单晶125电池片检验标准

第 1 页 共 3 页质量管理体系支持性文件文件名称 单晶 125电池片检验标准文件编号 分发号版 次 修改状态受控状态 实施日期1、目的为了规范晶体硅太阳能电池组件用电池片的技术要求、检验方法和检验规则等。2、 适用范围本检验标准适用于光伏部晶体硅太阳能组件用电池片。3、职责3.1 技术部负责本检验标准的定稿、起草、编制和确认以及日后的修改、补充等工作。3.2 质检部负责按本检验标准的要求进行执行。4、标准要求和内容4.1 电池片尺寸电池片类型 边长 a (mm) 对角 h (mm) 同一批厚度 (ｕｍ )单晶 MM125 125.0± 0.5 165± 1.0 195± 354.2 电性能参数4.2.1 标准测试条件① AM=1.5 ② 光强 =1000W/㎡ ③ 温度 =25℃ ④ 测试方法： IEC 60904-1. 4.2.2 电性能参数参考表电池片型号标 称EFF 区间（ % ）最大工作电流Imp (A) 最大工作电压Vmp (V) 开路电压Voc (V) 短路电流Isc (A) 并联电阻Rsh (Ω ) 漏电流Irev2 (A) Eff （ %）功率（ W）MM125-23 17.7% 2.74 >17.7 5.254 0.523 0.626 5.615 ≥ 10 ≤ 3MM125-22 17.5% 2.71 17.5--17.7 5.240 0.520 0.623 5.604 MM125-21 17.3% 2.68 17.3--17.5 5.220 0.516 0.620 5.592 MM125-20 17.1% 2.65 17.1--17.3 5.180 0.513 0.619 5.573 MM125-19 16.9% 2.62 16.9--17.1 5.172 0.509 0.618 5.570 MM125-18 16.7% 2.59 16.7--16.9 5.153 0.505 0.616 5.565 MM125-17 16.5% 2.56 16.5--16.7 5.121 0.502 0.614 5.563 MM125-16 16.3% 2.52 16.3--16.5 5.091 0.499 0.612 5.560 MM125-15 16.0% 2.48 16.0--16.3 5.030 0.498 0.610 5.558 MM125-14 15.5% 2.40 15.5--16.0 4.911 0.493 0.608 5.554 MM125-13 15.0% 2.32 15.0--15.5 4.735 0.490 0.604 5.250 MM125-12 14.5% 2.25 14.5--15.0 4.640 0.485 0.601 5.151 MM125-11 14.0% 2.17 14.0--14.5 4.521 0.480 0.598 5.018 MM125-10 13.5% 2.09 13.5--14.0 4.373 0.478 0.595 4.855 第 2 页 共 3 页MM125-09 13.0% 2.01 13.0--13.5 4.277 0.470 0.590 4.752 MM125-08 12.5% 1.94 12.5--13.0 4.200 0.462 0.586 4.670 MM125-07 12.0% 1.86 12.0--12.5 4.088 0.455 0.582 4.578 MM125-06 11.5% 1.78 11.5--12.0 4.000 0.446 0.579 4.520 MM125-05 11.0% 1.70 11.0--11.5 3.864 0.440 0.575 4.510 MM125-04 10.5% 1.63 10.5--11.0 3.748 0.435 0.572 4.481 MM125-03 10.0% 1.55 10.0--10.5 3.605 0.430 0.570 4.326 MM125-02 09.5% 1.47 09.5--10.0 3.586 0.410 0.568 4.302 MM125-01 09.0% 1.39 09.0--09.5 3.250 0.400 0.565 4.002 注： * 测试条件符合 AM1.5 ，辐照强度 1000W/ ㎡ ,电池温度 25℃，测试方法符合 IEC60904-1 ，容许偏差 Efficiency ± 1% rel 。* 这些栏目的参数为生产数据的典型值，仅供参考。4.2.3 外观检验和接收标准编号 项 目 A 级 B 级 C 级1 正面色彩及其均 匀性 同一批次电池片的颜色应该一样 . 同批次允许轻微不明显色差 . 同一 批次允许 轻微色差。2 裂纹、 隐裂、 破片、穿孔片、 V 形缺口 不允许 轻微允许 0.3% 轻微允许 0.5% 3 崩边、缺角深度 2mm。无崩穿。4 翘曲度 ≤ 2.00mm。 ≤ 3.00mm。 3 ～ 3.5mm。5 色差 /色斑 /指印 /水痕 /脏污颜色均匀一致， 同一片电池片上因这些因素导致的色彩不均匀面积应 <2c㎡ （氮化硅沉积过程中硅片挂钩区域除外） ，一臂距离看不明显 . 超出 A 级， 2m 外看不到明；显色差 /色斑 /指印 /水痕/脏污超出 B 级6 线痕垂直细栅线的线痕长≤1cm,数量≤ 1 条；平行细栅线的线痕长≤3cm,数量≤ 1 条； 且 1m距离看不明显。垂直细栅线的线痕长≤2cm,数量≤ 2 条；平行细栅线的线痕长≤3cm,数量≤ 2 条； 2 米外看不明显。线痕 3 米外看不明显。7 电池片正面漏浆 单个面积≤ 0.5× 0.5mm, 数量≤ 3 处。 单个面积≤ 2m ㎡数量≤ 5 处。 总面积≤ 5C ㎡ .8 正面主栅线断线 /缺失不超过 2 m ㎡扭 曲 及 突 出 不 超 过0.2mm；无变色。断线 /缺失不超过 5 m㎡，扭曲及突出不超过0.5mm；无变色。断线 /缺失不超过 10 m ㎡及突出不超过1mm ； 允 许 轻 微 变色。第 3 页 共 3 页9 正面细栅线宽度 0.1～ 0.25 mm；断线 ≤ 1mm ， 总 数 量 ≤ 3 处， 同一条细栅线上不允许有连续 2 处断线；虚印 <总面积 5%，且断栅、漏浆一臂距离看不明显；被氧化的细栅≤ 2 条， 且1m 之外不明显。宽度 0.1～ 0.25 mm,断线 ≤ 2mm ； 断 线 ≤ 5 处， 虚印 <总面积 15%；被氧化的细栅线面积≤30%。宽度 0.1~0.25 mm，断线，虚印；总面积30% ； 且 断 线 ≤2mm， 且离主栅线≥2mm。10 印刷偏移平行偏移： 细栅线边界与硅片边缘距离 d 满足：1.25mm≤ d 窄≤ 1.5mm，1.5mm≤ d 宽≤ 1.75mm 旋转偏移 :细栅线边界距离硅片边缘的最近距离≥ 1.25mm。平行偏移：细栅线边界与硅片边缘距离 d 满足： 0.75mm ≤ d 窄 ≤1.25mm， 1.75mm≤ d 宽≤ 2.25mm；旋转偏移 :细栅线边界距离硅片边缘 的 最 近 距 离 ≥0.75mm。平行偏移： 细栅线四边界 与硅片边 缘距离 d 满足： 0.5mm≤ d窄 ≤ 0.75mm ，2.25mm ≤ d 宽 ≤2.5mm ； 旋转偏移 : 细栅 线四边界 与硅片 边 缘 距 离 d 满足： 0.5mm≤ d 且印刷图形完整。11 背电极断线 /缺失不超过背电极总面积的 5%；扭曲及突出不超过 0.5mm。断线 /缺失不超过背电极总面积的 10 %， 扭曲 及 突 出 不 超 过1mm。断线 /缺失不超过背电 极 总 面 积 的20 %， 扭曲及突出不超过 2mm。12 背电场背电场缺损： 单个点状网带印缺损面积≤ 4m ㎡ .总面积≤ 25m ㎡； 背电场无明显变色； 背电场到硅片 边 缘 距 离 d 满 足 ：0.5mm ≤ d 窄 ≤ 1mm ，1.5mm≤ d 宽≤ 2mm 。背电场缺损总面积≤ 1c㎡ ， 变 色 面 积 不超 过50%； 背电场到硅片边缘距离 d 满足：0.3mm≤ d 窄≤ 0.5mm，1.5mm≤ d 宽≤ 1.7mm . 背电 场缺损总 面积≤ 2c ㎡， 变色面积不超过 70%； 背电场到硅片边缘距离 d 满足： 0mm≤ d 窄≤0.5mm ， 1.5mm ≤ d宽≤ 2mm 。13 铝珠或铝疱 不允许存在尖锐性铝疱；非尖锐铝高度不超过 0.20mm，且总面积不超过4m ㎡ .注：该技术要求由工艺技术人员负责编制，同时，工艺技术部门根据行业的技术发展有权做相应的修改、补充，品质参考此技术要求。检验员检验按 一般检验 II 水平， AQL＝ 2.5编制 / 时间 审核 / 时间 审批 / 时间