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  • 直拉硅单晶工艺学135

    直拉硅单晶工艺学 直拉硅单晶工艺学 (135页)

    1 直拉硅单晶工艺学 前 言 本教材是通过多年的实践经验和一定的教学经验编写而成。 编写过程中力求教材通俗易 懂,联系生产实际。由于编者水平有限,错误 之处在所难免,请读者批评指正,编者深表感 谢。 绪论 硅单晶是一种半导体材料。 直拉单晶硅工艺学是研究用直...

    下载价格:8 金币 / 发布人: 锋哥 / 发布时间:2021-11-24 / 308人气

  • 基于CFD与智能优化的直拉硅单晶生长工艺参数研究-刘丁29

    基于CFD与智能优化的直拉硅单晶生长工艺参数研究-刘丁 基于CFD与智能优化的直拉硅单晶生长工艺参数研究-刘丁 (29页)

    西安理工大学 晶体生长设备及系统集成国家地方联合 工程研究中心学院 刘丁 黄伟超 基于 CFD 与智能优化的直拉硅 单晶生长工艺参数研究 14th China SoG Silicon and PV Power Conference 2 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心 晶体生长设备及系

    下载价格:5 金币 / 发布人: 光伏小萝莉 / 发布时间:2020-12-14 / 224人气

  • 直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究4

    直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究 直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究 (4页)

    ARIS SINICA Vol125 , No15Oct1 , 2004收稿日期 2003205216基金项目 河北省自然基金资助项目 编号 501019文章编号 025420096 2004 0520629204直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究任丙...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 305人气

  • 快速热处理对直拉硅单晶氧沉淀和内吸杂的影响2

    快速热处理对直拉硅单晶氧沉淀和内吸杂的影响 快速热处理对直拉硅单晶氧沉淀和内吸杂的影响 (2页)

    集成电路特征线宽的不断减小对直拉 CZ 单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下 ,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商 美国的 MEMC 公司近年来提出的基于快速热处理 RTP的内吸杂工艺 ,是一个有里程碑意义的突破...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 458人气

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