基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计(20180814161309)

基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计作者： 张艳红 ， 张滢清 ， Zhang Yanhong， Zhang Yingqing作者单位： 华侨大学 ,信息学院 ,福建 ,泉州 ,362021刊名： 微纳电子技术英文刊名： MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY年，卷 (期 )： 2008,45(2)参考文献 (5条)1. YE X B. CHEN Z L Low voltage self-biasing reference circuits [外文会议 ] 20012. RAZAVI B Design of analog CMOS integrated circuits 20023. ALLEN P E CMOS analog integrated circuits design 19954. ALLEN P E. HOLBERG D RCMOS analog circuit design 20025. 毕查德·拉扎维 . 陈贵灿 . 程军 . 张瑞智 模拟 CMOS 集成电路设计 2003本文链接： http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wndzjs200802013.aspx