1 直拉硅单晶工艺学 前 言 本教材是通过多年的实践经验和一定的教学经验编写而成。 编写过程中力求教材通俗易 懂,联系生产实际。由于编者水平有限,错误 之处在所难免,请读者批评指正,编者深表感 谢。 绪论 硅单晶是一种半导体材料。 直拉单晶硅工艺学是研究用直...
下载价格:8 金币 / 发布人: 锋哥 / 发布时间:2021-11-24 / 308人气
保利协鑫能源控股有限公司 GCL-Poly Energy Holdings Limited 铸锭技术的新应用时代-铸锭硅单晶 万跃鹏博士,保利协鑫首席技术官 2019-03-08,苏州 高效多晶 High efficiency mc-Si 铸锭单晶 Casting mono-Si 直拉单晶 Cz m
下载价格:5 金币 / 发布人: 光伏小萝莉 / 发布时间:2021-01-05 / 281人气
西安理工大学 晶体生长设备及系统集成国家地方联合 工程研究中心学院 刘丁 黄伟超 基于 CFD 与智能优化的直拉硅 单晶生长工艺参数研究 14th China SoG Silicon and PV Power Conference 2 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心 晶体生长设备及系
下载价格:5 金币 / 发布人: 光伏小萝莉 / 发布时间:2020-12-14 / 224人气
点击查看更多“SJ-263-2572+太阳能电池用硅单晶棒、片”精彩内容。
下载价格:5 金币 / 发布人: 光伏小萝莉 / 发布时间:2020-03-20 / 317人气
12英寸光伏级硅单晶的实现与展望 中环M12产品发布 汇报人高润飞2019年8月16日 一期项目 三期项目 四期项目二期项目 五期项目2009.3-2010.8 2010.10-2012.10 2013.09-2015.12 2016.6-2018.12 2019-010 2030405060 2
下载价格:5 金币 / 发布人: 中环发布会 / 发布时间:2019-08-19 / 538人气
10 申请公布号 CN 102560646 A43 申请公布日 2012.07.11CN102560646A*CN102560646A*21 申请号 201210073988.522 申请日 2012.03.20C30B 29/06 2006.01C30B 11/00 2006.0171 申请人 浙
下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-24 / 259人气
点击查看更多“高效薄膜硅单晶硅太阳能电池”精彩内容。
下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-24 / 205人气
分类号 ____________ 密 级 ______________ UDC ____________ 编 号 ______________ 中国科学院研究生院博士学位论文论文题目 非晶硅 /单晶硅异质结太阳电池的研究学 号 _________________________ 作 者 ______
下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-24 / 261人气
点击查看更多“GBT26071-2010太阳能电池用硅单晶切割片”精彩内容。
下载价格:5 金币 / 发布人: 侯先生(工作号) / 发布时间:2018-08-21 / 231人气
点击查看更多“GBT25076-2010太阳电池用硅单晶”精彩内容。
下载价格:5 金币 / 发布人: 侯先生(工作号) / 发布时间:2018-08-21 / 193人气
点击查看更多“GBT13389-2014掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程”精彩内容。
下载价格:5 金币 / 发布人: 侯先生(工作号) / 发布时间:2018-08-21 / 369人气
1第一章 硅单晶生长和硅片准备 硅 Si 材 料 现 在 是 电 子 工 业 中 最 重 要 的 半 导 体 材 料, 因 此 VLSI 技 术 几 乎 完 全 以 硅 材 料 为 基 础。 “ silicon“ 这 名 称 来 源 于 拉 丁 语 “ silex“ 或 “ silicis “,意
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 209人气
硅单晶与硅片基础培训 2硅单晶的导电性能 1 物质的导电性 2 半导体的主要特性 3 半导体的导电性能浅释 4 PN 结 5 硅单晶导电类型1 物质的导电性电阻率标志物质对电流阻碍能力的物理量。规定以长 1cm,截面积为 1cm2 的物体在一定温度下的电阻值作为该物质在这个温度...
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 338人气
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 284人气
集成电路特征线宽的不断减小对直拉 CZ 单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下 ,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商 美国的 MEMC 公司近年来提出的基于快速热处理 RTP的内吸杂工艺 ,是一个有里程碑意义的突破...
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 459人气
点击查看更多“第二章硅单晶片制备,工艺环境及试剂”精彩内容。
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-17 / 307人气