简介：Page 1 of 36 培训目的1、 确定硅片生产过程整个目标；2、 为工艺过程确定一典型流程；3、 描述每个工艺步骤的目的；4、 在硅片生产过程中，硅片性能的三个主要关系的确定。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期

简介：2018-2023 年中国太阳能硅片硅锭行业市场评估分析与投资战略研究报告报告信息报告类型 多用户、行业报告报告编号 77841 ←咨询时，请说明此编号报告价格 电子 7200 元 纸介 7200 全版 7500可开增值税专用发票网上阅读 http/www.cn-bigdata.cn/report/20171114/77841.html 报告目录第一部分 发展现状与前景分析第一章 全球太阳能硅片硅锭行业发展分析第一节 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场分析一、 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场回顾二、 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场环境三、 2016 年全球太阳能硅片硅锭

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简介：论金刚线切割硅片技术的前景如今又一个崭新的金刚线切片技术崛起于光伏硅片切割行业。树脂金刚线切割硅片的技术与切割钢丝切割硅片技术相比， 最主要的优势体现在这四个方面（ 1）树脂金刚线切割过程造成的损伤层在 4-7um，电镀金刚线是 8-10 um，砂浆是 11-15um，有利于切割的薄片化 , 提高出品率硅耗的降低；（ 2）切割效率的提升，提升 3 个百分点；（ 3）损伤层薄，增加了硅片强度 , 刻蚀后表面均匀 , 有利于提高转换效率；（ 4）与传统切割方法相比 , 没有废浆料的产生，环境保护水平大大高。在未来的几年， 金刚线切片技术的推进将会影响多晶、 单晶市场份额。 金钢线和砂浆切割的基

简介：金刚线切割单晶硅片制绒白斑的成因分析及改善建议杨长剑、陈益冬（光伏新闻）1. 引言金刚线切割技术也被称为固结磨料切割技术。它是利用电镀或树脂粘结的方法将金刚石磨料固结在钢线表面，将金刚线直接作用于硅棒或硅锭表面产生磨削，达到切割的效果。金刚线切割具有切割速度快，切割精度高，材料损耗低等特点。目前单晶市场上对金刚线切割硅片已经完全接受，但在推进过程中也遇到过，其中制绒发白是最常见的问题。针对此，本文重点分析了如何预防金刚线切割单晶硅片制绒发白的问题。金刚线切割单晶硅片清洗工序是将线锯机床切割完毕的硅片从树脂板上脱离下来，将胶条去除后，将硅片清洗干净。清洗设备主要是预清洗机（脱胶机）和清洗机。预

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简介：顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目 录一、 硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件二、 硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部（ 1） 、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量要求（ 2） 、腐蚀清洗生产工艺流程① 多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程② 边皮料酸碱清洗处理工艺流程③ 埚底料酸清洗处理工艺流程④ 废片的清洗处理工艺流程（ 3） 、硅单晶生长工艺技术（ 4） 、单晶生长中的必备条件和要求① 单晶炉② 配料与掺杂（ 5） ，单晶生长工艺参数选择（ 6） 、质量目标（ 7） 、硅单晶生长工艺流

简介：硅片脏污清洗分析报告一、硅片表面污染硅片表面的最外层即为吸附层，是氧化层与环境气氛的界面，吸附一些污染杂质，这些沾污可以分为分子、离子、原子、或者分为有机杂质、金属和粒子，如下图 1 所示。图 1 硅片表面污染示意图二、清洗工艺程序吸附在硅片表面上的杂质可分为原子型、离子型和分子型。1、分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清楚这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点， 对于清除离子型和原子型杂质具有 掩蔽作用 。 因此在对硅片进行化学清洗时， 首先应该把它们清楚干净。2、离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，在化学

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简介：集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 院 长 范福会总 工 程 师 陈冬贵审 定 人 陈冬贵审 核 人 王能民工程负责人储王应信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月I 文字部分一、前言（一）工程概况（二）编制依据和勘察工作执行的

简介：硅片隐裂痕的粗浅分析---Choo 2008-05-07 由共价键结合而成的硅是典型的脆性材料，其主解理面为｛ 111｝面，而 S125 和 S156硅片大多为｛ 100｝晶面族，如果硅片在工艺过程中积累了过多的解理裂痕，则裂痕会产生扩展并脆断，所以就有很多沿解理面或非解理面的穿晶断裂出现。经观察与粗略统计，大多数硅片的断裂部位位于对角线约 1/8 处（如图 1.图 2.） ，所以不妨以 1/8 处碎片作为研究对象，而对那些潜在于工艺环节中的，可造成隐裂痕的，设备操作或人工操作方法进行分析。 以下从公司现有设备角度和生产工具的使用角度着手， 统计了整个电池片生产过程中几乎所有可造成隐裂痕的工

简介：硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较参数 酸腐蚀工艺 碱腐蚀工艺腐蚀特性 各向同性 各向异性腐蚀反应的热量 放热 吸热表面平坦度 （ STIR\TIR\TTV ）需要依靠晶片的旋转、 特制的夹具、 通气体充分搅拌腐蚀液等特殊机构及工艺手段来改善其表面平坦度不需要特殊机构便可达到一定的表面平坦度腐蚀后表面粗糙度（ Ra ） 比碱腐蚀工艺小， 与晶片原有的损伤程度有关 比酸腐蚀工艺大， 与晶片原有的损伤程度有关硅片表面残留的微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒就难去掉， 较低的表面粗糙度不容易吸附微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒容易去掉， 较差的表面粗糙度容易吸附微粒金属污染程度 Cu\Ni 腐蚀液的