多晶硅太阳电池的表面和界面复合(20180814153949)

多晶硅太阳电池的表面和界面复合 !陈庭金“ 云南师范大学太阳能研究所 #云南省农村能源工程重点实验室 #昆明 $ % 0 ) 时 . : / #可以算出其 . * * * / 4. ** 6=: ? * 4: + / ( ) 8?@A / 47=3> ) 6> 78 ?@A 3! 85 : + / ( B=6 3> ) 6> B8?@A / 47=3 > 76> ) 8?@A 3C8式中 “ > ) 为复合中心 ( ) 相应的能级位置 “ 并有4: +5 : + / 4+D5 +D / 4D5 D / 47! 3E8式中 “ 4+DF5+D 和 4DF5 D 分别为热平衡时界面和晶粒内电子和空穴的浓度 “ 47 为本征载流子浓度 ’如果引入界面复合速度 G+“ 则 1 区单位界面复合率可表示为* + / G+H5 1 3- 8式中 “ H51 表示 1 区界面处的过剩少数载流子浓度 “ 其相应的界面复合电流密度为I + / JG+K5 1 3L8这部分电流密度是损失输出光电流密度的重要部分 ’ 显然 G+ 应与界面态的参数有关 ’ 界面处的载流子浓度通过界面势 M+ 与晶粒内载流子浓度联系起来 ’ 因此 “ 一般界面复合速度应与界面势 M+ 有关 ’ 只要通过界面电荷层流向界面的电子 F空穴复合电流不是很大 “ 就可以认为界面和体内处于平衡 “ 因此有4+ / 41 =6J M+? @A 3N85 + / 51 =JM+?@A 3O841 和 5 1 是 1 区体内的非平衡电子和空穴浓度 ’如果设想复合中心是截面为 P 的圆球 “ 载流子与该球相遇则被俘获 ’ 这样 “ 可用俘获截面P1FP2 代替俘获系数 01 F02 来描述复合中心俘获电子和空穴的能力 ’ 载流子的热运动速度为 Q1FQ2“ 则单位时间和这些复合中心相碰撞的几率为01 / P1Q1 或 Q1 / C@A ?R 1S T 3U802 / P2Q2 或 Q2 / C@A ?R 2S T 3: D8将 式 3! 8 和 3C8 以及 3U8 和 3: D8 代入式 3: 8“ 并且不区分电子和空穴的有效质量 3即 R 1T / R T2 VQ1/ Q2 / Q)W8“ 则式 3: 8 可写为* + / Q)WP1 P2 ( )34+5 + 6 4!7 8P1 34+ 9 47=3> ) 6> 78 ?@A 8 9 P2 35 + 9 47=3> 76> ) 8?@A 8 3: : 8若 P1 / P2 / P+“ 并认为界面处复合中心能级 > ) 在禁带中连续分布 “ 则式 3: : 8 还可写为-C:! 期 陈庭金等 ; 多晶硅太阳电池的表面和界面复合! “ # $“% . “=上式变为! “ # $“ %7 )无光照的热平衡时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期 陈庭金等 B多晶硅太阳电池的表面和界面复合多晶硅太阳电池的表面和界面复合作者： 陈庭金 ， 刘祖明 ， 涂洁磊 ， Chen Tingjin ， Liu Zuming ， Tu Jielei作者单位： 陈庭金 ,Chen Tingjin( 云南师范大学太阳能研究所 ,云南省农村能源工程重点实验室 ,昆明 650092) ， 刘祖明 ,涂洁磊 ,Liu Zuming,Tu Jielei( 四川大学物理系 ,国家教育部辐射物理和技术开放实验室 ,成都 610064)刊名： 太阳能学报英文刊名： ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA年，卷 (期 )： 2000,21(2)被引用次数： 7次参考文献 (5条)1. S.Fujii 查看详情 19992. S J Fonash Solar Cell Device Physics 19813. 王家骅 ;李长键 ;牛文成 半导体器件物理 19834. M Shur Physics of Semiconductor Device 19905. 刘恩科 半导体物理 1984本文读者也读过 (4条)1. 赵百川 . 孟凡英 . 崔容强 多晶硅太阳电池表面化学织构工艺 [期刊论文 ]- 太阳能学报 2002,23(6)2. 王书荣 . 陈庭金 . 刘祖明 . 魏晋云 . 胡志华 . 廖华 . 李迎军 多晶硅太阳电池的吸杂实验研究 [期刊论文 ]- 云南师范大学学报 (自然科学版) 2001,21(6)3. 王立建 . 刘彩池 . 孙海知 . 郝秋艳 . WANG Li-jian . LIU Cai-chi . SUN Hai-zhi . HAO Qiu-yan 多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究 [期刊论文 ]- 光电子·激光 2007,18(3)4. 廖华 . 刘祖明 . 胡志华 . 李景天 . 王书荣 . 陈庭金 多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理 [期刊论文 ]- 云南师范大学学报 (自然科学版) 2002,22(2)引证文献 (7条)1. 贺炜 . 郭爱娟 . 孟凡英 . 冯仕猛 温度对多晶硅太阳电池性能影响的研究 [期刊论文] -太阳能学报2010(4)2. 屈盛 . 陈庭金 . 刘祖明 . 廖华 太阳电池选择性发射极结构的研究 [期刊论文] -云南师范大学学报（自然科学版） 2005(3)3. 马逊 . 陈庭金 . 夏朝凤 . 刘祖明 . 廖华 晶体 Si和 GaAs太阳电池背场结构的研究 [期刊论文] -云南师范大学学报（自然科学版） 2005(2)4. 涂洁磊 . 陈庭金 . 王履芳 新型 MIP+-Al0.3Ga0.7As/P-n-n+-GaAs太阳电池的设计与Ⅰ -Ⅴ特性理论分析 [期刊论文] -工程热物理学报 2005(1)5. 马逊 硅太阳电池少数载流子寿命研究与测量 [学位论文 ]硕士 20056. 屈盛 丝网印刷制作选择性发射极太阳电池的研究 [学位论文 ]硕士 20057. 涂洁磊 . 林理彬 . 陈庭金 . 袁海荣 MI-AlxGa 1-xAs/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析 [期刊论文] -太阳能学报 2002(4)本文链接： http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_tynxb200002003.aspx