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简介：光刻工艺认识实验报告一、光刻工艺操作1.硅片清洗和表面处理这个步骤由助教老师完成。所用硅片尺寸 2 英寸，厚度为 400μ m，单面抛光。掺杂类型 p 型。2.涂胶匀胶机第一、二级转速和各转速的运转时间由助教提前设置好。分别为 第一级转速 500n/min， 时间为 3 秒； 第二级转速为 4000n/min，时间为 60 秒。把处理好的硅片放在承片台正中，按下吸片按钮，硅片被吸住。检查确定被吸住后， 开始滴加光刻胶， 确保光刻胶覆盖整个硅片表面后停止。之后，按下开始按钮，开始匀胶。等匀胶结束后，按下吸片按钮。取出硅片，检查匀胶效果。光刻胶 KMP C5315（北京科华微电子材料有限

简介：光伏电池工艺丝网印刷的目的与原理1.丝网印刷目的将金属导体浆料按照所设计的图形，通过刮条挤压漏印在 pecvd 镀膜后合格的硅片正面、背面。2. 丝网印刷原理光伏电池的印刷电极是光伏电池制造的重要工艺之一， 它质量的好坏会直接影响到光伏电池的性能。 最早是采用真空蒸镀或化学电镀技术制作， 现今普遍采用的是丝网印刷工艺。 丝网印刷本身是一项传统的工艺技术， 自 20世纪 70 年代就得到了广泛的应用，其对设备要求低，且对降低生产成本有着明显的优势。采用丝网印刷工艺可进行大规模生产和缩短生产周期，还可以降低工业污染，避免光刻和腐蚀等废料较多的工艺，因此该技术也广泛应用于光伏电池的生产工艺中。光伏

简介：光刻工艺 4---- 掩膜板 /光罩xixi78 发表于 2008-5-06 1956 来源 半导体技术天地掩膜板 / 光罩（ Photo Mask/Reticle ）硅片上的电路元件图形都来自于版图，因此掩膜板的质量在光刻工艺中的扮演着非常重要的角色。1、掩膜板的分类光掩膜板（ Photo Mask ）包含了整个硅片的芯片图形特征，进行 1 1 图形复制。这种掩膜板用于比较老的接近式光刻和扫描对准投影机中。投影掩膜板（ Reticle ）。只包含硅片上的一部分图形（例如四个芯片），一般为缩小比例（一般为 41） 。 需要步进重复来完成整个硅片的图形复制。 一般掩膜板为

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简介：光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上， 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3 ，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～ 60。光刻机是生产线上最贵的机台， 5～ 15 百万美元 / 台。主要是贵在成像系统（由15～ 20 个直径为 200～ 300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于 10nm）。其折旧速度非常快， 大约 3～9 万人民币 / 天， 所以也称之为印钞机。 光刻部分的主要机台包括两部分 轨道机 （ Tracker ） ， 用于涂胶显影； 扫描曝光机 （ Scanning 光刻

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简介：电池片流程1、 车间段位构成WHQ 硅片为太阳能电池片的载体， 硅片的质量决定了电池片的转换效率。 而该工序则是对硅片的来料检测，主要是包括厚度， TTV，电阻率，外观（破片，缺角，孔洞，脏污）需注意 1 切割方向会厚薄不均，放片时需 180 度错落放置以保证放入载体厚薄均匀，切割方向需要垂直与印刷细栅方向，预防水波纹出现。2 线痕 单线痕密集线痕3）原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连，放置时需轻微摇晃。制绒 目的去除表面损伤层，对表面进行凹凸处理，清楚表面硅酸钠，氧化物，油污以及金属。以提高光电转换率。需注意 减重，活性不均匀会影响到后面 PEVCD工序使

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简介：基金项目 江苏省高校科研成果产业推进工程计划项目J HZD06242硅片纳米微粒清洗洁净新技术张慧 , 成立 , 韩庆福 , 严雪萍 , 刘德林 , 徐志春 , 李俊江苏大学 电气与信息工程学院 , 江苏 镇江 212013摘要 随着半导体技术的不断发展 , 集成电路的线宽正在不断减小 , 对硅片表面质量处理的要求也就越来越高 。 传统的湿法清洗已经不能满足要求 , 故必须研发新的微粒清洗方法 。 简述了硅片表面污染物杂质的类型 、 传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法 , 然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术 , 包括低温冷凝喷雾清洗工艺 , N2O 电子

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简介：光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上， 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3 ，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～ 60。光刻机是生产线上最贵的机台， 5～ 15 百万美元 / 台。主要是贵在成像系统（由15～ 20 个直径为 200～ 300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于 10nm）。其折旧速度非常快， 大约 3～ 9 万人民币 / 天， 所以也称之为印钞机。 光刻部分的主要机台包括两部分 轨道机 （ Tracker ） ， 用于涂胶显影； 扫描曝光机 （ Scanning

简介：光刻一、概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上， 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 4060 。光刻机是生产线上最贵的机台， 5～ 15 百万美元 /台。主要是贵在成像系统（由 15～ 20个直径为 200～ 300mm 的透镜组成）和定位系统（定位精度小于 10nm） 。其折旧速度非常快，大约 3～ 9 万人民币 /天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分轨道机（ Tracker） ，用于涂胶显影；扫描曝光机（ Scanning） 。光刻工

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简介：各种不同太阳电池的优缺点分析http//news.cecb2b.com/ 来源 元器件交易网 日期 2012 年 05 月 10 日硅太阳 电池 的应用日趋广泛 , 但昂贵的原材料成为发展的瓶颈 . 薄膜太阳 电池 由于只需使用一层极薄的光电材料， 材料使用非常少。 并可使用软性衬底， 应用弹性大， 如果技术发展成熟， 其市场面将相当宽阔。 本文就迄今被人们广为关注的薄膜太阳 电池 , 即非晶硅薄膜太阳 电池 ， 微 多 晶硅薄膜太阳 电池 ， 铜铟硒薄膜太阳 电池 ， 碲化镉薄膜太阳电池， 染料敏化薄膜太阳电池和有机薄膜太阳电池的发展概况 , 技术难点和优缺点进行论述。1 引