空间太阳能电池	2018-08-17
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	硼扩散工艺实验报告	2018-08-17
	广东工业大学实验报告学院 专业 班 成绩评定学号 姓名 （ 号） 教师签名预习情况 操作情况 考勤情况 数据处理情况半导体器件实验 题目 硼扩散工艺 第 周 星期一、 实验目的1. 了解基区扩散；2. 熟悉硼扩散工艺；3. 了解热扩散炉的结构及操作。二、 实验原理扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式， 各种分离器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散， 硼扩散工艺是将一定数量的硼杂质掺入
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	晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序(20180723135833)	2018-08-17
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	扩散	2018-08-17
	实验题目硅片的扩散技术一、 实验目的1. 了解扩散设备的工作原理和操作方法，明确扩散技术在半导体器件制造工艺中的作用。2. 掌握扩散技术的原理和工艺方法。二、 实验设备、材料和用具扩散源、石英器皿、恒温扩散炉图 1 恒温扩散炉扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和 PN结。 在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。 但随着离子注入的出现， 扩散工艺在制备浅结
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	光伏并网发电光系统点亮2008	2018-08-17
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	简单的逻辑电路ppt1人教课标版	2018-08-17
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	扩散工艺常见质量问题及分析	2018-08-17
	扩散工艺常见质量问题及分析一、硅片表面不良1、表面合金点。形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。（ 1） 预淀积时携带源的气体流量过大。如 CVD 预淀积时源的浓度过高，液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲；（ 2） 源温过高，使扩散源的蒸气压过大；（ 3） 源的纯度不高，含有杂质或水份；（ 4） 预淀积时扩散温度过高，时间太长；为了改善高浓度扩散的表面，常在浓度较高的预
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	降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺(20180723095045)	2018-08-17
	第 27 卷 第 7 期2006 年 7 月半 导 体 学 报CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 27 No. 7J uly ,20063 国家高技术研究发展计划资助项目 批准号 2002AA3Z1110 通信作者 . Email cookiefile 126. com2005208227 收到 ,2005211210
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	集成电路中的有源与无源器件	2018-08-17
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	刻蚀	2018-08-17
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