简介：高效能的 HIT太阳能电池研究刘绍欢 国电光伏（江苏）有限公司 江苏（宜兴） Abstract Heterojunction with Intrinsic Thin Layer HIT solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with low temperature preparation, high conversion efficiency and excellent temperature coeff

简介：H IT 太阳能电池的发展概况 *史少飞 1, 2 , 吴爱民 1, 2, 3, 张学宇 1, 2 , 姜 辛 1, 4 1 大连理工大学 材料科学与工程学院 , 大连 116024; 2 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室 , 大连 116024;3 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室 , 大连 116024; 4 德国锡根大学材料工程学院 , 德国 锡根 57056摘要 阐述了异质结 HIT 太阳能电池的结构与特征 , 并从异质结能带结构的优 化 、 非 晶硅层的制 备方法 、 背面场 BSF 的研究 、 衬底材料的选取以及发射极材料的革新等方 面综述了 H IT 太阳能

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简介：HIT 太阳能电池的界面钝化研究 谢 杨 敬 启（中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室 北京 100083） 摘要摘要 硅异质结电池（ HIT ）具有制备温度低、稳定性好等优点，在光伏领域具有很好的前景。非晶硅 /单晶硅之间的界面态对电池性能影响较大，因而非晶硅 /单晶硅界面钝化问题一直是 HIT 电池研究热点之一。本论文从模拟与实验两方面研究了界面态密度对 HIT 电池的影响。 模拟结果表明界面态对电池开压影响较大， 而对电池电流密度影响较小 （如图 1 所示） ，实验采用少子寿命和表面光电压谱 （ SPS surface photovoltage spe

简介：Areviewon the researchand development of the silicon-basedheterojunction HITsolar cells with intrinsic thin layerAreviewon the research and the industrialization of silicon-based HIT solar cells with intrinsic thin layer is presented. The key technologies about improving the conversion eficiencies

简介：摘 要本文通过中国专利检索系统，检索了 hit 太阳能电池相关的专利申请，重点分析了hit 太阳能电池专利申请的分布情况，从技术演进、专利申请年度发表趋势进行了分析，在上述统计分析的基础上，总结出 hit 太阳能电池专利技术的一些规律，为进一步研究 hit 太阳能电池提供参考资料。关键词 hit ；太阳能电池；专利分析；技术发展hit 太阳能电池既利用了薄膜太阳能电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，其具有以下显著优点 （ 1）低温工艺， hit 太阳能电池结合了薄膜太阳能电池低温 （ 200℃～ 250℃） 制造的优点； （ 2） 高效率， hit 电池继承了单晶

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简介：Development status of high-efciency HIT solar cellsTakahiro Mishima n , Mikio Taguchi, Hitoshi Sakata, Eiji MaruyamaAdvanced Energy Research Center, SANYO Electric Co., Ltd., Japan, 7-3-2 Ibukidai-higashimachi, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo 651-2242, Japana r t i c l e i n f oAvailable online 28 Apri

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简介：文章编号 025420096 2007 0520504204HIT 太阳电池中 ITO 薄膜的结构和光电性能收稿日期 2006206219基金项目 河北省自然科学基金项目 F2005000073任丙彦 1 , 刘晓平 1 ,2 , 许 颖 2 ,3 , 王敏花 1 ,2 , 廖显伯 311河北工业大学 院部 信息功能材料研究所 ,天津 300130;21 北京市太阳能研究所 ,北京 100083; 31 中科院半导体所表面物理室 ,北京 100083摘 要 采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了 ITO 薄膜 ,并将其应用于 HIT 太阳电池 。

简介：www.soopat.com注本页蓝色字体部分可点击查询相关专利SooPAT一种 HIT太阳能电池电极的形成方法申请号 201210197286.8申请日 2012-06-15申请 专利权 人 上海中智光纤通讯有限公司地址 201108 上海市闵行区金都路 4299号 208室发明 设计 人 张宏 徐晓斌 彭铮 王巍 李媛媛 彭德香主分类号 H01L31/182006.01I分类号 H01L31/182006.01I H01L31/02242006.01IB41M1/122006.01I B41M7/002006.01I公开 公告 号 102

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简介：综 述２０１３．４ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．４收稿日期 ２０１２－ ０９－ ０１基金项目 国家科技支撑计划 （２０１０ＢＡＫ６９Ｂ２５）作者简介 白晓宇 （１９９０ ） ， 男， 山西省人， 硕士生， 主要研究方向为太阳电池技术 。６９０ＨＩＴ 电池缓冲层的关键技术发展概述白 晓 宇 １，２ ， 郭 群 超 １ ， 李红 波 １，２（１． 上海太阳能工程技术研究中心， 上海 ２００２４１ ； ２． 上海空间电源研究所， 上海 ２００２４５）摘要 ＨＩＴ 电池由日本 Ｓａｎｙｏ 公司于 １９９０ 年提出， 目前已达到 ２３．７％ 的最高效率 。 ＨＩＴ 电池制备的关键技术在于其本征缓冲

简介：A national laboratory of the U.S. Department of EnergyOffice of Energy Efficiency or grid/ITO/a-SiH/c-Sin or p/ a-SiH/metal in Fig 2 b. The finished cell is about 1 cm 2 in area with a 5-coverage metal grid on top of the ITO. Confirming JV measurements were done at NREL by the accredited P