简介：实验一 加工方法及加工装备的归纳与调研一．车削加工1. 车削概述在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过程，称为车削加工。其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。车削适合加工回转零件， 其切削过程连续平稳， 可以加工各种内外回转体表面及端平面。所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。图 1.1 车削加工主要应用范围车削加工的尺寸精度较宽，一般可达 it12 ～ it7 ，精车时可达 it6 ～ it5 。表面粗糙度 ra数值的范围一般是 6.3 ～ 0.8

简介：本文由米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 整理推荐米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展摘要 集成电路芯片不断向高密度、 高性能和轻薄短小方向发展， 发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。 随着大直径硅片的应用， 硅片的厚度相应增大， 而先进的封装技术则要求更薄的芯片， 超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。 本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术， 论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、 工艺特点和关键技术， 介绍了硅片背面磨

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简介：单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池， 它的构成和生产工艺已定型， 产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。 这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求 99.999 ％。为了降低生产成本， 现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒， 材料性能指标有所放宽。 有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片厚约 0.3 毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上

简介：工艺事故质量分析一次清洗1．现象描述制绒后硅片厚度很薄在 160um 以下且硅片表面“小雨点”很多，导致硅片报废原因分析此类事故发生时多在新配液时， 主要原因是上一位员工在配氢氧化钾和硅酸钠后， 由于吃饭或其它原因把操作交给另外一位员工， 后面的员工上岗后没有加异丙醇就直接上料， 从而造成事故。事故总结新配液时， 由于更换操作员而导致没有加异丙醇， 出现工艺失控。 建议新配液时有一位员工独立完成。2．现象描述配液过程中导致溶液溢流致设备和地面，使地面受损。原因分析配液过程中，忘记关补水开关。事故总结加强员工的责任心。3．现象描述制绒过程中，偶尔出现整篮硅片表面 “小雨点”很多

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简介：单晶硅 切 片制作 . 生产工艺流程具体介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。切片将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个

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简介：工艺故障排除指南单晶硅太阳能电池工 序 故障表现 诊 断 措 施制绒硅片表面大部分发白， 发白区域未出绒面1、 NaOH 与 IPA 比例失调。NaOH 含量偏低，不能充分进行反应， 或者 IPA 含量过高，抑止反应进行。1、 首先判断原因。2、 增加 NaOH 的浓度，减少 IPA 的用量。3、 如果不能调节，重新配制溶液。2、 如果表现后续返工可以处理发白区域，则可以断定NaOH 浓度不够。采用稀碱超声。3、表面清洁度不好。 延长超声时间。4、溶液状态不够均匀。1、对溶液进行充分搅拌，补加溶液必须先溶解，加入之后必须进行溶液充分搅拌，使用烧杯或竿进行“ 8”字形状搅拌溶液。2、查看电源控

简介：超声波感应器的设定一， 故障现象超声波传感器感应不到硅片，比如 buffer 进口第一个超声波传感器若感应不到硅片，或灵敏度较弱的话，硅片到达传感器处，皮带就不会加速，导致后面的硅片和前面的硅片撞在一起而卡片。二， 超声波感应器如下图1，测试传感器灵敏度是否正常水平放置一个硅片在传感器上方，处于皮带上方大概 5mm处，此时传感器应该绿色指示灯马上亮，将硅片从传感器上方移开，此时传感器的绿色指示灯应该马上熄灭，其他指示灯也不亮；重复上面的步骤，正常情况应该是传感器感应到硅片绿灯马上亮，硅片一拿开，绿灯马上灭。如果不上上述状态，则这个传感器需要重新设定，或者更换新的传感器（新的换上去后，也需要重

简介： 收稿 1999 年 4 月 , 收修改稿 1999 年 5 月3 通讯联系人超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展张树永 3 郭永榔山东大学化学学院 济南 250100曹宝成 于新好山东大学光电子材料与器件研究所及国家电子清洗技术研究推广中心 济南 250100摘 要 本文综述了超大规模集成电路制造过程中硅片溶液清洗技术的研究历史及现状 , 并对技术的未来发展进行了展望 。关键词 集成电路 硅片 溶液清洗Progress of Aqueous Solution Clean ing Technology forSil icon W afer in VL SI C ircu

简介：单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程转载一个，加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型槽处理→切片 倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装 切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。 切断的设备内园切割机或外园切割机 切断用主要进口材料刀片 外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。 外径滚磨的设备磨床 平边或 V型槽处理指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边

简介：加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V型槽处理→切片倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料刀片外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备磨床平边或 V 型槽处理指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或 V型。处理的设备磨床及 X－ RAY绕射仪。切片指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片

简介：1 光伏产品销售合同编号 ZR2014082501 甲方武汉新普惠科技有限公司乙方湖南紫日光伏科技有限公司签约地点湖北武汉签约时间 2014 年 8 月 25 日2 经甲乙双方充分协商， 本着平等互利的原则， 根据中华人民共和国合同法 要求， 为了确保光伏电站项目顺利完成， 明确甲乙双方责任、权利和经济关系，达成以下合同条款 1 、甲方要求a 使用地域 甲方公司厂房屋顶 ， 年均日光照时间 2000 小时；b 乙方经过对甲方安装现场实际勘测，科学合理的制订光伏电站安装方式及容量，确定项目方案。c 乙方配合对光伏电站项目申请备案，到电业管理部门办理其项目相关手续