实验二十二、硅片氧化工艺实验	2018-08-21
	实验二十二、硅片氧化工艺实验一 . 实验目的1. 熟悉半导体工艺的一般步骤2. 掌握硅片氧化的基本方法和原理，能够熟练使用管式电炉二 . 实验原理（一）高温氧化及厚度测量氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（ SiO ）膜的过程。这层膜的作用是保护和钝化半导体表面 作为杂质选择扩散的掩蔽层； 用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘； 用作MOS 电容和 MOS 器件栅极的介电层等等。其实现的方法
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	全自动硅片测厚仪	2018-08-21
	全自动硅片测厚仪适用于硅片、箔片等各种材料的厚度精确测量。功能特点微电脑控制、液晶显示菜单式界面、 PVC 操作面板接触式测量测头自动升降手动、自动双重测量模式数据实时显示、自动统计、打印标准接触面积、测量压力（非标可选）标准量块标定微型打印机RS232 接口网络传输接口支持局域网数据集中管理与互联网信息传输技术参数测量范围 0～ 2mm （常规）0～ 6mm ； 12mm （可选）分 辨 率
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	影响太阳能硅片切割的各种因素	2018-08-21
	影响太阳能硅片切割的各种因素来源 OFweek太阳能光伏网链接 www.china-nengyuan.com/tech/37195.html影响太阳能硅片切割的各种因素太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的
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	造成硅片的不良原因	2018-08-21
	原因有很多， 但是真正工艺上的原因很少， 主要还是认为的因素比较容易造成多的缺角 （包括很多车间里面，比如说清洗，检验等隐裂来料、预清洗、插片、清洗、拉运、分选；崩边 C 角、胶面、加工、搬运；亮点杂质；毛边搬运、加工。在太阳能电池制造过程中， 用氢氧化钠和异丙醇制取单晶硅时表面发花， 时什么原因怎么样 才能处理好呢一般来说呢是有机物没有彻底的清洗干净第二是氢氧化钠没有清洗干净造
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	一种硅片切割机	2018-08-21
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	扩建年产硅片电极15000片生产线建设项目环境影响报告表	2018-08-21
	. . 扩建年产硅片电极 15000 片生产线建设项目环境影响报告表（试 行）. . 建设项目环境影响报告表编制说明建设项目环境影响报告表 由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。1. 项目名称指项目立项批复时的名称，应不超过 30 个字（两个英文字段作一个汉字） 。2. 建设地点指项目所在地详细地址， 公路、 铁路应填写起止地点。3. 行业类别按国标填写。4. 总投资
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	太阳能硅片检测方法	2018-08-21
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	面向IC制造的硅片机器人传输系统综述	2018-08-21
	文章编号 1002 20446 2007 0320261 206面向 IC制造的硅片机器人传输系统综述 3丛 明 , 杜 宇 , 沈宝宏 , 金立刚大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 , 辽宁 大连 116024 摘 要 介绍了面向集成电路制造业的硅片机器人传输系统 ,综述了其主要组成部分 硅片机器人和预对准装置 的工作原理及国内外研究成
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	抛光工艺对硅片表面Haze值的影响	2018-08-21
	櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶DOI 10． 13290/j ． cnki ． bdtjs ． 2017． 12． 008918 半导体技术第 42 卷第 12 期 2017 年 12 月基金项目 国家科技重大专项资助项目 （ 2008ZX02401）E- mail wangyongtaogritek ． com抛光工艺对硅片表面 Haze 值的影响王
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	中英对照版本之词汇-硅片	2018-08-21
	中英对照版本之词汇 -硅片Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor . The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semic
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