明个人认为还是烧结的问题，烧的好 Uoc 和 EFF都会高的。hu061621214 开压还是比较难做的，跟标片，片源，扩散，钝化，背场，烧结均有关系。只是各个因素影响大小不一样产生色差片的原因到底是什么？收藏 分享 2011-4-22 11:35 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 432 | 评论数 : 0 摘要 : 时不时有色差片出现，如下图所示。这种色差在经过烧结炉后，被放大，主要是周围泛白，换了很多种片源，依然存在；存在色差的产线的片子，刻蚀过后，换其他线做，其他线烧结后，也出现同样 . . 提问：renjie 时不时有色差片出现， 如下图所示。 这种色差在经过烧结炉后， 被放大， 主要是周围泛白，换了很多种片源，依然存在；存在色差的产线的片子，刻蚀过后，换其他线做，其他线烧结后，也出现同样色差。网友解答：gang.sun 不是 PECVD的问题， 干刻还是湿刻？后清洗用什么设备？如果是干刻请确认三个事情： 1、夹具是否加紧； 2、夹具是否平整； 3、设备使用前一定要辉光一段时间排除腔体内杂质。cht3288 我只碰到过 RENA二次清洗后的滚轮印 PE 后看不出来，烧结后才出现的问题，所以猜测是二次某个地方出了问题，如果是槽体的清洗机，查看下水质。三十六计我们曾经把这种片子放在 HF 里洗掉，再镀膜，貌似有白雾的地方膜厚要小一点， LZ 说的是对的， 问题肯定在制绒和扩散间产生， 普遍认为制绒的可能性比较大， 楼主可以用制绒后的片子直接镀膜、烧结试试看！renjie 怀疑是制绒没洗干净而引起的药液残留， 这种色差片的边缘都有一个刻蚀留下的蓝色边框。 分析觉得是刻蚀时刻掉了最外的残留， 因而最边缘的刻蚀亮边呈正常的蓝色， 而稍微往里推进就是泛白的区域，中心也是正常蓝色。主要它是成百的出现，清洗取样 1000，都很难碰到色差。要么几千片都没有，要么连续 100 多片，现在重点怀疑预清洗和制绒液更换前的最后 2 批，容易出现问题。心之翼边缘的正常颜色应该是等离子刻蚀起了作用， 我听说一个信息， 等离子也是可以进行制绒的。 可能也存在异向刻蚀的作用， 边缘这么大的区域出现发白现象， 我认为还是从制绒查起， 制绒后在显微镜下跟踪一批片子的绒面情况， 确保没问题后， 再安排人全称跟踪看是哪里出了问题。tongruihuainan 这种状况应该不是绒面不均的问题， 如果是绒面问题的话， 镀膜之后就可以看的很清楚。个人认为是一些化学的污染或者 PSG的残留等造成的。建议从这方面着手。duck050160 楼主有拿反面镀膜再烧吗 ?至少我认为你拿那个色差片进行反面镀膜后就很轻易可以看出问题是出在扩散 -刻蚀间还是扩散前 ! shiming07 可以试试把镀膜的开度改改看，另外压力温度等都有影响。suntechyuan 在显微镜下观察色差处的绒面状况，如正常就排除制绒的原因。剩下的应该在 PE处找下具体的原因。顺风小虾米建议楼主排查扩散工艺， 个人感觉是扩散的问题， 我们公司之前出过类似色差片， 确定为扩散的原因少子寿命的测试问题收藏 分享 2011-5-10 13:25 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 295 | 评论数 : 0 摘要 : 鉴于目前 Semilab 少子寿命测试已在中国拥有众多的用户，并得到广大用户的一致认可。 现就少子寿命测试中， 用户反映的一些问题做出如下说明，供您在工作中参考： 1、 Semilab μ -PCD 微波光电导少子寿命的原理 . 鉴于目前 Semilab 少子寿命测试已在中国拥有众多的用户，并得到广大用户的一致认可。 现就少子寿命测试中， 用户反映的一些问题做出如下说明， 供您在工作中参考：1、 Semilab μ -PCD 微波光电导少子寿命的原理微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay) 测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子 - 空穴对和微波探测信号的变化这两个过程。 904nm 的激光注入（对于硅，注入深度大约为 30um）产生电子 - 空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。少子寿命主要反映的是材料重金属沾污及缺陷的情况。Semilab μ -PCD 符合 ASTM 国际标准 F 1535 - 00 2、少子寿命测试的几种方法通常少数载流子寿命是用实验方法测量的， 各种测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。 最常用的注入方法是光注入和电注入， 而检测非平衡载流子的方法很多， 如探测电导率的变化， 探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法。近 30 年来发展了数十种测量寿命的方法，主要有：直流光电导衰退法；高频光电导衰退法；表面光电压法；少子脉冲漂移法；微波光电导衰减法等。对于不同的测试方法， 测试结果可能会有出入， 因为不同的注入方法， 表面状况的不同， 探测和算法等也各不相同。 因此， 少子寿命测试没有绝对的精度概念， 也没有国际认定的标准样片的标准， 只有重复性， 分辨率的概念。 对于同一样品，不同测试方法之间需要作比对试验。但对于同是 Semilab 的设备，不论是 WT-2000 还是 WT-1000，测试结果是一致的。μ -PCD 法相对于其他方法，有如下特点：（ 1）无接触、无损伤、快速测试（ 2）能够测试较低寿命（ 3）能够测试低电阻率的样品（最低可以测 0.01ohmcm 的样品）（ 4）既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片，电池（ 5）样品没有经过钝化处理就可以直接测试（ 6）既可以测试 P 型材料，也可以测试 N 型材料（ 7）对测试样品的厚度没有严格的要求（ 8）该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法3、表面处理和钝化的原因μ -PCD 测试的是少子有效寿命，它受两个因素影响：体寿命和表面寿命。测试的少子寿命可由下式表示τ diff 为少子从样品体内扩散到表面所需时间。 τ surf 为由于样品表面复合产生的表面寿命， τ meas为样品的测试寿命， d 为样品厚度， Dn， Dp 分别为电子和空穴的扩散系数； S 为表面复合速度。由式（ 3-01）可知，表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，图3-02 是体寿命与测试寿命的关系。 在样品厚度一定的情况下， 即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大， 则在测试高体寿命样品时， 测试寿命值与体寿命值就会偏差很大； 而对于低体寿命的样品， 不会使少子寿命降低很多。 因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品的表面复合速率。从图 3-02 我们可以看到，对于表面复合速率 S 为 1cm/s，或 10cm/s 的样品，即使在 1000μ s 数量级的体寿命，测试寿命还是与体寿命偏差很小。 即当样品的表面复合速率为 10cm/s 或更小的情况下，对于 1000μ s 数量级高体寿命的样品，测试寿命也能用来表示体寿命。总结：（ 1）为了使测试的有效寿命趋向于体寿命，我们要尽量减少表面寿命的影响， 为此我们推荐使用表面钝化的方法， 通常的钝化方法有热处理， 化学钝化及硅片表面电荷沉积等方法。（ 2）对于太阳能领域，因材料表面不做抛光处理，所以我们推荐使用化学钝化的方法。（ 3）在体寿命较高，而表面寿命较低的情况下，化学钝化后测试寿命有较大提高，测试寿命更加趋向于体寿命。（ 4） 在体寿命较低的情况下， 比如 咨询 >技术咨询扩散车间安全生产注意事项收藏 分享 2011-5-6 17:16 | 发布者 : 么西么西 | 查看数 : 1040 | 评论数 : 0 摘要 : 扩散车间主要是对硅片进行磷扩散的场所，其中主要存在的安全隐患有，高温、高电压、有毒化学药剂等。为了保证车间安全生产，扩散车间要注意一下几点： 一、高温危害 由于硅片要在 800℃以上进行扩散工艺 . 扩散车间主要是对硅片进行磷扩散的场所， 其中主要存在的安全隐患有， 高温、 高电压、有毒化学药剂等。为了保证车间安全生产，扩散车间要注意一下几点：一、高温危害由于硅片要在 800℃以上进行扩散工艺， 此温度对人构成极大威胁， 并且对决大多数物品构成破坏性作用。因此在要从以下几点防止高温所产生的安全隐患。1、在扩散炉炉口打开时，要人员远离炉口位置，防止烫伤；2、在碳化硅桨进出扩散炉管时要注意，桨上以及要进入炉管的石英舟上是否有手套、无尘纸、无尘布等易燃物品和铁、铝等金属物品，防止火灾发生以及污染工艺卫生。3、在石英舟出炉后，要将石英舟抬下卸片时，要戴好隔热手套，防止烫伤。二、化学品危害扩散车间常用的化学品有 POCl3和乙醇。 POCl3有强腐蚀性、毒性，可对人体造成极大伤害，乙醇为易燃物品，在高温下极易引起火灾事故，并对人体也可构成伤害。三氯氧磷正式名称为氧氯化磷， 又名磷酰氯。 为无色透明发烟液体， 有辛辣气味。 熔点2℃，沸点 105.1℃，密度 1.68kg/l 。有强腐蚀性、毒性，不燃烧。三氯氧磷遇水或水蒸汽剧烈反应生成磷酸与氯化氢等有毒的腐蚀性烟雾， 对皮肤、 粘膜有刺激腐蚀作用。 三氯氧磷可引起急性中毒， 在短期内吸入大量三氯氧磷蒸汽可引起上呼吸道刺激症状、咽喉炎、支气管炎，严重者可发生喉头水肿窒息、肺炎、肺水肿、紫绀、心力衰竭，亦可发生贫血、肝脏损害、蛋白尿。口服三氯氧磷可引起消化道灼伤，眼和皮肤接触引起灼伤，长期低浓度接触可引起口、眼及呼吸道刺激症状。乙醇为无色、透明，具有特殊香味的液体（易挥发） ，其蒸气与空气可形成爆炸性混合物，遇明火、高热能引起燃烧爆炸。与氧化剂接触发生化学反应或引起燃烧。在火场中，受热的容器有爆炸危险。 其蒸气比空气重， 能在较低处扩散到相当远的地方， 遇火源会着火回燃。本品为中枢神经系统抑制剂。首先引起兴奋，随后抑制。急性中毒：急性中毒多发生于口服。一般可分为兴奋、催眠、麻醉、窒息四阶段。患者进入第三或第四阶段，出现意识丧失、瞳孔扩大、呼吸不规律、休克、心力循环衰竭及呼吸停止。慢性影响：在生产中长期接触高浓度本品可引起鼻、眼、粘膜刺激症状，以及头痛、头晕、疲乏、易激动、震颤、恶心等。长期酗酒可引起多发性神经病、慢性胃炎、脂肪肝、肝硬化、心肌损害及器质性