简介：光伏并网发电对电网的影响更新 2010-12-08 132212 作者 escn 来源 中国储能网 点击 405 次 【字号 大 中 小 】尽管寻找新能源的工作已经有相当的历史了，但是世界性的环境污染和能源短缺已经迫使人们更加努力的寻找和开发新能源。 在寻找和开发新能源的过程中， 人们很自然的把目光投向了各种可再生的替代能源。 光伏发电就是其中之一。 虽然光伏发电的实际应用存在着种种的局限， 但是随着光伏发电成本的降低和矿物发电成本的提高以及矿物能源的减少， 总有一天光伏发电的成本将会与传统发电成本相当。 到时侯， 光伏发电将逐步进入商业化阶段。光伏并网发电形成规模后会对电网形

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简介：如何提高太阳能电池的转化效率学院理学院班级物理 081 姓名汤志强学号 22 摘 要太阳能电池原理如图 其结构就是一个较大的 PN 结，其工作原理核心是广生伏特效应，即光照射到半导体表面，由于内建电厂的作用半导体内部产生电动势，若在其外部构成适当回路就可产生电流，即光生电流。随 着 化 石 能 源 的 日 益 枯 竭 、 人 们 对 环 境 保 护 问 题 的 重 视 程 度 不 断 提 高 ,寻 找 洁 净的 替 代 能 源 问 题 变 得 越 来 越 迫 切 。 太 阳 能 作 为 一 种 可 再 生 清 洁 能 源 ,并 可 持 续 利用 ,因 此 有 着 广 阔 的 应 用

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简介：电气工程新技术专题North China Electric Power University李庚银艾欣、毕天姝、崔翔电气工程新技术专题主要内容North China Electric Power University本课程为系列讲座形式，共分 4个部分，主要围绕最近几年承担的国家 “ 973” 计划、国家 “ 863” 计划、国家科技支撑计划等重大科研项目中的最新研究成果，其核心内容涉及新能源发电、智能电网和特高压输变电等最新的研究热点，具体授课内容包括大规模可再生能源发电及接入系统、大电网广域协调控制和系统恢复、微网与智能配电网、特高压输变电工程的电磁技术。电气工程新技术专题课程要求No

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简介：2016 年第 22 期科 技 创 新 科技创新与应用分布式电源接入带来的经营风险宏观性评估 *黄碧斌 洪博文 胡 静（ 国网能源研究院， 北京 102209）引言分布式电源接入将带来多方面经营风险， 主要括电网改造成本增加 、 购电成本增加 、 售电市场份额减少 、 沉没成本增加 、 线路网损增加等 。 一是改造成本 。 我国配电网多为辐射型结构， 分布式电源上网后， 潮流不再单向流动， 这使得配电网的各种保护定值和机理发生根本变化， 为适应分布式电源接入需要， 电网需要额外投资改造升级配电网保护装置， 确保电网安全运行和用户供电可靠性， 由此产生电网改造成本， 源于线路和变压器的升级 、

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简介：去 PSG工艺作业指导书公司生产车间名称 光伏 1号文件名称 去PSG工艺作业指导书版本 A 文件编号 修订文件类型 撰写人目的 1.去除磷硅玻璃（ PSG） ；2.制作合格的太阳能硅片，保证人生安全。适用范围去除硅片表面的 PSG 职责工艺工程师 1.设定标准参数2.设定标准操作规程主要原材料及半成品刻蚀后的标准硅片， HF，分析纯 /电子级主要仪器设备及工具 去磷硅玻璃清洗设备， 电阻率测试仪，花篮承载框，清洗小花篮，量杯。工艺技术要求操作规程 （ 1） 配液 按处理液配方配制去磷硅玻璃处理液，处理液配方

简介：切片线痕分析与对策线痕分类 杂质线痕 、 划伤线痕 、 密布线痕 、 错位线痕 、 边缘线痕 。各种线痕产生原因如下① 杂质线痕 由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片产生相关线痕。表现形式⑴线痕上有可见黑点，即杂质点。⑵无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对出现即一片凹入，一片凸出，并处相同位置。⑶以上两种情况都有。⑷一般情况下杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法㈠改善原料或铸锭工艺，改善 IPQC 检测手段。㈡改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速，提高线速。② 密布线痕 由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密布线痕。表现形式

简介：实验 20 太阳能电池特性的测量太阳能是一种新能源， 对太阳能的充分利用可以解决人类日趋增长的能源需求问题。 目前， 太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。 利用太阳能发电目前有两种方法， 一是利用热能产生蒸汽驱动发电机发电， 二是太阳能电池。 太阳能的利用和太阳能电池的特性研究是 21 世纪的热门课题。太阳能电池也称光伏电池， 是将太阳辐射能直接转换为电能的器件。 由这种器件与相配套的装置组成的太阳能电池发电系统具有不消耗常规能源、 无转动部件、 寿命长、 维护简单、使用方便、 功率大小可任意组合、无噪声、无污染等优点。世界上第一块实验用半导体太阳能电池是美国贝尔实验室于 1954 年研

简介：抛光片生产流程生产工艺流程简要介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。9 m- T8 E8 u. ] S3 8 Q C O5 g6 t切片 将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。 此过程中产生的硅粉采用水淋， 产生废水和硅渣。 g2 I; r* \ Y8 e/ |4 v0 [; b. r4 o g } z退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角 将退火的硅片进行修整成圆弧形， 防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水

简介：PV 制程真空或工艺真空 的作用是机台内部机械手吸附硅片或真空吸笔（或叫真空小镊子） 吸硅片来挑片用。 半导 体 芯片 设计 版 图 芯片 制造 工 艺 制程 封装 测 试 ,wafer,chip,ic,process,layout,pa ckage,FA,QA-GW bs5J3P5n一般机台对 PV 的真空度要求是 － 500mmHg ，所以真空吸笔一般负压也要 － 500mmHg 。PV 的单位表示为毫米汞柱 或 Torr 、 bar 、 PSI 等 . 半导体 芯 片 设计 版图 晶 圆 制造 工艺 制 程 封装 测试 ,wafer,chip,