2013 年七月刊 SOLARZOOM 光伏杂志技术工艺 / Technical Process摘要本文介绍了对单晶硅电池背抛光工艺作用和条件的研究。通过对不同化学溶液、不同温度和不同腐蚀时间条件对硅片表面反射率和电池电学性能的影响,证实了背抛光在增加背面反射、提高电池与铝背场接触...
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017. 12. 008918 半导体技术第 42 卷第 12 期 2017 年 12 月基金项目 国家科技重大专项资助项目 ( 2008ZX02401)E- mail wangyongtaogritek . com抛光...
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化学机械抛光中的硅片夹持技术孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉,苏建修大连理工大学机械工程学院,辽宁大连 116024 摘要 目前半导体制造技术已经进入 0. 13μm 时代, 化学机械抛光 CMP已经成为 IC 制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代 IC 对大尺寸硅片 ≥ 300...
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在半导体材料硅的表面清洁处理, 硅片机械加工后表面损伤层的去除、 直接键合硅片的减薄、 硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。 下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。一、硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀, ...
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硅片腐蚀和抛光工艺链接 www.china-nengyuan.com/baike/2275.html硅片腐蚀和抛光工艺硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀,硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池,腐蚀电流较大,一般超过 100A/cm2,但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污...
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* 基金项目 国家自然科学基金项目 50390061; 上海市科委科研计划项目 0452nm013 1收稿日期 2005- 03- 14作者简介 王亮亮 1980 , 男 , 硕士研究生 , 主要从事单晶硅材 料 化 学 机 械 抛 光 相 关 实 验 研 究 1E-m ail wang
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加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型槽处理→切片倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分,将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度,切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备内园切割机或...
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一、硅片生产主要制造流程如下切片→倒角→磨片→磨检→ CP→ CVD→ ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业实习1. 硅棒粘接用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接,以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。2. 切片 Slice 主要利用内圆切割机或线切割机进行...
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专业编制可行性研究报告 了解更多详情 咨询公司网址 http//www.ztxdzx.com 因 为 专 注 所 以 专 业- 1 - 半导体硅片抛光液项目可行性研究报告核心提示 半导体硅片抛光液项目投资环境分析, 半导体硅片抛光液项目背景和发展概况, 半导体硅片抛光液项目建设的必要性...
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2017-2022 年 中国硅片抛光设备行业深度调研及发展策略研究报告Annual Research and Consultation Report of Panorama Survey and Development Strategy on China Industry (中国企业高层战略决策参考
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