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简介：浅谈硅片缺陷的控制【摘要】 太阳能是一种清洁、 高效和永不衰竭的新能源， 光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点，近年发展势头迅猛。 硅片作为太阳能电池的核心元件， 其质量直接影响到太阳能电池的整体性能。本文介绍了硅片缺陷控制的技术措施。【关键词】硅片；缺陷控制引语在光伏产业中，硅片的质量在很大程度上影响到成品太阳能电池的短路电流、 和断路电压等参数， 决定了太阳能电池的发电效率和使用寿命。 在现有技术允许的范围内， 最大限度地减少硅片中的缺陷， 提高硅片的纯度和质量， 是提升太阳能电池性能的必然途径。 目前硅片的缺陷包括点缺陷和晶体原生凹坑缺陷以及金属杂质缺

简介：1 一、计算倒角硅片的面积Calculate the area of pseudo-square wafer 边长 W 125 mm 对角 D mm 倒 圆角 时面积148.5799 cm2Calculate边长 A 156 mm 对角 B 200 mm 倒 直角 时面积239.1093 cm2CalculateD W A B 2 二、计算正面栅线的遮光比例Calculate Shading Start

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简介：化学机械抛光中的硅片夹持技术孙禹辉，康仁科，郭东明，金洙吉，苏建修大连理工大学机械工程学院，辽宁大连 116024 摘要 目前半导体制造技术已经进入 0． 13μm 时代， 化学机械抛光 CMP已经成为 IC 制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代 IC 对大尺寸硅片 ≥ 300mm局部和全局平坦化精度的要求，介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状，分析了当前硅片夹持技术中存在的问题，并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势。关键词集成电路；化学机械抛光；夹持技术中图分类号 TN305.2 文献标识； A 文章编号

简介：文章编号 1005- 20462000 04- 0171- 06收到日期 2000 04 07作者简介 闵 靖 1941 , 男 , 教授级高级工程师硅中的缺陷和硅片热处理闵 靖 , 邹子英 上海市计量测试技术研究院 , 上海 200233摘 要 本文评述了近年来着重研究的 COP、 LSTD、 FPD 和 BMD 等硅中的微缺 陷。介绍了硅片在 氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 , 提高 GOI 合格率的实验结果。研 究表明 , 硅片的高 温退火是提高硅 片质量的一种技术途径。关键词 硅 ; 晶体原生颗粒缺陷 ; 激光散射断层缺陷 ; 流动图形缺陷

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简介：硅片生产培训资料Page 1 of 26 培训目的1、 确定硅片生产过程整个目标；2、 为工艺过程确定一典型流程；3、 描述每个工艺步骤的目的；4、 在硅片生产过程中，硅片性能的三个主要关系的确定。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。 除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。 所有的步骤概括为三个主要种类 能修正物理性能如尺寸、 形状、平整度、 或一些

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