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  • G7型铸造多晶硅底部阴影的形成分析和改善研究11

    G7型铸造多晶硅底部阴影的形成分析和改善研究 G7型铸造多晶硅底部阴影的形成分析和改善研究 (11页)

    p技术总结 造成大热场G7晶锭底部阴影主要由于底部长晶速率过快和底部温度过低对流较弱; 对于晶锭底部长晶速率在9.82mm·h-1以下,可较好将粒径3 μm及以下Si3N4/SiC颗粒推进在硅液内部而不成为夹杂且底部温度较高对流较强,晶锭底部无阴影; 底部长晶速率超过9.82mm·...

    下载价格:8 金币 / 发布人: 光伏小萝莉 / 发布时间:2020-01-10 / 332人气

  • Minute of the IEC TC82 WG7 meeting4

    Minute of the IEC TC82 WG7 meeting Minute of the IEC TC82 WG7 meeting (4页)

    Minute of the IEC TC82 WG7 meeting 2019 Spring Date 2019/03/28 – 2019/03/29 Place Université Sidi Mohammed Ben Abdellah Faculté des Sciences et Techni

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