几种商业化的高效晶体硅太阳能电池技术

高效晶体硅太阳能电池技术 摘要 ： 晶体硅太阳能电池是目前应用技术最成熟、市场占有率最高的太阳能电池。本文在 解释常规太阳能电池能量损失机理的基础上， 介绍了可应用于商业化生产的高效晶体硅太阳 能电池技术及其工艺流程，并对每种电池技术的优、缺点及工艺难度进行了评价。 关键词 ： 晶体硅电池；高效电池；商业化 1 引言 能源是一个国家经济和社会发展的基础 . 目前广泛使用的石油、 天然气、 煤炭等化石能 源面临着严峻的挑战 . 2005 年 2 月我国通过了《中华人民共和国可再生能源法》 , 从立法角 度推进可再生能源的开发和利用 , 这是解决我国能源与环境、实现可持续发展的重要战略决 策。 不论从资源的数量、 分布的普遍性 , 还是从清洁性、 技术的可靠成熟性来说 , 太阳能在可 再生能源中都具有更大的优越性 , 光伏发电已成为可再生能源利用的首要方式。而晶硅太阳 电池一直占据着光伏市场的最大份额 . 与其它的可再生能源一样 , 目前要使之从补充能源过 渡到替代能源 , 太阳电池光伏发电推广的最大制约因素仍然是发电成本。围绕着降低生产成 本的目标 , 以高效电池获取更多的能量来代替低效电池一直是科学研究的的热门 [1] . 近年来 高效单晶硅太阳能电池研究已取得巨大成就，在美国、德国和日本 , 高效太阳能电池研究正 如火如荼，特别是美国，商品化高效电池的转换效率已超过 20%。 . 2 硅太阳能电池能量损失机理 目前研究成果表面， 影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面： ①光学 损失 . 包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失 , 其中反射 和阴影损失是可以通过技术措施减小的 , 而长波非吸收损失与半导体性质有关； ②电学损失 . 它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属 - 半导体 接触 （欧姆接触） 电阻损失 . 相对而言 , 欧姆损失在技术上比较容易降低 , 其中最关键的是降 低光生载流子的复合 , 它直接影响太阳电池的开路电压。而提高电池效率的关键之一就是提 高开路电压 Voc。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入了大量的复合 中心。 此外 , 当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时 , 背表面的复合速 度 Sb 对太阳电池特性的影响也很明显。 而从商业太阳电池来看 , 为了降低太阳电池的成本和 提高效率 , 现在生产厂家也在不断地减小硅片的厚度 , 以降低原材料的价格 . 因此必须有减少 前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施 . 3 高效晶体硅太阳能电池技术 3.1 背接触电池 IBC/MWT/EWT （ 1） IBC 电池（ PCC 电池） 背接触电池是由 Sunpower 公司开发的高效电池，其特点是正面无栅状电极，正负极交 叉排列在背面，量产效率可达 19%～ 20%。 这种把正面金属栅线去掉的电池结构有很多优点 [2] ： （ 1）减少正面遮光损失，相当于增 加了有效半导体面积，有利于增加电池效率； （ 2） 有可能大大降低组件装配成本， 因为全部 外部接触均在单一表面上； （ 3） 从建造结构的观点看来提供了增值， 因为汇流条和焊线串接 存在引起的视觉不适被组件背面所替代。 由于光生载流子需要穿透整个电池被电池背表面的 pn 结所收集， 故 IBC 电池对硅片本 身的质量要求较高， 需采用载流子寿命较高（纯度较高） 的硅晶片材料，一般采用质量较高 的 n 型 FZ 单晶硅作为衬底材料。正面采用氧化硅或氧化硅 /氮化硅复合膜与 n+层结合作为 前表面电场 , 并形成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成 p+与 n+交错间隔的交叉式接 面， 并通过在氧化硅上开金属接触孔， 实现电极与发射区或基区的接触。 交叉排布的发射区 与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图 1[3] 。 图 1(a) IBC 电池基本结构图 图 1(b) IBC 电池基本结构图 这种背电极的设计实现了电池正面“零遮挡” ，增加了光的吸收和利用。但制作流程也 十分复杂，工艺中的难点包括 P＋ 扩散、金属电极下重扩散（丝印光阻）以及激光烧结等。 IBC 电池的工艺流程大致如下： 清洗→制绒→扩散（ n＋）→丝印刻蚀光阻→刻蚀 P 扩散区→扩散（ p＋）→减反射镀 膜→热氧化→丝印电极→烧结→激光烧结 （ 2） MWT 电池 如前所述， IBC 电池是在电池背面的 PN 结收集载流子，除此之外，还有一类背接触电 池是两面均可收集载流子，并可将电流由正面传导至背面。这类电池包括金属环绕穿通 （ MWT ）电池和发射极环绕穿通（ EWT ）电池。金属环绕穿通（ MWT ）电池和发射极环 绕穿通（ EWT ）电池技术，是基于激光表面和背面加工技术的新型太阳能电池技术。 MWT 技 术 是 荷 兰 规 模 最 大 的 太 阳 能 电 池 生 产 商 Solland Solar 开 发 的 用 于 其 Sunweb 电池的方法。即通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池再转移至电池背面。 这种将电池能量汇集到电池背面的方法使每块电池的输出效率提高了 2% ， 再经过处理并与 一个太阳能电池组件相连接，所得的输出效率甚至能提高 9%。 在金属环绕穿通（ MWT ）器件（如图 2 所示）中，较薄的金属接触 “ 手指 ” 被移到背面。 通过激光钻微型通孔，将上表面与下表面接触连接起来，一般 MMT 每块硅片需要钻约 200 个通孔。 图 2 MWT 电池及其结构 MWT 电池的制作流程大致为： 激光打孔→清洗制绒→发射极扩散 (包括孔内 ) →去 PSG →沉积 SiN →印刷正面电极 →印刷背面电极→印刷背电场→烧结→激光隔绝→测试分选 工艺中的难点包括： 激光打孔和划槽隔绝的对准以及重复性、 孔的的大小及形状的控制、 激光对硅衬底造成的损伤及孔内金属的填充等。 （ 3） EWT 电池 与 MWT 电池不同的是，在发射极环绕穿通（ EWT ）器件（如图 3 所示）中，传递功 率的栅线也被转移至背面，使得上表面完全没有金属。与 MWT 电池类似， EWT 电池也是 通过在电池上钻微型通孔来连接上、下表面。相比较于 MMT 的每块硅片钻约 200 个通孔， EWT 要求每块硅片上大约有 2 万个这种通孔，故激光钻孔成为唯一可满足商业规模速度的 工艺。 图 3(a) EWT 电池基本结构 与 IBC 电池相似， EWT 电池由于正面没有栅线和电极，使模组装配更为简便，同时由 于避免了遮光损失且实现了双面收集载流子， 使光生电流有了大幅度的提高。 但相对光生电 流而言， EWT 电池填充因子和光生电压仍需进一步提高。 用于工业化大面积（大于 10× 10cm2）硅片的 EWT 电池工艺多采用丝网印刷和激光技 术，并对硅片质量具有一定的要求，这为 EWT 电池工艺技术提出了诸多要求，比如无损伤 激光切割的实现、 丝网印刷对电极形状的限制、 孔内金属的填充深度以及发射极串联电阻的 优化（发射极串联电阻受硅片厚度、发射极体电阻和孔洞直径的影响）等。 EWT 电池的主要工艺流程如图 3(b)所示 [4] ： 图 3(b) EWT 电池主要工艺步骤 3.2 PERL 电池 PERL(Passivated Emitter , Rear Locally-Diffused) 电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能 电池的简称。 设计是在 PERC 电池的基础上， 在电池背面增加定域掺杂， 即在电极与衬底的 接触孔处进行定域掺杂。 1990 年，新南威尔士大学的 J.Zhao 在 PERC 电池结构和工艺基础 上， 在电池背面的接触孔处采用了 BBr3 定域扩散制备出 PERL 电池，结构如图 4 所示。 这种电池背面接触孔处的薄层电阻可降到 20 Ω /□以下。孔间距离也由 2 mm 缩短为 250 μ m， 大大减少了横向电阻。 如此， 在 0.5 Ω cm 和 2 Ω cm 的 p 型硅片上制作的 4 cm2 的 PERL 电池，效率可达 23-24％，比采用同样硅片制作的 PERC 电池性能有较大提高。 1993 年该课 题组又对 PERL 电池进行改善，使其效率提高到 24％， 1998 年再次提高到 24.4％， 2001 年 达到 24.7％，创造了世界最高记录。 图 4 PERL 电池基本结构 PERL 电池具有高效率的原因在于 [5] ： （ 1）双面钝化：电池正面和背面都覆盖着热生长 的 SiO2 层。 发射极的表面钝化， 一方面降低了表面态， 另一方面减少了前表面的少子复合。 而背面钝化的增加，使反向饱和电流密度 Jo 下降，同时光谱响应也得到较大的改善。 （ 2） 淡磷、 浓磷分区扩散： 在金属栅指电极下进行浓磷扩散， 可以满足栅指电极接触电阻小的要 求； 而在栅指之间大面积的受光区域内， 进行淡磷扩散， 只要调整好淡磷扩散的表面浓度及 结深，就能同时满足横向电阻功耗小，且短波响应好两方面的要求。 （ 3）背面进行定域、小 面积的硼扩散：如图 4 所示，背面电极采用了小面积的定域硼扩散 p+区，显然，这将减少 背电极的接触电阻， 又给 PERL 电池增加了硼背面场， 蒸铝的背电极本身又是一个很好的背 反射器，从而进一步提高了电池的光电转换效率。 （ 4）电池正面采用“倒金字塔”结构：这 种“倒金字塔” 结构受光效果优于绒面结构及微槽结构， 具有很低的反射率，从而提高了电 池的 Jsc。 目前这种电池技术是制造实验室高效太阳能电池的主要技术之一。 但是， 这种电池的制造 过程相当烦琐， 其中涉及到好几道光刻工艺， 所以不是一个低成本的生产工艺， 很难将且应 用于大规模工业生产。 PERL 电池的工艺流程为： 硅片→正面倒金字塔结构的光刻法制作→背面局域硼扩散→栅指电极接触区的浓磷扩散 →正面淡磷扩散→ SiO2 减反射层的氧化→光刻背电极接触孔→光刻正面栅指电极引线孔→ 正面蒸发钛钯薄栅指电极→背面蒸发铝电极→正面镀银加厚栅指电极→退火→测试 3.3 HIT 电池 1997 年，日本三洋公司（ Sanyo）推出了一种商业化的高效太阳能电池设计和制造方法， 如图 5 所示 [6] 。 该电池以 n-型晶体硅材料为基底材料， 并在两侧沉淀本征层 i-和 p-及 n-型非 晶硅薄膜，形成 n-型硅和非晶硅异质结结构（ HIT ）太阳电池。非晶硅（ a-Si:H）材料的带 宽在 1.7eV 左右， 远大于晶体硅 1.1eV 的带宽， 因此此种 HIT 电池结构对于电池表面有很好 的钝化作用。 由于非晶硅几乎没有横向导电性能， 因此必须在硅表面淀积一层大面积的透明 导电膜（ TCO）以有效地收集电池的电流。 2003 年时，这种电池的量产销率达到了 19.5%。 2009 年 5 月，据宣称其单元转换效率已经达到 23%。 一般制造这种电池的工艺温度不超过 300℃。如果温度高于 400℃，氢原子很容易从非 晶硅材料内逸出，从而降低非晶硅材料的质量，影响电池的转换效率。另外，由于 TCO 层 和非晶硅发射层的本征吸收， 还可能影响电池的蓝光响应。 此外， 由于涉及到复杂的真空系 统，制造工艺也相对复杂。 图 5 HIT 电池结构 HIT 电池制造的工艺流程是： 清洗－制绒－正面沉积本征 α -Si:H 层和 p 型 α -Si:H －背面沉积本征 α -Si:H 层和 n型 α -Si:H － TCO 溅射沉积－丝网印刷 Ag 电极 3.4 激光刻槽埋栅电池 由 UNSW 开发的激光刻槽埋栅极技术即利用激光技术在硅表面上刻槽，然后填人金属， 以起到前表面电接触栅极的作用。图 6 显示了激光刻槽埋栅电池的结构 [7] 。 图 6 激光刻槽埋栅电池结构 发射结扩散后，用激光在前面刻出 20μ m 宽、 40μ m 深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩 散。然后在槽内镀出金属电极。 电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积，使电池效率达 到 19． 6％。与传统工艺的前表面镀敷金属层相比，激光刻槽埋栅电池所具有的优点是：栅 电极遮光率小、 电流密度高； 埋栅电极深入到硅衬底内部可增加对基区光生电子的收集； 浓 磷扩散降低了浓磷区电阻功耗和栅指电极与衬底的接触电阻功耗， 提高了电池的开路电压等 几个方面。 刻槽埋栅电池既保留了高效电池的特点，又省去了高效电池制作中一些复杂工艺，很适 合利用低成本、 大面积的硅片进行大规模生产。 目前这一技术已转让给好几家世界上规模较 大的太阳能电池生产厂家如英国的 BP SOLAR 和美国的 SOLAREX 等 ， 激光刻槽埋栅电池的大致工艺流程为： 清洗、腐蚀制绒面 → 清洗 → 淡磷扩散 → 热氧化钝化 → 开槽 → 槽区腐蚀 → 清洗 → 槽区浓磷扩散 → 背面蒸铝 → 烧制背场 → 化学镀埋栅 → 制作背面电极 → 蒸镀减 反射膜 → 去边烧结 → 测试 3.5 OECO 电池 （ 1）标准 OECO 电池 OECO(Obliquely evaporated contact) 太阳电池是德国 ISFH 研究所从九十年代就开始研 制的一种新型单晶硅电池。 与当前一些研究机构利用复杂技术制作的高效电池相比， 具有结 构设计新颖、制作简单、电极原料无损耗、成本低廉和适合大批量生产等优点。 OECO 电池结构基于金属－绝缘体－半导体（ MIS ）接触，利用表面沟槽形貌的遮掩在 极薄的氧化隧道层上倾斜蒸镀低成本的 Al 作为电极，无需光刻、电极烧穿、电极下重掺杂 和高温工艺即可形成高质量的接触， 并且一次性可蒸镀大批量的电池电极。 更为重要的是当 这种电池制作面积从 4 cm2 扩大到 100 cm2 时，效率也只是从 21.1％略微降到 20％，仍然属 于高效范围，所以这种结构的电池更适宜于工艺生产。 OECO 结构如图 7(a)所示， 电池的表面由许多排列整齐的方形沟槽组成 （这种沟槽可由 划槽工具的不同而有半圆形或三角形等形状） ， 浅发射极 n+位于硅片的上表面， 在其上有一 极薄的氧化隧道层， Al 电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面， 然后利用 PECVD 蒸镀氮化硅作为钝化 层和减反射膜 图 7(a) OECO 电池结构 OECO 电池具有高效性的原因包括： 几乎是无遮挡的表面。 由于电极是蒸镀在沟槽的侧 面，对光线的遮挡率极小，有利于提高短路电流；优异的 MIS 结构设计。电极与发射极不 是直接接触， 电池表面完全被钝化， 所以载流子复合很小， 可以获得很高的开路电压和填充 因子以及高质量的蒸镀电极接触（丝网印刷电极方式严格限制了电池效率的进一步提高） 。 OECO 电池同时也是一种成本很低的电池， 这是因为： （ 1） 采用特殊的磨具可以使开槽 工艺成本大为降低； （ 2）使用便宜的金属 Al 代替昂贵的 Ag 作前表面电极； （ 3）制作前表 面电极无需掩膜并且蒸镀金属几乎无损失； （ 4）无需光刻和其它高温工艺； （ 5）利用倾斜方 式可以一次性蒸镀大批量电池； （ 6）适合于大面积和薄的硅片制作电池。 OECO 电池的制作工艺流程为： 前表面机械开槽 → 化学腐蚀 → 化学清洗 → 背面掩膜（扩散） → 前表面化学制 绒 → 使用液态源 POCl3 进行磷扩散制作 n+发射极 → 打开背面接触， 真空蒸镀 Al 作为背 电极 → 前表面低温热氧化形成氧化隧道层 → 前表面无需掩膜直接倾斜蒸镀 Al 作为面电 极 → 使用导电胶将各个面电极连接起来 → 采用 PECVD 法在前表面蒸镀氮化硅作为钝化 和减反射层 （ 2）背接触双面 BACK OECO 电池 在 OECO 电池的基础上，德国 ISFH 研究所又开发出了 BACK OECO 电池，即将所有的 电极设计在电池的背光面上，如图 7(b)所示 [2] 。 图 7(b) BACK OECO 电池结构 与标准 OECO 电池的不同的是， BACK OECO 电池正表面采用 PECVD 整面镀制 SiNx 膜，实现了较好的钝化效果；而金属－绝缘体－半导体（ MIS ）接触线以波浪形分布在背表 面，波脊的一侧是 n 型接触线，另一侧是 p 型接触线。这样的设计使电池兼具有 OECO 和 背接触电池的优点， 而其非常突出的一个优点是该电池可以十分有效的利用在背面之间来回 反射的光， 故能显著的提高输出功率。 这种成本低廉的双面电池将十分有希望为光伏电池带 来突破性的经济效益。 4 小结 太阳能电池技术发展的终极目标是提高效率并降低成本。晶体硅太阳能电池以其优异的 应用特性和较高的转换效率， 已成为公认的并在未来相当长一段时期内都将占据主导地位的 太阳能电池技术。 目前， 我国对高效晶体硅太阳能电池基础理论仍需深化， 工业化研究更为欠缺。 本文介 绍了几种可应用于商业化生产的高效晶体硅太阳能电池技术， 并分别对其工艺技术特点及难 点进行了评价， 为国内实现高效电池技术工业化生产提供参考。 随着中国太阳能电池产业的 迅猛发展， 市场的强劲需求必将带动太阳能电池向着效率更高、 成本更低的方向发展， 而先 进的工业制造技术， 则无疑是这一清洁能源真正实现产业化生产、 走进千家万户的保障基础。 参考文献 [1] 杜樊立 , 付秋明 , 陈炳若。 高效单晶硅太阳电池的结构分析与设计 武汉大学学报 ( 理 学版 ) 第 51 卷第 S2 期 2005 年 12 月： 72-74 [2] David D. Smith Review of Back Contact Silicon Solar Cells for low-cost Application Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM [3] Rudolf Hezel Process in Manuafacturable High-Effciency Silicon Solar Cells [4] A. Sch? necker, H. H. C. de Moor, A. R. Burgers, A. W. Weeber, J. Hoornstra, W. C. Sinke P.-P. Michiels *, R. A. Steeman * An industrial multi-crystalline EWT solar cell with printed metallization [5] 史济群， M.Green 钝化发射极、背面定域扩散高效硅太阳电池 华中理工大学学报 第 22卷，第 9期， 1994年 9月 [6] H.Sakata, et al., Proc. 3rd World Conf. on Photov. Energy Conversion, WCPEC-3, Osaka, in press(2003). 43 [7] W. Wettling High efficiency silicon solar cells: State of the art and trends, Solar Energy Materials and Solar Cells 38(1995) :487-500 下午 13 ： 00 — 17 ： 00 度。全体员工都必须自觉遵守工作时间，实行不定时工作制的员工不必打卡。 3.1.2.2 打卡次数：一日两次，即早上上班打卡一次，下午下班打卡一次。 3.1.2.3 打卡时间：打卡时间为上班到岗时间和下班离岗时间； 3.1.2.4 因公外出不能打卡：因公外出不能打卡应填写《外勤登记表》 , 注明外出日期、事由、外勤起止时间。因公外出需事先申请，如因特殊情况不能事先申请，应在事毕到岗当日完成申请、 审批手续，否则按旷工处理。因停电、卡钟（工卡）故障未打卡的员工，上班前、下班后要及时到部门考勤员处填写《未打卡补签申请表》 ，由直接主管签字证明当日的出勤状况，报部门经理、 人力资源部批准后，月底由部门考勤员据此上报考勤。上述情况考勤由各部门或分公司和项目文员协助人力资源部进行管理。 3.1.2.5 手工考勤制度 3.1.2.6 手工考勤制申请：由于工作性质，员工无法正常打卡（如外围人员、出差） ，可由各部门提出人员名单，经主管副总批准后，报人力资源部审批备案。 3.1.2.7 参与手工考勤的员工，需由其主管部门的部门考勤员 ( 文员 ) 或部门指定人员进行考勤管理，并于每月 26 日前向人力资源部递交考勤报表。 3.1.2.8 参与手工考勤的员工如有请假情况发生，应遵守相关请、休假制度，如实填报相关表单。 3.1.2.9 外派员工在外派工作期间的考勤 ,需在外派公司打卡记录 ;如遇中途出差 , 持出差证明 , 出差期间的考勤在出差地所在公司打卡记录 ; 3.2 加班管理 3.2.1 定义 加班是指员工在节假日或公司规定的休息日仍照常工作的情况。 A．现场管理人员和劳务人员的加班应严格控制，各部门应按月工时标准，合理安排工作班次。部门经理要严格审批员工排班表，保证员工有效工时达到要求。凡是达到月工时标准的，应扣减 员工本人的存休或工资；对超出月工时标准的，应说明理由，报主管副总和人力资源部审批。 B．因员工月薪工资中的补贴已包括延时工作补贴，所以延时工作在 4小时（不含）以下的，不再另计加班工资。因工作需要，一般员工延时工作 4小时至 8小时可申报加班半天，超过 8小 时可申报加班 1天。对主管 ( 含 ) 以上管理人员，一般情况下延时工作不计加班，因特殊情况经总经理以上领导批准的延时工作，可按以上标准计加班。 3.2.2.2 员工加班应提前申请，事先填写《加班申请表》 ，因无法确定加班工时的，应在本次加班完成后 3 个工作日内补填《加班申请表》 。 《加班申请表》经部门经理同意，主管副总经理审核 报总经理批准后有效。 《加班申请表》必须事前当月内上报有效，如遇特殊情况，也必须在一周内上报至总经理批准。如未履行上述程序，视为乙方自愿加班。 3.2.2.3 员工加班，也应按规定打卡，没有打卡记录的加班，公司不予承认；有打卡记录但无公司总经理批准的加班，公司不予承认加班。 3.2.2.4 原则上，参加公司组织的各种培训、集体活动不计加班。 3.2.2.5 加班工资的补偿：员工在排班休息日的加班，可以以倒休形式安排补休。原则上，员工加班以倒休形式补休的，公司将根据工作需要统一安排在春节前后补休。加班可按 1 ： 1的比例冲 抵病、事假。 3.2.3 加班的申请、审批、确认流程 3.2.3.1 《加班申请表》在各部门文员处领取，加班统计周期为上月 26 日至本月 25 日。 3.2.3.2 员工加班也要按规定打卡，没有打卡记录的加班，公司不予承认。各部门的考勤员 ( 文员 )负责《加班申请表》的保管及加班申报。员工加班应提前申请，事先填写《加班申请表》加班 前到部门考勤员 ( 文员 ) 处领取《加班申请表》，《加班申请表》经项目管理中心或部门经理同意，主管副总审核，总经理签字批准后有效。填写并履行完审批手续后交由部门考勤员 ( 文员 ) 保 管。 3.2.3.3 部门考勤员（文员）负责检查、复核确认考勤记录的真实有效性并在每月 27日汇总交人力资源部，逾期未交的加班记录公司不予承认。 彼此都不追究， 相邀再次喝酒， 待葡萄成熟透， 愿你的友谊，地久天长。 越长大，越孤单，我们已渐渐失去了生活的乐趣，成年人的世界，肩上扛着的就是我们那些所谓的责任和义务，走过的每一步，已不管是什么样的色彩，没有谁会去可怜去同情，抓不住 的那些时光岁月，早已溜走，感慨，只是在生活的最后的结局去醒悟，却发现已毫无意义，定格的画面，或许已成为永恒。 孤单，并不是我们所谓的男女之事，也不仅仅是朋友之间友谊的冷落……孤单是我们现在的一种生活，我们越长大，就发现我们自己越孤单，生活越来越累，甚至有时会有毫无意义的想 法，却不知该如何去改变。生活，越累越迷茫，工作难找，友谊难经营，感情易破碎，幻想着的美好的事情，转眼或许就支离破碎，对生活，对自己，甚至对这个世界已充满了满眼的迷茫， 未来，越走越远，却越走越孤单。 成年后，不再有童年时的自由自在，我们时刻得为自己的所作所为去负责，每走一步，已牵动了更多人的关注，生活已不再完全属于自己，却不得不一步步负重前行。自在也好，抱怨也 罢，只能默默去承受，学会改变自己，学会去适应环境，努力成为生活的最强者，或许才能让自己多一点自由，少一些不那么的孤单。 渐渐的，朋友少了很多联络，同事多了一些竞争，生活掺了很多虚伪，也披上了不同的外衣……我们却无力去改变，成年后，我们都基本会有自己的家，所有的努力和拼搏，喊着的口号 就是为了家、为了小孩，不再是为了自己所谓的理想，梦，终究会被现实打败，残酷已不再是生活的体验，更像是生活的结局。越长大，越孤单，也越迷茫；以前喝酒或许就是因为兴致，现 在喝酒或许就是应了所谓的借酒浇愁。心不在原地，已无法再去寻找，丢失的色彩，已成一片空白。 自己的路，自己的选择，含着眼泪，跪着也得走下去，看不到结局，谁都不会心甘。没有谁的人生会完美，只有自己去不断努力，或许能找到一点属于自己的节奏，但绝不会是那种自己 想要的生活，只是自己未曾去发现。俗话说，有舍必有得，生活或许活的就是一种心态，失去也好，得到也罢，坦然接受或许会更加完美。我们计较着的那些所谓的得失，或许就是别人眼里 所不在乎的，安静的走自己的路，未来或许会多些更多的陪伴。 如果说时光可以倒流，我想我们很多人都会选择回到童年，但这个世界上最遗憾的就是没有如果，生活可以不断重复，但生命却只有一次，我想这或许就是我们所要去学会面对的事情， 越长大，越孤单，时间在流逝，时代在发展，所有的那些不快的心情和画面或许就是生活中偶尔的点缀，坦然就好。 夜已深，却无眠。生活需要我们去努力经营，在这个繁华的世界，成年人的生活却已变得越来越复杂，也越来越难以把握，是感慨时代的变化，还是对生活的无力，在这个不再那么纯真 的年代里，我们只有不断奔跑，才能赶上生活的脚步，或许我们亏欠的并不是自己，也不是家人，更不是朋友，而是所谓的生活。 明日复明日，明日何其多，放下自我，生活总有节奏，在你我的世界，慢慢去摸索，踏着不是那么清晰的足迹，远方，始终在那等待，而你我终将拥抱。 世界终将放下， 相约再次聚首， 待光阴成熟时， 愿你我的岁月，依然静好