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简介:晶硅太阳能电池板的制作过程1、 表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀, 在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射, 增加了光的吸收, 提高了电池的短路电流和转换效率。 硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为 1的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85 ℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约 20~ 25μm ,在腐蚀绒面后,进行一般的化
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简介:太阳能硅片的化学清洗工艺标签 硅片 化学清洗 污染 太阳能 离子太阳能硅片经过线切割机的切割加工后,其表面已受到严重沾污,要达到太阳能发电的工业应用标准, 就必须经过严格的清洗工序。 由于切割带来的严重污染,其表面的清洗工序也必然需要比较复杂和精细的工艺流程。一、硅片污染分类具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类1、 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用, 结合兆声波清洗技术来去除。2、颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm 颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm 颗粒。3、金属离子沾污该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面
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简介:48 所扩散过程中问题解决方案问题 原因 解决方法扩散不到1.炉门没关紧,有源被抽风抽走。2.携带气体大氮量太少, 不能将源带到管前。3.管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位, 确保石英门和石英管口很好贴合。2.增大携带气体大氮的流量。3.将石英门旁边管口抽风减小。方阻偏高 /偏低偏高 1.扩散温度偏低。2.源量不够,不能足够掺杂。3.源温较低于设置 20 度。4.石英管饱和不够。1.升高扩散温度,加大源量 . 2.延长扩散时间。3.增加淀积温度。偏低 1.扩散温度偏高。2.源温较高于 20 度。1.减小扩散温度。2.减少扩散时间。3.减少淀积温度。片间方阻不均匀 扩散温度不均匀
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简介:第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文(晶体硅材料及电池)晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析李召彬李召彬 王祺王祺 丁娈丁娈 季亦菲(中电电气(南京)光伏有限公司 211100)摘要 针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备( EL、 PL、 Corescan等) ,在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检测手段和分析结果,能够及时有效地反馈生产过程中产生的缺陷类型,有利于生产工艺的改进和质量的控制 。关键词 晶体硅太阳电池 缺陷 检测 分析1、 引言在大规模应用和工业生产中 ,晶硅太阳能电池占
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简介:太阳能电池的发展趋势紧紧围绕提高光电转换效率和降低生产成本两大目标的各种新型太阳能电池的研究工作,一直在各发达国家及一些发展中国家积极进行。所谓新型太阳能电池, 是指用新材料、新结构和新工艺制造的太阳能电池。 目前晶体硅高效太阳能电池和各类薄膜太阳能电池是全球新型太阳能电池研究开发的两大热点和重点。 高效单晶硅太阳能电池的光电转换效率已接近25%, 高效多晶硅太阳能电池的光电转换效率已超过20%。 薄膜太阳能电池的研究工作主要集中在非晶硅薄膜电池、 CdTe系薄膜电池、 CIS系薄膜电池和多晶硅薄膜电池上。非晶硅薄膜电池的研发, 重点是研究解决电池的光致衰降和提高效率问题。 经过努力, 已有
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简介:维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com
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简介:晶体硅太阳能电池专业班级 机械设计制造及其自动化 13 秋姓 名 张正红学 号 1334001250324 报告时间 2015 年 12 月晶体硅太阳能电池摘 要 人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力, 能源己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。 人们开始急切地寻找其他的能源物质, 而光能、风能、 海洋能以及生物质能这些可再生能源无疑越来越受到人们的关注。 光伏技术也便随之形成并快速地发展了起来, 因此近年来, 光伏市场也得到了快速发展并取得可喜的成就。本文主要就晶体硅太阳能电池发电原理及关键材料进行介绍,并对晶体硅太阳能电池及其关键
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简介:晶体硅太阳能电池生产的生产污水处理工艺熊 宇 , 王伯铎 , 蒋立荣西北 大学 环境 工程 系 , 陕 西 西 安 710127[ 摘 要 ] 太阳 电池 是一 种对 光有 响 应并 能 将 光 能转 换 成 电 力的 器 件 , 其中 晶 体 硅 太阳 能 电 池 为最 常 见 。 就对 晶体 硅太 阳能 电池 生产 环节 进行 分析 , 得 出 其生 产 污 水 的特 征 , 随 之 对其 污 水 的 处理 工 艺 进 行讨 论 , 通 过 类比 法得 出 , 可 使之 达标 排放 污水 处理 工艺 。[ 关键 词 ] 晶体 硅太 阳能 电池 ; 污水 处理 工艺 ; 含氟 污水[
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简介:无锡供电公司 关于分布式电源并网流程的介绍,无锡供电公司 2016年11月,背景为响应国家“两个替代”(清洁替代、电能替代)的号召,推进光伏发电等清洁能源的广泛应用,提高城市清洁能源占比,实现分布式能源的友好接入。供电公司积极开展消纳清洁能源发电工作,为分布式电源接入电网提供便利条件,针对分布式电源并网服务做了一系列工作。,无锡供电公司于2012年10月底正式为分布式电源项目业主提供接入申请受理服务,只要符合国家规定容量和现场具备接入条件的,一律为业主提供接入系统方案,设计图纸审核,关口计量表、发电计量表、电能量采集装置的安装、验收和相关结算服务。上述服务内容到目前为止均不收取任何服务费用
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简介:一、 硅棒 / 硅锭生产设备总目录( 1)切割 /研磨设备生产厂家名录公 司 名 称 地 区 销售额 员工数 设 备 类 型江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 中国大陆 180 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备石家庄威锋机械制造有限公司 中国大陆 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备无锡开源太阳能设备科技有限公司 中国大陆 300 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备无锡上机磨床有限公司 中国大陆 硅棒研磨设备辛格瑪機械股份有限公司 台湾 硅棒研磨设备HCT 瑞士 85 硅棒切割设备Herbert Arnold 德国 100 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备JCM Co.,Ltd. 日本 150 硅棒切割设备
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简介:1. 内圆切割和多线切割晶体切割就是利用内圆切片机或者线切割机等专用设备将硅单晶或多晶切割成符合使用要求的薄片过程。硅晶体的切割主要要有内圆切割和多线切割两种形式。内圆切割利用内圆刀片为切割刀具,以其内圆作为刀口,其镶上金刚石颗粒, 一片一片进行磨销切割。 内圆切割品种变换简单方便,灵活,风险低,但是效率低,原料损耗大,硅片体形变大,加工参数一致性差。多线切割利用钢丝切割线携带金刚砂浆液进行磨销,整锭同时切割。其效率高,原料损耗小,硅片体形变小,加工参数一致性好,但是投资大,风险高。2. 硅片的化学减薄所谓化学减薄就是通过酸或碱与硅片表面在一定条件下产生化学反应,对硅片表面进行一层剥离,为抛
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