绍兴拓邦电子科技有限公司 技术创新 客户合作 拓邦科技版权所有 张震华 博士 14th CSPV 西安 2018-11-09 绍兴拓邦电子科技有限公司拓邦科技版权所有 2 背景介绍 碱刻蚀工艺介绍 碱刻蚀工艺结果 绍兴拓邦电子科技有限公司 降本提效是光伏发展的始终主旋律 拓邦科技版...
下载价格:5 金币 / 发布人: 光伏小萝莉 / 发布时间:2020-11-10 / 320人气
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等离子体刻蚀 邵爱军邵爱军 1 什么是等离子体 随着温度的升高,一般物质依次表现为固 体、液体和气体。它们统称为物质的三态 。 当气体的温度进一步升高时,其中许多, 甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰 撞而离解为电子和正离子。这时物质将进 入一种新的状态...
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化学刻蚀制备黑硅材料的研究现状及展望 *李学 铭 1 , 2 , 廖承菌 1 , 2 , 唐利 斌 3 , 杨 培 志 1 , 2( 1 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 , 昆明 6 5 0 0 9 2 ; 2 云南师范大学太阳能研究所 , 昆明 6 5 0 ...
下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-24 / 316人气
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第 45 卷 第 2 期 人 工 晶 体 学 报 Vol . 45 No. 22016 年 2 月 JOUR NAL OF SYNTHETIC CR YSTALS February, 2016清洗工艺对金属辅助刻蚀制备黑硅及其光伏器件的影响罗旌旺 1, 蒲 天 1, 2, 吴 兢 1, 芮春保 1,
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云南师范大学学报 ( 自然科学版 )2 0 1 4 年 9 月 - 3 4 卷 5 期 ( V o l . 3 4 N o . 5 )J o u r n a l o f Y u n n a n N o r m a l U n i v e r s i t yD O I 1 0 . 7 6 9 9 /
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16 刻蚀通过在硅片上制作电子器件,然后淀积介质层和导电材料把器件连接起来,可以把硅片制成许多有功能的微芯片。这是半导体制造早期使用的硅片制造平面工艺的概念。一般来说,互连材料淀积在硅片表面,然后有选择地去除它,就形成了由光刻技术定义的电路图形。这一...
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-22 / 419人气
用湿法刻蚀的方法在硅片上做连续 V型槽图 l 硅片 v型槽示意图图中 V 型槽的两个斜面为 111晶面, 底面为 100晶面。 由晶体结构学原理可以知道, 111晶面与 100 晶面的夹角为 54. 74°。在( 100)硅片上,沿着( 110)方向腐蚀时可以暴露出倾角为54.74°的( 111)面
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标准 RCA清洗操作流程 Standard RCA cleaning operating procedure化学溶剂 溶剂配比 清洗温度 时间1 H2SO4H2O2 SPM 41 120℃ 5 min2 D.I. H 2O 室温3 HFH 2O DHF 150 室温 1 min4 D.I. H 2O
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利用湿法刻蚀在硅片加工出 V 形槽条纹1 刻蚀原理硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 , 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 , 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向异性腐蚀是指硅的不...
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