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集成电路工艺原理答案2-5
2018-08-17
第二次作业1. ( 1)随着 MOS 器件尺寸不断缩小,栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下,请问 MOS 器件对 Na+的玷污的敏感度是增加了还是降低了,为什么( 2) 在栅氧化层厚度不断减薄的情况下, 对于硅片衬底的掺杂 (或者器件沟道区的阈值电压的调整注入) ,必须采用什么样的措施才能保证器件的阈值电压不变,为什么答 ( 1)根据阈值电压2 2 2 s A f MTH FB
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金刚线切割太阳能薄片实验总结
2018-08-17
【项目计划】验证钻石线的薄片加工能力,确保产出薄片各项参数能够满足要求。钻石线切割硅片出刀位置存在细小边崩, 上阶段在对切割工艺进行多方面改善后仍未解决崩边问题,本次试验计划通过试用小颗粒钻石线( 10-20um )解决崩边。实验过程鉴于晶片在太阳能正常硅片加工上的经验, 本次薄片切割工艺使用相对成熟的正常片加工工艺。 该工艺能够有效的保证硅片厚度、 TTV 、 翘曲度等各项参数。 部门共进行
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索比杜金泽
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集成工艺46题修正版
2018-08-17
1、将硅单晶棒制成硅片的过程中包括哪些工序切片工艺流程切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。(滚圆- X 射线定位-切片-倒角-硅片研磨-清洗-化学腐蚀-热处理 2、切片可决定晶片的哪些四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶研磨片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键,形成表面附近的自由力场,极易吸附各种杂质,如颗粒、有
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化学机械平坦化
2018-08-17
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金属铝刻蚀工艺简介
2018-08-17
基础知识 HOW TO MAKE A CHIP52 www.sichinamag.com→集成电路的制造过程中,刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀; 后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀, 可以严格控制纵向和横向刻蚀。干法的各向异性刻蚀, 可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面
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基于智能剥离技术的SOI材料制备
2018-08-17
基于智能剥离技术的 SOI材料制备作者 舒斌 , 张鹤鸣 , 朱国良 , 樊敏 , 宣荣喜 , Shu Bin , Zhang He-Ming, Zhu Guo-Liang, Fan Min, Xuan Rong-Xi作者单位 西安电子科技大学微电子学院 ,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ,西安 ,710071刊名 物理学报英文刊名 ACTA PHYSICA SINICA年,卷
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几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析
2018-08-17
几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析 *付 明 1, 苑 鹏 1 , 范 琳 2 1 华中科技大学电子科学与技术系 , 武汉 430074; 2 武汉优乐光电科技有限公司 , 武汉 430074摘要 综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状 , 分析了几种高效率晶体硅太阳能电池 的结构 、 制备流程 、优越性以及性能等 , 这些 高 效率 电池 包 括 激光 刻 槽埋 栅 电池 、 PESC、
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硅太阳能电池制造工艺流程图
2018-08-17
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基于51单片机实现的太阳能电池板转向系统设计
2018-08-17
I 基于 51 单片机实现的太阳能电池板转向系统设计摘 要太阳能跟踪转向系统是针对太阳能空调、太阳能制氢、太阳辐照度测量、材料老化实验、高效太阳能光伏发电、高效太阳能热水器等需要对太阳进行实时跟踪的应用领域而设计的。太阳能跟踪系统的设计是综合运用地理学、物理学、光学,运动学、 控制理论等学科体现,是当前国内外研究的热点问题之一。太阳能既是一次能源,又是可再生能源。它资源丰富,既可免费使用,又无需
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晶硅电池片的制造工艺
2018-08-17
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能量转换的光电元件,它可以在太阳光的照射下,把光的能量转换成电能,从而实现光伏发电。生产电池片的工艺比较复杂,一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。本文介绍的是晶硅
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