高效异质结产业化发展及前景展望（报告人-徐昕-中智（泰兴）电力科技有限公司）_

中智（泰 兴）电 力 科技有限 公司 China Intellectual Electric Power Technology (Taixing) Co., Ltd 高效异质结产业化发展及前景展望 中智（泰兴）电力科技有限公司 CONTENTS 01 异质结技术特点及优势 02 中智公司简介 03 公司历程及运营状况 04 中智异质结产品特点 05 公司下一步发展规划 06 技术路线及前景展望  异质结产品的优势：(1)高转换效率；(2)高双面性；(3)无衰减(无PID，无LID问题)；(4)低温度系数；(5)工艺流程简单；(6)低温 制程节约能耗；(7)双面电池适用薄硅片；(8)弱光响应好；(9)组件工作温度低；(10)背面增益10%~40%；(11)产品应用范围广； (12)寿命周期长；(13)低度电成本，适用于大规模量产制造，在效率提升和成本下降方面有较大提升改善空间。 异质结技术特点及优势 Ag Fingers i-layer n-type c-Si p-layer TCO Ag Fingers i-layer n-layer TCO 100 nm 9 nm 9 nm 9 nm 9 nm 80 nm a-Si/c-Si Heterojunction 38 µm 20 µm V oc 735 mV Bificial Cell HJT 常规单晶 常规多晶 单晶Perc 黑硅多晶Perc N-pert IBC 量产效率 23% 20.50% 18.70% 21.80% 20.80% 21.7% 23% 双面率 95% 0 0 60% 60% 80% 0 LID 0% 1%/年 1%/年 1%/年 1%/年 0% 0% LETID 无 有 有 有 有 有 有 温度系数 -0.25% -0.42% -0.45% -0.37% -0.39% -0.35% -0.35% 工艺步骤 4 6 6 8 8 12 20 弱光响应 高 低 低 低 低 高 高 成本 高 低 低 中 中 高 极高 异质结技术特点及优势 异质结电池：LETID测试 测试条件1000W/m 2 光照+75℃  在标准光照和75℃加热 条件下电池效率会逐步 上升并在10小时左右达 至稳定状态  经LETID测试电池未见 衰减反而上升0.1%左右 中智公司简介 中智公司以彭德香董事长为代表的技术团队，长期跟踪 研发先进的异质结太阳电池技术，并在国家部委相关部 门的全力支持推动下，与江苏省泰兴市高新区合作，共 同投资建设了 160 兆瓦两条异质结太阳电池的生产线， 是目前国内最快、产能最大、成本最低的高效异质结太 阳电池项目。 中智公司已联合核心设备供应商、原材料供应商，共同 推动异质结电池的规模化生产，进一步把设备和材料进行国产化合作，以进一步降低成本。 中智泰兴公司将发展成为国内规模最大、量产效率最高、制造成本最低的异质结电池生产基地。 泰州和泰兴市政府已决定将中智泰兴公司作为重大产业化项目推进，打造泰州市新能源高新技术产业基地，并已决定投资 5200 多 万元开始建设中试实验基地。 公司重要历程 2017/08/25 公司通过 ISO9001 2016/03/01 奠基 2017/08/04 电池效率突破 22.00% 2017/07/29 电池效率达到 21.00% 2017/07/08 第一片电池，效率 20.60% 2017/02/17 第一台机台搬入工厂 2016/03/18 破土动工 2017/03/24 动力房供电 2018/03/16 公司二期正式启动 2017/12/16 高峰论坛，获组件产品测试认证 HJT双面电池 中智HJT双面 电池转换效率 Eta(%) Voc(V) Isc(A) FF(%) 22.8% 0.735 9.366 80.89 23.4% 0.744 9.392 81.82 量产平均效率＞22.8% 最高电池效率＞23.4% 01 高转换效率 95%双面性 中智异质结电池效率提升  异质结电池量产平均效率大于22.8%  产线整体良率大于97%  效率提升↑ 0.25%/月 20.0% 20.5% 21.0% 21.5% 22.0% 22.5% 23.0% Jun-17 Aug-17 Sep-17 Nov-17 Dec-17 Feb-18 Apr-18 May-18HJT双面组件 ★ 中智双玻组件，CTML~2.5%， 60片组件正面平均功率325W， 综合功率平均360W。 正面 背面 EL图片 IV曲线 60片HJT双面双玻组件——335W“技术领跑者”满分组件 高转换效率 • 电池转换效率：23.2% • 组件型号：CIE-H5C1-WG60-DA2 • 组件正面功率：335W（0-5W） • 组件综合功率：365W • 组件尺寸：1662mm*990mm*5mm 高使用寿命 • 电池无LID、无PID • 双玻组件 • POE封装 高发电增益 • 发电增益10%-40%： • 双面发电 • 低温度系数-0.27%/K • 高弱光响应 • 智能接线盒，优化功率 超跑满分 更低LCOE HJT双面电池：工艺流程 CVD （化学气相沉积） 化学气相沉积指把含有构成薄膜元 素的气态反应剂或液态反应剂的蒸 气及反应所需其它气体引入反应室， 在衬底表面发生化学反应生成薄膜 的过程。 PVD（物理气相沉积） 物理气相沉积，是指在真空条件下， 用物理的方法使材料沉积在基体上 的薄膜制备技术。 丝网印刷 制绒清洗 CVD 丝网印刷 制绒清洗 PVD 将特定晶向的单晶硅片放入碱溶液中 腐蚀，即可在硅片表面产生出许多细 小的金字塔状外观。 在硅片的正面和背面制造非常精细的 电路，将光生电子导出电池。 02 工艺流程短 制程温度低 HJT双面电池：硅片基底研究 90μm Thickness HJT cell 03 双面对称结构 硅片薄片化 不同厚度HJT电池量产数据 HJT双面组件：发电增益，中智实测电站数据对比 中智HJT双面组件相比常规单晶 组件多发电 ↑29-33% 0 10 20 30 40 50 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 2018年6月 0 10 20 30 40 50 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 2018年7月 33.4% 32.6% 0 10 20 30 40 50 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 2018年5月 常规单晶组件 HJT双面组件 04 背面发电量 增益 29.4% HJT双面组件：弱光响应好 由于N型基体材料高的少子寿命，N型晶硅组件在弱光下表现出比 常规P型晶硅组件更优异的发电特性。 05 弱光响应好 阴雨 多云 晴 发电增益 35.55% 32.05% 30.26% 25.00% 30.00% 35.00% 40.00% 发电增益 公司发展规划 项目名称：中智泰兴高效异质结太阳电池 产业化项目 主要产品：高效异质结太阳电池及组件 一期规划规模：年产高效异质结太阳电池 组件 1GW 建设地点：江苏省泰兴环保科技产业园 （泰兴城东高新区）科创路88号 一期总用地面积：250亩 首期期厂房建筑面积：32000 m 2 +辅助厂 房 11280m 2 注册资金：5亿元人民币 产能规划：首期建设2条电池线，年产能 160MW电池，于2017年7月投产；2018 年四季度再投8条电池线，电池总产能达 1GW，另规划500MW组件生产线。 装备制造企业 整线自动化 中智（泰兴）电力科技有限公司 先进产品制造 电站开发运营企业 绿色清洁能源供应 材料制造企业 先进材料生产 中国新能源工业研究院 技术研发 技术服务企业 交钥匙项目 中智能源产业发展有限公司 中智产业发展基金 中智产业链规划 创新、诚信、精心、聚融 技术路线 技术路线图（2018-2020） 22.0 22.5 23.0 23.5 24.0 25.0 Technology Roadmap (%/Eff) 产线初始工艺调试 产线工艺优化 新型TCO开发 新型银浆开发 MBB导入 新型钝化技术开发 新型电池器件结构 2017Q3 2017Q4 2018Q2 2018Q4 2019年 2020年 • 厂房投入/Capex  工艺步骤短，设备少，厂房空间小 • 设备投入/Capex  目前进口设备价格高，国产化成本下降显著  折旧对成本影响小，对一次性投资影响大 折旧 • 效率  效率更高，提升空间更大 • 良率  工序流程简单  投入产出周期短  异常响应速度快  良率易控制 产品 成本对比：异质结 Vs PERC / PERT 成本分析  电 ：低温工艺，低能耗  水 ：设备少，用量低  气 ：设备少，用量低  废弃物 ：全套无氮工艺， 无需生化池，废水量少， 更环保  人力 ：工序少，人力少  其他 ：无特殊需求  无差异，无特殊需求  MBB，半片，叠瓦， MWT，无主栅，叠层等 新技术均具可兼容性 材料 动力 人工 组件  硅片：薄硅片，成本低  银浆/网版 ：无差异，兼容性  靶材 ：可国产化，新型材料  化学品：显著节约  特气：显著节约  其他 ：无特殊需求 成本对比：异质结 Vs PERC / PERT 成本分析 成本分析 成本对比：异质结 Vs PERC / PERT 规模效应 中智（泰兴）电力科技有限公司 地址：江苏省泰兴市科创路88号 电话： 传真：