第六章硅片制造中的沾污控制	2018-08-21
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	半导体硅片项目可行性研究报告	2018-08-21
	中国咨询领域创新引领者， 可研领域编写专家主要用途立项 批地 融资 环评 银行贷款1 专业编写半导体硅片项目可行性研究报告十三五规划核心提示 半导体硅片项目投资环境分析， 半导体硅片项目背景和发展概况， 半导体硅片项目建设的必要性， 半导体硅片行业竞争格局分析， 半导体硅片行业财务指标分析参考， 半导体硅片行业市场分析与建设规模， 半导体硅片项目建设条件与选址方案， 半导体硅片项目不确
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	单晶硅片制作工艺流程	2018-08-21
	单晶硅电磁片生产工艺流程 1、硅片切割，材料准备 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片） ，硅片的边长一般为 1015cm，厚度约200350um，电阻率约 1Ω .cm的 p 型（掺硼） 。 2、去除损伤层 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷， 这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这
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	超大规模集成电路用硅片产业化_刘浦锋	2018-08-21
	世界科学 ２０１３．６求 、 理想 ， 刘浦锋早有所闻 ，“ 陈猛最 打 动 人 的 是 他的理想 ， 他的理想就是在中国做自己的 8 英寸 、 12英寸的集成电路硅片 。 这种硅片是目前中国最欠缺的 ， 国家投入巨资在本领域进行产业化的研发 ， 但迄今为 止 仍 然 只 有 两 家 大 型 国 企 能 做 到 小 批 量 试样 ， 陈猛想改变这种现状 。 ”刘浦锋解释说 ， 目前中国需要的所有
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	第17章硅片测试	2018-08-21
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	单多晶硅片面积计算2011	2018-08-21
	多晶硅片面积多晶硅片形状是通过使用浇注法形成的正方体硅锭，经过切割倒角后形成。多晶硅片面积计算思路，即硅片原始的正方形面积减去四边等腰直角三角形（硅片加工时被切割去除）面积得出。计算过程如下。1、参数设定。（ 1）设未经过倒角处理的正方形硅片边长为 a；即 P156*156 硅片， a156. （ 2）设硅片经过切割倒角后，被切割掉的等腰直角三角形的边长为 b；3 设多晶硅片倒角处理过的面
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	单晶硅切削液,硅片切削液	2018-08-21
	上 海 曹 氏 化 工 科 技 发 展 有 限 公 司电话 021-62144305 021-62142599 地址 上海市普陀区兰溪路 900 弄天汇广场 15 号楼 1015-1017 室单晶硅切削液本发明提供了一种无毒无异味、不挥发、不易燃、 化学性能稳定的单晶硅切削液， 以解决现有的切削液存在的问题。 含有一下原料 二乙二醇； 感言； PEG400； 三乙醇胺； 也太苯并三氮唑，本
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	大尺寸硅片磨削技术	2018-08-21
	大尺寸硅片磨削技术2017-08-23 磨削系统解决方案 微信摘 要 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨
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	单晶硅片制作流程	2018-08-21
	单晶硅片制作流程生产工艺流程具体介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。切片将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及光阻层的平坦度。 此过程中产生的
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	超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展	2018-08-21
	超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展作者 郭东明 ， 康仁科 ， 苏建修 ， 金洙吉作者单位 大连理工大学机械工程学院 ,大连 ,116024刊名 机械工程学报英文刊名 CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING年，卷 期 2003， 3910引用次数 18次参考文献 18条1. HAHN P OThe 300 mm s
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