N型晶硅太阳电池用无氧扩散技术研究--南昌大学

N型晶硅太阳电池用无氧扩散技术研究 张衡 杨烁 黄 海 宾* 周浪 南 昌 大 学 光 伏 研 究 院 2020 -11 - 5 江苏 · 无锡 CSPV1 6目 录 ⚫N型晶硅电池扩硼技术研究背景 ⚫模拟氧硼扩散结果 ⚫常压有氧气氛、无氧气氛扩散结果 ⚫低压扩散路线及设备简介 ⚫实验结果1-低压扩散(两种无氧气氛) ⚫实验结果2BBr 3 /BCl 3 扩散 有（形成硼硅玻璃） 产线应用 硼浆旋涂扩散 有（形成硼硅玻璃） 未获得产线应用 硼离子注入 源层无 未获得产线应用 无氧扩散 源层无，气氛无 研发中（本团队） P-N结 N型晶硅电池扩硼技术研究模拟氧硼扩散结果常压有氧气氛、无氧气氛扩散 常压无氧气氛XPS 常压有氧气氛XPS 结论：常压无氧扩散，解决了氧进入扩硼层的问题（但导 电性无明显改善） 97 171制备掺杂非晶硅源层(无氧) 扩散推结 去除源层 低压无氧扩散路线及设备简介Reference 实验结果1-低压扩散(两种无氧气氛)氧浓度曲线 硼浓度曲线 ➢扩散过程中无氧的引入 ➢样品掺杂浓度曲线较为陡峭（接近突变结） ◆扩散片氧、硼掺杂浓度曲线（SIMS） 实验结果1-低压扩散(两种无氧气氛)Atmosphere Ⅰ Atmosphere Ⅱ ◆两种不同气氛方阻对比 ➢ 三组温度序列下均为Atmossphere Ⅱ样品方阻值更优 ➢ 且Atmossphere Ⅱ相对于Atmossphere Ⅰ方阻更加均匀 At m o s ph er e Ⅰ At m os ph er e Ⅱ Reference N(/cm 3 ) 6.0×10 19 8.0×10 19 4.1×10 19 µ（cm 2 /Vs） 51.1 49.5 52.3 Sheet resistence(Ω/□) 68 55 97 实验结果1-低压扩散(两种无氧气氛)➢ 通过参数的调整，可便捷的获得我们需要的方阻值、结深、掺杂 曲线等。 实验结果1-低压扩散(两种无氧气氛)ECV 硼浓度曲线 SIMS 硼浓度曲线 ◆扩散片氧、硼掺杂浓度曲线 ➢低压无氧扩散可获得高的硼激活浓度 实验结果2➢ 1000 ℃为当前较优温度 实验结果2总 结 ➢ 低压无氧扩散得到无氧扩硼层 ➢ 通过工艺参数的改变可以得到可控的方阻及理想 的掺杂浓度分布(突变结)谢 谢关注 ！ 指导老师：黄海宾 电话：135 7690 6107 Email:haibinhuang@ncu.edu.cn 周浪 电话：130 6516 3492 Email:lzhou@ncu.edu.cn