简介：36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经过约 400℃左右的退火处理之后（即所谓的“退火”工艺），可在低电阻率（约 1Ω cm）的 p型硅片上将 SRV降低至 20cm/s以下 [2] 。除此之外，电池背表面的 SiO 2/Al 叠层结构还可作为近带隙光子的极佳反射器，可显著提升（背表面的）限光特性并以此提高电池的短路电流。但是为什么迄今为止热

简介：氟塑料薄膜在光伏电源和燃料电池中的应用 PVDF 电池背板膜及全氟磺酸离子交换膜的制作与应用刘小建 , 苑会林 北京化工大学北京市高分子材料加工重点实验室 ,北京 100029 摘要 简述了氟塑料薄膜在光伏电源和燃料电池中的应用。分别论述了太阳能电池背板用 PVDF 膜和全氟磺酸离子交换膜的制作、应用以及国内外的研究现状 , 以及本科研室在相关领域的最新研究成果。关键词 氟塑料 ; 太阳能电池 ; 离子交换膜 ; 燃料电池 ; 薄膜中图分类号 TQ325 · 4 文献标识码 A 文章编号 1005-5770 2011 S1-0109-07 氟塑料是

简介：第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池）利用碘酒钝化测量晶体硅体少子寿命 *陈静伟 赵 雷 刁宏伟 闫保军 周 素 汤叶华 王 革 王文静中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室 , 中国科学院电工研究所 , 北京 100190 摘要摘要 利用微波光电导衰减法（ μ PCD ）测量晶体硅的有效少子寿命 τ eff，采用不同浓度0.04mol/L0.4mol/L 的碘酒溶液分别对 n 型 CZ 硅片和 p 型 CZ 硅片进行钝化，结果表明碘酒溶液浓度在 0.08mol/L0.16 mol/L 时， 对硅片钝化最为有效， 测量有效少子寿命 τ eff 最

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简介：1 一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕； 见附图一、二 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插 25 片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插 100 张硅片，需更换手套。5.3

简介：第二章扩散工艺作业1、 1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20 分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μ m的结深，推进时间应为多少假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多少 （已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 1021cm-3， 磷的扩散系数为 1.39 10-14cm2/s， 1100℃时磷的扩散系数为 1.56 10-13 cm2/s ）2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃， 11分钟预淀积扩散；再进行 1180℃， 40分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽

简介：关于有机太阳能电池及其材料姚阳屹 电子 81 08051025 能源问题是制约 21 世纪经济社会发展的全球性问题 ,而解决能源问题的方法有时日新月异。 近段时期在世界范围内越来越受到重视的是各种可再生能源。 风能， 潮汐能等的应用在人们对能源的强烈渴望中逐步发展起来。 然而这些大自然的赋予似乎仍然难以满足日增的能源需求， 所以自然而然的， 人们便把目光投向了我们平日最常见但却最难被应用的一种能源太阳能。太阳能占地球总能量 99以上，是人类取之不尽用之不竭的可再生能源．也是清洁能源，不产生任何的环境污染。然而这看似无穷无尽的能源我们又将以什么方式来应用呢仅仅是索取那阳光下的片刻温暖是

简介：非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺内容提纲一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介二、非晶硅太阳能电池制造工艺三、非晶硅电池封装工艺一、 非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介1、电池结构分为单结、双结、三结2、制造技术三种类型①单室，多片玻璃衬底制造技术该技术主要以美国 Chronar 、 APS、 EPV 公司为代表②多室，双片（或多片）玻璃衬底制造技该技术主要以日本 KANEKA 公司为代表③卷绕柔性衬底制造技术（衬底不锈钢、聚酰亚胺 该技术主要以美国 Uni-Solar 公司为代表所谓 “ 单室，多片玻璃衬底制造技术 ” 就 是指在一个真空室内，完成 P、 I、 N 三层非晶

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简介：湖南红太阳光电科技有限公司 文件编号 UMGD/ZLPG-DJ-26-2012 等离子刻蚀设备操作规程版号 A 修改第 0 次页 码第 1 页 共 2 页编制宇树光 审核 批准 / 日期1 1. 目的确保刻蚀机处于良好的运行状态。2. 适用范围刻蚀机操作及保养。3. 参考设备管理程序。4. 责任由设备工程师及工艺工程师负责。5. 内容5.1 开机5.1.1 合上墙上电控柜中的断路器开关，按下“电源”，此时将自动登录初始画面，用户登录名和密码，然后点击“进入”，输入相应的密码，进入操作界面（手动模式）；点击“真空泵”图标按钮，等待 10 秒钟真空泵完全启动；5.1.2 旋动射频

简介：355nm全固态紫外激光切割硅片的研究 张菲， 杨焕， 段军， 曾晓雁 （ 华中科技大学武汉光电国家实验室 ，湖北武汉 430074） 摘要 近年来，激光微加工硅和蓝宝石等半导体材料已经吸引越来越多的关注。高精度激光切割和钻孔加工已经成功用于半导体、光电子、光机电系统（ MEMS ）行业，包括晶圆切割、划线、直接成型通孔和三维微结构。利用自主研发的紫外激光微加工设备，系统研究了激光功率密度、重复频率、扫描次数、单脉冲能量等工艺参数对切割 0.18mm厚多晶硅片和 0.38mm厚单晶硅片的缝宽和效率的影响规律。结果表明，采用扫描振镜加远心扫描透镜系统，当需要得到最大的切割深度时，优化

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