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  • 简介:1第六章 光刻工艺( Photolithography原理和工艺第六章 光刻工艺引言(基本概念)光刻胶的化学性质与作用光学光刻光学光刻的限制及技术展望第一节 引言 --- 集成电路中的图形2集成电路发展趋势特征尺寸不断缩小 硅圆片直径不断增大提高电路性能 降低生产成本引言 --- 基本概念( 1)光刻 Lithography 用照相复印的方法将光刻版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上,以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂。光刻版 Photo Mask 带有电路图形信息的、有选择区域透光或不透光的光刻用掩模版。光刻胶 Photoresist 感光前后溶解度会发生很大变化的化合物。3正胶光刻
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  • 简介:硅碇开方的最新工艺太阳能电池材料单晶硅太阳能电池简介目 录第一章 单晶硅太阳能电池简介 1 太阳能电池组件生产工艺基本流程概述 1 1、化学减薄、制绒和清洗 . 1 2、 扩散制 PN 结 . 2 3、 等离子刻蚀去边 . 2 4、 扩散后清洗 . 2 5、 制减反射膜 . 2 6、 丝网印刷电极 . 2 7、 烧结 . 3 8、 电池测试 . 3 9、 组件生产 . 3 第二章 太阳能电池材料 4 第三章 国内外多晶硅生产的主要工艺技术 5 第四章 太阳能级硅材料主要的清洗工艺路线简介 6 一、自动超声波硅片清洗处理 6 二、自动单多晶混合制绒酸洗综合处理 7 三、自动单晶
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  • 简介:感谢所有的原文作者,这里我只是略作整理,希望能对新手有所帮助。光刻工艺光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上, 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的 40~ 60。光刻机是生产线上最贵的机台, 5~ 15 百万美元 / 台。主要是贵在成像系统(由15~ 20 个直 径为 200~ 300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于 10nm) 。其折旧速度非常快, 大约 3~9 万人民币 / 天, 所以也称之为印钞机。 光刻部分的主 要机台包括两部分轨道机( Track
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  • 简介:第 1 页1 绪论在微电子制造技术中,最为关键的是用于电路图形生产和复制的光刻技术,光刻技术的研究与开发,在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点,就是即将到来的光刻技术变革,这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。从目前的发展趋势判断, 0.13μ m 光刻仍将采用光学光源,其中问题只在于是将 248nm 技术继续推进到 0.13μ m,还是采用 193nm 技术。随着加工尺寸向0.1μ m 逼近,能否突破 0.1μ m 成为一只占据主流地位的光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。更短波长光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工
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  • 简介:先进电池材料课程论文学院材料科学与工程学院班级材料化学 11-2 学号 201123242345 姓名日期 2014.05.27 硅太阳能电池的工作原理与结构及制造工艺流程图摘要 随着全球煤炭、 石油等不可再生能源的减少, 以及由这些燃料燃烧带来的温室效应。 我们需要发现一种新能源, 太阳能电池将是一个非常宝贵的发明, 它会起到不可估量的作用。 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。 也是清洁能源, 不产生任何的环境污染。 当电力、 煤炭、 石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发
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  • 简介:光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干( Cleaning and Pre-Baking )方法湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板 150~ 2500C,1~ 2分 钟 ,氮气保护)目的 a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子) ; b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性, 增强表面的黏附性(对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷) 。2、涂底( Priming )方法 a、气相成底膜的热板涂底。 HMDS蒸气淀积, 200~ 2500C,30秒 钟 ;优点
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  • 简介:. 光伏太阳能铝合金型材的生产工艺控制【摘要】 光伏太阳能铝合金型材作为边框对电阳能电池板起支撑作用, 对力学性能、几何尺寸、表面质量、腐蚀性能有极其严格的质量要求。本文从合金成分、挤压工艺、 表面处理、 包装各环节进行全面的生产工艺技术介绍。 重点着重于现场生产指导,对理论原理不作表述。【关键词】光伏太阳能铝型材合金成分、力学性能、几何尺寸、挤压工艺、氧化膜、封孔质量、覆盖膜质量检测。一、光伏太阳能铝合金型材的发展前景当电子、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时, 越来越多的国家开始实行 “ 阳光计划 ” 。 开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。
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  • 简介:光刻实验一.实验目的了解光刻在集成电路工艺中的作用,熟悉光刻工艺的步骤和操作。二.实验原理光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术, 它先采用照像复印的方法,将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的 SiO2 层或金属蒸发层上,在适当波长光的照射下,光致抗证剂发生变化,从而提高了强度,不溶于某些有机溶剂中, 未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化, 很容易被某些有机溶剂溶解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用,对 SiO2 层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀,从而在 SiO2 层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。(一)光刻原理图晶片表面必须有如照相底片般的物质存在, 属于可感光的胶
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