实验三四探针法测试硅片的电阻率	2018-08-21
	实验三 四探针法测试硅片的电阻率一、 实验目的1．理解非平衡载流子的注入与复合过程；2．了解非平衡载流子寿命的测量方法；2．学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。二、 实验原理1．方块电阻对任意一块均匀的薄层半导体，厚 W，宽 h，长 L。图 1 薄层半导体示意图如果电流沿着垂直于宽和厚的方向，则电阻为 ，当 时，表面成方块，它的电阻称为方块电阻，记为，单位为 （ 1）式中的方块电阻 与电阻层厚
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	全自动硅片清洗设备的技术改进_宋婉贞	2018-08-21
	电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products ManufacturingＥＰＥ（ 总第 248 期 ）Oct． 2015收稿日期 2015-10-04全自动硅片清洗设备的技术改进宋婉贞 ， 田洪涛 ， 张继静中国电子科技集团公司第四十五研究所 ， 北京 100176摘 要 全自动硅片清洗设备电气控制是以 PLC、 触摸屏为核心实现硅
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	尚德-硅片检验质量控制	2018-08-21
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	硅片制程培训资料	2018-08-21
	→ 多晶铸锭 粘附铸锭倒角切除两端面硅锭检测切割铸锭脱胶线切割制程硅锭粘胶光锭检测研磨硅片外观检查硅片清洗硅片插入成品出货硅片包装硅片性能测试原料清洗硅 gui （台湾、香港矽 xi ）是一种化学元素，它的化学符号是 Si ，旧犯法矽。原子序数 14，相对原子质量 28.09 ，有无定形和晶体两种同素异形体，同素异形体有无定形硅和结晶硅。属于元素
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	晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术	2018-08-21
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	化学腐蚀对硅片力学性能的影响	2018-08-21
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	硅片中金属镍的沉淀和稳定	2018-08-21
	第 16卷第 1期 材 料 科 学 与 工 程 总第 6 1 期V o 1116N o 11 M aterials Science 38- 41 12 T. Ho soya, Y. O zaki , K. H irata , J. Electrochem .Soc. 1985; 132 24363 E. R. W eber , A pp l. Phys. A , 1983; 30
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	太阳能硅片车间实习总结	2018-08-21
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	实验二四探针法测试硅片的电阻率	2018-08-21
	实验二 四探针法测试硅片的电阻率一、 实验目的1. 掌握方块电阻的概念和意义；2. 掌握四探针法测量方块电阻的原理；3. 学会操作四探针测试仪。二、 实验原理1. 方块电阻对任意一块均匀的薄层半导体，厚 W，宽 h，长 L。图 1 薄层半导体示意图如果电流沿着垂直于宽和厚的方向，则电阻为 ，当 L h时，表面成方块，它的电阻称为方块电阻，记为式中的方块电阻 口 R 与电阻层厚度 h 和电阻率
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	结构线对硅片切割的影响	2018-08-21
	结构线对硅片切割的影响 摘要 本文使用结构线替代传统的硅片多线切割用线直钢丝方法， 在切割硅块过程中， 会增大碳化硅颗粒的附着力， 不容易从钢线表面脱落， 使钢线携带比较多的砂浆参与硅块的切割。 也大大提高了钢线的切割能力。 通过使用结构线对硅块进行切割并对试验数据进行跟踪，硅片表面的碳化硅磨削痕迹在 3-4um，硅片整体厚度良好保持在 180um± 10um且 TTV15u
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