集成电路工艺思考题

思考题将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序？切片可决定晶片的哪四个参数？硅单晶片研磨后为何要清洗？硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些？对这些形态按何种顺序进行清洗？硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀？腐蚀方法有哪些？CMP 包括哪 2 个动力学过程？控制参数有哪些？集成电路制造过程中常用的 1 号、 2 号、 3 号清洗液组成是什么？各有什么用途？硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向， 通常偏离 （ 100） 或 （ 111） 等晶向一个小角度，为什么？外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响？异质外延对衬底和外延层有什么要求？比较分子束外延 (MBE)生长硅与气相外延（ VPE）生长硅的优缺点SiO2 按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的 SiO2属那一类？在 SiO2中何谓桥键氧？何谓非桥键氧？，对 SiO2密度有何影响？二氧化硅层的主要作用有哪些？二氧化硅网络中按杂质在网络中所处位置不同可分为哪几类？热氧化方法有哪几种？各有何优缺点？影响氧化速率的因素有哪些？影响 SiO2 热氧化层电性的电荷来源主要有哪些种类？这些电荷对器件有何危害？降低这些电荷浓度的措施有哪些？为何热氧化时要控制钠离子的含量？降低钠离子污染的措施有哪些？掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用？由热氧化机理解释干、湿氧氧化速率相差很大这一现象的原因？薄层工艺（ 10nm 以下氧化层）过程中应注意哪些要求？现采用的工艺有哪些？氧化层膜厚的测定方法有哪些？热氧化时常见的缺陷有哪些？产生的原因有哪些？什么是掺杂？热扩散的机制有哪些？扩散源有哪些存在形态？实际生产中为何采用二步扩散？预扩与主扩的杂质浓度分布各有何特点？叙述氧化增强扩散及发射区推进效应及其产生的机理？与预扩散相比，为什么 B 再扩后表面电阻变大而 P 再扩后表面电阻会变小？与热扩散相比，离子注入有哪些优点？什么是沟道效应？如何降低沟道效应？什么是离子注入损伤？损伤类型有哪些？离子注入掺杂后为何要进行退火？其作用是什么？离子注入设备的主要部件有哪些？离子注入工艺技术中须控制的工艺参数及设备参数有哪些？等离子体是如何产生的？ PECVD是如何利用等离子体的？SiO2 作为保护膜时为什么需要采用低温工艺 ?目前低温 SiO2 工艺有哪些方法 ?它们降低制备温度的原理是什么？比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。磁控溅射主要有哪几种？特点是什么？如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击， 你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上 ? 以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时， 若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？什么是气缺现象？如何解决气缺现象？什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？IC制造中对光刻技术的基本要求有哪些？光刻工艺包括哪些工序？什么是分辨率、对比度、光敏度？影响显影的主要因素有哪些？在光刻技术中为何显影后必须进行检查？检查的内容有哪些？什么是正光刻胶？什么是负光刻胶？其组成是什么？光刻胶的作用是什么？常见的曝光光源有哪些？常见的光刻对准曝光设备有哪些？光刻工艺条件包括哪些方面？什么是驻波效应？如何减少驻波效应？影响线宽控制的因素有哪些？什么是湿法刻蚀？什么是干法刻蚀？各有何优缺点？常见的干法刻蚀方法有哪些？各有何优缺点？光刻技术中的常见问题有那些？光刻工艺对掩模版有那些质量要求？简述集成电路的常规掩模版制备的工艺流程。光学分辨率增强技术主要包括那些？简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。理想的刻蚀工艺应具有哪些特点？影响刻蚀工艺的因素有那些？集成电路对金属化材料特性的要求有哪些？金属铝膜的制备方法有哪些？金属在集成电路中的作用有哪些？什么是 Al/Si 接触中的尖楔现象？如何解决尖楔现象？什么是电迁移现象？如何提高引线的抗电迁移能力？什么是低 K 材料？与 Al 布线相比， Cu布线有何优点？叙述 Cu 布线的工艺流程？