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简介：多线切割工艺对研磨去除量的影响摘要 大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标，也有利于研磨工序单位成本的降低； 切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素， 而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素。 通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制，从而降低晶片的研磨去除量。在晶体加工过程中， 随着硅单晶尺寸的增大， 多线切割技术正被广泛应用于晶体切割工序。 线切割不会明显改善翘曲， 但是切割时硅的损耗显著减小， 同时损伤深度减小。 这进一步反馈到后续工艺， 减小了颗粒产生、 残余损伤引起的位错形成、硅片破裂等可能性 [5] 。硅切片的损伤层深度直接受晶

简介：多晶硅产品的用途与生产工艺简介2 黎展荣编写2008-03-15 1 多晶硅产品的用途与生产工艺简介讲课提纲 一、多晶硅产品的用途二、国内外多晶硅生产情况与市场分析三、多晶硅生产方法四、多晶硅生产的主要特点五、多晶硅生产的主要工艺过程讲课想要达到的目的通过介绍，希望达到以下几点目的1， 了解半导体多晶硅有关基本概念与有关名词，为今后进一步学习、交流与提高打下基础；2， 了解多晶硅的主要用途与国内外多晶硅的生产和市场情况，热爱多晶硅事业与行业；3，了解多晶硅生产方法和多晶硅生产的主要特点，加深对多晶硅生产工艺流程的初步认识；4，了解公司 3000 吨 /年多晶硅项目的主要工艺过程、工厂的

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简介：１ 引言目前，半导体行业中广泛使用的清洗方法仍是ＲＣＡ（美国无线电公司）清洗法。但在向下一代６５ｎｍ节点的迈进中，新结构的纳米器件对于清洗设备不断提出了新的挑战， 因而对硅片表面各种污染物的控制规定了纳米微粒去除的特殊要求。根据国际半导体技术发展路线图计划，当半导体器件从９０ｎｍ提升到６５ｎｍ工艺时，必须将清洗过程中单晶硅和氧化硅的损失量从０ .１ｎｍ减小到０ .０５ｎｍ［１］。这就对新一代清洗设备和清洗技术提出了无损伤和抑制腐蚀的新工艺要求，所以研发新颖的、合适的硅片表面的纳米微粒清洗技术势在必行。目前， 最流行的新的清洗法是使用 HF/O3对硅片进行清洗 [3,4] ， 该清洗法使用较

简介：高倍聚光光伏 HCPV 电池作为第三代太阳能发电技术正逐渐成为太阳能领域的新焦点经过 30 多年的发展，高倍聚光光伏 HCPV 电池作为第三代太阳能发电技术正逐渐成为太阳能领域的新焦点， 引起了行业内企业的追逐。 在日光照射较好的几个欧美国家，已通过了优惠的上网电价法，随着具有 40 转换效率的Ⅲ -V族半导体多结太阳能电池的普及和成本下降， 高倍聚光光伏电池市场进入快速增长期。 与前两代电池相比， HCPV 采用多结的砷化镓电池， 具有宽光谱吸收、 高转换效率、 良好的温度特性、 低耗能的制造过程等优点， 使它能在高倍聚焦的高温环境下仍保持较高的光电转换效率。 高倍聚光光伏系统技

简介：非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺流程

简介：龙源期刊网 http//www.qikan.com.cn 多晶硅太阳电池的制绒工艺及安全生产作者邱燕来源无线互联科技 2014 年第 05 期摘 要为了提高多晶硅电池的转换效率，降低大规模生产的成本，生产中进行制绒工艺是一种很有效的办法。本文介绍了相关的工艺流程和制绒原理，根据实际生产，给定了相应的制绒工序工艺要求和其流程的基本操作。关键词多晶硅；制绒；陷光原理；减反射世界能源形式紧迫，已经成为世界十大焦点问题之首。预计到 2050 年，全世界人口总数预计将达到 100 亿，按 GDP 增长 1.6/人 · 年， GDP 单位能耗按每年减少 1，则能源需求装机大

简介：安徽电气工程职业技术学院（毕业论文）安徽 电气 工程 职业 技 术学 院毕业论 文、 实习报 告题 目系 部专 业姓 名班 级学 号指导教师教师单位题目类型 毕业论文 实习报告年 月 日安徽电气工程职业技术学院（毕业论文）目录第一章 绪论1.1、 我国能源的现状 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,1.2、 新能源的开发与应用 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,1.3、 太阳能电池的发展 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,第二章 太阳能电池片及组件的生产工艺流程1、太阳能发电的原理 1. 1、 太阳能发电应用 ,,,,,,,,,,

简介：1 多晶硅制作工艺流程多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以 金刚石 晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。灰色 金属光泽 。 密度 2.322.34 。熔点 1410℃。 沸点2355℃。溶于 氢氟酸 和 硝酸 的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸 。硬度介于 锗 和 石英 之间，室温下质脆，切割时易碎裂。 加热至 800℃以上即有延性， 1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有 半导体 性质，是极为重要的优良 半导体材

简介：4.1 石墨材料在铸锭多晶硅制造中的应用4.1.1 铸锭多晶硅2007 年在全球半导体产业低速增长的情况下，中国的半导体产业持续发展，比 2006 年增长了 20.8，随着各国对可再生能源的重视，以及太阳能电池转换效率不断提高，产品成本不断下降，太阳能电池产量快速增长。自 2000 年以来光伏市场的发展超过了工业历史上的任何一次飞跃。 2007 年全球太阳能电池产量达到 4000MW ， 较 2006 年增长了 56， 中国 2007年太阳能电池产量达到 1088MW ， 同比增长 148， 市场占有率由 2006 年的 17提升到 27。光伏发电的前景已经被越来越多的国家和金融界

简介：工序品质不良解决方案硅片来料外观有指印、 脏污。 需要一洗员工把较严重的挑出集中待工艺工程师处理 （试做或退仓） 。一次清洗外观 有严重外观（麻点、色差、水痕、脏污、发白、发亮）等不良现象。返工 1 （麻点、色差、脏污、发白）重新制绒（温度 82 度，时间 1300秒）根据表面的干净程度而定。返工 2 （水痕、硅酸钠沉淀物）重新酸洗，或 必要时可放入制绒槽 , 不用添加氢氧化钠 , 加补异丙醇量进行返工即可 。返工 3 （发亮）硅片制绒时间过长表面金字塔崩塌，如片源腐蚀过薄，则可重新返工，如片源腐蚀过厚则无法返工，根据工程师要求进行处理。注 如出现外观批次不合格时需马上

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简介：烧结工艺是将印刷在电池片正面电极， 背面电极以及背电场集中在一起通过烧结炉烧结完成其表面电接触。丝网印刷电极浆料通常采用三种，即银浆、铝浆和银 /铝浆。银的尖峰烧结温度在 720-830℃之间，铝的尖峰烧结温度在 720-750℃之间，银铝电极的尖峰烧结温度在 625-850℃之间。银 -硅合金最低共熔点温度为 830℃，但适宜的烧结温度需要由实验决定。 电池片烧结过程可分为升温过程和降温过程， 升温过程材料处于熔体状态不会产生残余应力， 本文中不予考虑； 降温收缩时产生的应力使得电池片发生弯曲， 本文考虑降温过程为从温度 830℃降温到室温。 表 1 给出了硅、 铝和银的弹性模量、 泊松比