简介：用湿法刻蚀的方法在硅片上做连续 V型槽图 l 硅片 v型槽示意图图中 V 型槽的两个斜面为 111晶面， 底面为 100晶面。 由晶体结构学原理可以知道， 111晶面与 100 晶面的夹角为 54． 74°。在（ 100）硅片上，沿着（ 110）方向腐蚀时可以暴露出倾角为54.74°的（ 111）面，从而形成 V 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅 111晶面的腐蚀速度远小于 100面的。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 1 所示的硅片V 型槽。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。通过氧化、光刻、腐蚀，即可制作出合

简介：硅片在切割中是有钢线在悬浮液带碳化硅颗粒滚动成穴，不断随钢线移动，使硅块分开但由于是硬碰硬，在高速冲击下，碳化硅颗粒会有部颗粒，因此存在理论上的硅片厚度变化为以上图因此判断硅片方向首先根据测量图示 5点厚度，以再根据上述推理可知硅片方向确定硅片切割 情况145入刀口砂浆帘1 2厚度变厚趋势1 3厚度变厚趋势1 4厚度变厚趋势钢线在悬浮液带砂子快速摩擦硅块，同时工作台下压产生正压力的作用下，穴，不断随钢线移动，使硅块分开。在此过程中，理论是碳化硅硬于硅在高速冲击下，碳化硅颗粒会有部分颗粒相互碰撞而破裂，大颗粒变小论上的硅片厚度变化为以上图首先根据测量图示 5点厚度，以及线痕玻璃板23

简介：太阳能硅片废水回用【摘要】尽管太阳能是绿色能源，且太阳能电池厂排放的污染物，与石油、煤炭行业相比，对环境的污染要少很多。但由于目前国内太阳能产业技术落后、政策不完善等原因， 电池生产过程在国内仍存在较严重的污染。 对电池生产的废水污染的控制是一个不可回避的现实问题。 文章分析了硅片清洗、硅片废水回用工艺。【关键词】太阳能 硅片 废水回用目前， 在全球能源面临严峻的形势下， 太阳能光伏产业逐渐兴起。 太阳能是一种环保，绿色，节能的新能源，对其利用，可以充分缓解能源紧张趋势。太阳能作为一种清洁能源， 本身并不存在污染， 但其在生产过程中会产生许多污染问题，今天，我将围绕太阳能光伏产业对水资源的污

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简介：中国电子科技集团公司第二研究所 全自动硅片装片机使用说明书中国电子科技集团公司第二研究所 www.ersuo.com GZP－ 2A 全自动硅片装片机 使用说明书中国电子科技集团公司第二研究所 二〇〇九年十二月CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP GORPORATION 中 国 电 子 科 技 集 团 公 司 第 二 研 究 所中国电子科技集团公司第二研究所 全自动硅片装片机使用说明书中国电子科技集团公司第二研究所 www.ersuo.com 1. 概述 1.1 主要用途及适用范围 将方形硅片装入到 25 片篮具中以供下一工艺使用。1.2 产品特点 GZP-2

简介：中国太阳能硅片行业调查分析及市场前景预测报告（ 2015-2020 年）报告编号 15151A7中国产业调研网www.cir.cn 中国产业调研网 Cir.cn 中国太阳能硅片行业调查分析及市场前景预测报告（ 2015-2020 年）济研咨询电话 400-612-8668、 010-66181099、 66182099 传真 010-66183099 Email KfCir.cn 行业市场研究属于企业战略研究范畴，作为当前应用最为广泛的咨询服务，其研究成果以报告形式呈现，通常包含以下内容一份专业的行业研究报告， 注重指导企业或投资者了解该行业整体发展态势及经济运行状况，旨在为企业

简介：实验二十二、硅片氧化工艺实验一 . 实验目的1. 熟悉半导体工艺的一般步骤2. 掌握硅片氧化的基本方法和原理，能够熟练使用管式电炉二 . 实验原理（一）高温氧化及厚度测量氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（ SiO ）膜的过程。这层膜的作用是保护和钝化半导体表面 作为杂质选择扩散的掩蔽层； 用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘； 用作MOS 电容和 MOS 器件栅极的介电层等等。其实现的方法有高温氧化（热氧化） 、化学气相淀积（ CVT） 、阳极氧化、溅射等。氧化即生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸，如图1 所示。一般氧化层的 45的厚度是在初始表面上形成， 46是在初始表面以下生

简介：全自动硅片测厚仪适用于硅片、箔片等各种材料的厚度精确测量。功能特点微电脑控制、液晶显示菜单式界面、 PVC 操作面板接触式测量测头自动升降手动、自动双重测量模式数据实时显示、自动统计、打印标准接触面积、测量压力（非标可选）标准量块标定微型打印机RS232 接口网络传输接口支持局域网数据集中管理与互联网信息传输技术参数测量范围 0～ 2mm （常规）0～ 6mm ； 12mm （可选）分 辨 率 0.1μ m 测量速度 10 次 /min （可调）测量压力 17.5± 1kPa （薄膜）； 50± 1kPa （纸张）注非标可选接触面积 50mm2 （薄膜）； 2

简介：影响太阳能硅片切割的各种因素来源 OFweek太阳能光伏网链接 www.china-nengyuan.com/tech/37195.html影响太阳能硅片切割的各种因素太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。一、切割液（ PEG）的粘度由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切

简介：原因有很多， 但是真正工艺上的原因很少， 主要还是认为的因素比较容易造成多的缺角 （包括很多车间里面，比如说清洗，检验等隐裂来料、预清洗、插片、清洗、拉运、分选；崩边 C 角、胶面、加工、搬运；亮点杂质；毛边搬运、加工。在太阳能电池制造过程中， 用氢氧化钠和异丙醇制取单晶硅时表面发花， 时什么原因怎么样 才能处理好呢一般来说呢是有机物没有彻底的清洗干净第二是氢氧化钠没有清洗干净造成硅片线性斜的原因大概有哪些1 线速不能低于或超过砂浆的切割能力。如果低于砂浆的切割能力，就会出现线痕片甚至断线；反之，如果超出砂浆的切割能力，就可能导致砂浆流量跟不上，从而出现厚薄片甚至线痕片等2

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简介：. . 扩建年产硅片电极 15000 片生产线建设项目环境影响报告表（试 行）. . 建设项目环境影响报告表编制说明建设项目环境影响报告表 由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。1. 项目名称指项目立项批复时的名称，应不超过 30 个字（两个英文字段作一个汉字） 。2. 建设地点指项目所在地详细地址， 公路、 铁路应填写起止地点。3. 行业类别按国标填写。4. 总投资指项目投资总额。5. 主要环境保护目标指项目区周围一定范围内集中居民住宅区、学校、医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏感点等，应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离等。6. 结论与建议

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简介：文章编号 1002 20446 2007 0320261 206面向 IC制造的硅片机器人传输系统综述 3丛 明 , 杜 宇 , 沈宝宏 , 金立刚大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 , 辽宁 大连 116024 摘 要 介绍了面向集成电路制造业的硅片机器人传输系统 ,综述了其主要组成部分 硅片机器人和预对准装置 的工作原理及国内外研究成果 . 就直接驱动技术 、 磁性流体密封技术 、 磁力传动技术 、 硅片机器人轨迹规划与控制技术 、 校准技术以及夹持技术 ,对硅片机器人传输系统的关键技术进行了探讨 .关键词 集成电路 ; 硅片

简介：櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶DOI 10． 13290/j ． cnki ． bdtjs ． 2017． 12． 008918 半导体技术第 42 卷第 12 期 2017 年 12 月基金项目 国家科技重大专项资助项目 （ 2008ZX02401）E- mail wangyongtaogritek ． com抛光工艺对硅片表面 Haze 值的影响王永涛 ， 赵而敬 ， 尚锐刚 ， 李明飞 ， 鲁进军 ， 张建 ， 蔡丽艳（ 有研半导体材料有限公司 ， 北京 100088）摘要 随着超大规模集成电路的快速发展 ， 硅片表面的 Haze 值对于