简介：硅晶态硅又分为单晶硅和多晶硅， 它们均具有金刚石晶格， 晶体硬而脆， 具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点 1410C, 沸点 2355C, 密无定形硅是一种黑灰色的粉末。用硅来做 MEMS 产品，主要应用 100或（ 110）的晶圆，在各向异性腐蚀法实现腐蚀的过程中， 采用湿法腐蚀和干法腐蚀， 其中干法刻蚀与晶体的晶向没有直接的关系， 仅靠轰击硅片表面的高能粒子的方向来实现控制， 而湿法腐蚀则主要依靠不同晶面的腐蚀速率之间的差异来实现的。例如，在诸如悬臂梁、桥、凹坑结构的实现中，采取 100 面的晶圆加工，沿 晶向做掩膜，然后在碱性溶

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简介：Xinyu College 毕业设计（论文）题 目 硅片（多晶硅）切割工艺及流程所 属 系 太阳能科学与工程系专 业 光伏材料加工与应用技术硅片（多晶硅）切割工艺及流程I 硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧， 利用可再生、 无污染的能源已成为现代社会的一个趋势， 太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。 未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式主要为“ 光 电转换” 。其基本原理是利用光生伏打效应将太阳辐射能直接转换为电能，它的基本装置是太阳能电池。太阳能电池是由太阳能电池硅片组件组成 的一个系统。硅片的质量直接影响了太阳电池的光电转换

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简介：光子晶体工艺流程一、主体说明本次研究的主要任务是利用硅片制作出多孔硅光子晶体， 研究主要内容是多孔硅的特点和制备方法，实验装置主要采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅。本次光子晶体的主体制备方案是先用低压化学气相淀积工艺在 Si 衬底上生成一层 Si 3N4 薄膜， 通过光刻工艺将六边形格子复印到 Si 3N4 层上， 然后以 Si 3N4薄膜作掩蔽层，用 25的 TMAOH（氢氧化四甲基铵）溶液腐蚀出促进电化学反应的起始核，最后在 5HF和酒精混合溶液中腐蚀正方形排列的 Si 孔。研究表明，这种 Si 基光子晶体的方向禁带的中心位置在 1250cm-1 , 带宽为 300 cm-1。二、流程

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简介：硅抛光片表面颗粒度控制作者 武永超 ， 杨洪星 ， 张伟才 ， 宋晶 ， 赵权 ， WU Yongchao， YANG Hongxing， ZHANGWeicai ， SONG Jing， ZHAO Quan作者单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 ,天津 ,300220刊名 电子工业专用设备英文刊名 EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING年，卷 期 2010,3910参考文献 5条1. Pegah Karimi;Taehoon Kim;Juan Aceros;Jingoo Park,Ahmed A.Busn

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简介：硅晶片切割技术线锯的发展史第一台实用的光伏切片机台诞生于 1980 年代，它源于 Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。 Charles Hauser 博士是瑞士 HCT切片系统的创办人，也就是现在的应用材料公司 PWS精确硅片处理系统事业部的前身。这些机台使用切割线配以研磨浆来完成切割动作。今天，主流的用于硅锭和硅片切割的机台的基本结构仍然源于 Charles Hauser 博士最初的机台，不过在处理载荷和切割速度上已经有了显著的提高。切割工艺现代线锯的核心是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细高强度切割线。最多可达 1000 条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的

简介：硅片表面的几种处理方法和步骤一、 硅 片的 预处理 （ 1）硅片切割根据所需大小，用玻璃刀进行硅片的切割。操作时需要在洁净的环境中，并带一次性手套， 以避免污染硅片。 先在桌面平铺一张干净的称量纸， 用镊子小心夹持硅片的边缘，将其正面朝上（光亮面）放于称量纸上；再取一张干净的称量纸覆盖于硅片表面，留出硅片上需要切割的部分；将切割专用的直尺放于覆盖硅片的纸上，用手轻轻压住直尺；直尺应不超过待切割侧的纸面， 以防止直尺污染硅片； 切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行滑动，使用的力量以能在硅片表面形成一清晰的划痕， 但不至于将硅片划开为度； 如对大块硅片进行横纵向多次切割，即可在硅片表面形成网格；将硅

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简介：硅晶片的超精密加工摘要 归纳总结了硅晶片的加工原理、加工方法，分析加工硅晶片的技术要求其精密制造过程，并通过对国外技术装备的分析，指出硅晶片高效精密加工技术的发展趋势。关键词 硅晶片 超精密加工 磨削 抛光前言硅是具有金刚石晶体结构，原子以共价键结合的硬脆材料，其硬度达到 1000HV ，但断裂强度很低， 所以超精密加工晶体硅有一定的难度。 同时， 硅又是一种很好的材料， 构成集成电路半导体晶片的 90以上都是硅晶片。随着电路芯片的集成度不断提高，而加工特征尺寸和加工成本逐步缩小， 如下表。 为了能在硅晶片上印刷集成电路，与其他元件结合紧密， 硅晶片的表面必须平直， 特别是随着集成电

简介：硅 NPN 三极管的设计与平面工艺的研究摘要 本文介绍根据所要求的设计目标设计出 NPN 三极管的工艺参数和各区参数，用抛光好的硅片通过氧化、 扩散、 光刻这三个最基本的平面工序， 制备出能用晶体管特性测试仪测试放大特性和击穿特性的硅平面 npn 晶体管管芯。 通过对所制备管芯特性的测试分析， 理解工艺条件对硅 NPN平面晶体管的参数的影响关键词 双极晶体管，工艺，放大倍数，击穿电压一、引言自从 1948 年晶体管发明以来，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段 1950年采用合金法工艺，第一次生产出了实用化的合金结三极管； 1955 年扩散技术的采用为制造高频器件开辟了新途径；