简介：⚫底部富 铜 -顶部贫 铜结构的 CZTSSe薄膜结晶形貌恶化的情形下仍可获得较高光伏性能； ⚫所构建的 底部富 铜 -顶部贫 铜结构的 CZTSSe太阳电池性能提升的原因可能与吸收层内局部成分波动有关； ⚫实现良好电接触的前界面及体内载流子的高效输运； ⚫优化制备工艺 以 消除吸收层底部碎晶 ， 提升结晶质量 ， 有助于进一步 提高 CZTSSe薄膜 器件 光电转换效率 。 结论 This work was supported by the National Natural Science Foundation of China 51572132, 61674082, Tianjin

简介：Li2S掺杂 CZTSe薄膜及太阳电池探究 刘越 申展 王思宇 张毅 * 南开大学光电子薄膜技术研究所 天津， 300350 摘要 Li2S掺杂后元素分布 器件性能对比 采用在硒化金属预制层的过程中添加 Li2S的方式制备了碱金属掺杂 的 CZTSe化合物薄膜太阳电池 ， 并研究了 Li2S对 CZTSe太阳电池性能 的影响 。 详细研究并分析了 Li2S处理后的 Li以及 S元素的分布 ， 以及这种处理 方式提升太阳电池性能的机理 。 效率从 6.28提升至 8.28，开路电压从 346mV提升到了 466mV。 带隙从 1.04eV增至 1.06eV。 EQE响应在 500nm至 1

简介：Fig.4 a PL spectra of the absorbers with different AAC of A0–A6, respectively. b The PL spectrum of sample C6, in which the Ag in A6 is replaced with the equivalent amount of Cu. c The value of GGI and Eg with different AAC. 新能源材料制备与加工/Preparation and Processing of New Energy Materials 银掺杂的铜铟

简介：Numerical simulation of BaSi2 homojunction solar cells  The n-BaSi2/p-BaSi2500 nm/p-BaSi2 homojunction thin-film solar cell has obtained 0.28 cell efficiency experimentally, but the cell efficiency is far from the theoretical value of BaSi2 material.  There is no further explanation in theor

简介：高 迁 移 率 掺 钨 氧 化 铟 薄 膜 的 制 备 研 究甘 甜 ， 武 莉 莉 ， 张 艳 平 ， 张 静 全（ 四 川 大 学 ， 材 料 科 学 与 工 程 学 院 ， 成 都 ， 610065）u研 究 背 景 透 明 导 电 氧 化 物 TCO薄 膜 由 于 其 高 导 电 性 和 透 过 性 ， 被 广 泛 应 用 于 平板 显 示 器 ， 太 阳 能 电 池 等 领 域 。 为 制 备 导 电 性 更 佳 的 TCO薄 膜 ， 可 以 通 过 增大 迁 移 率 或 载 流 子 浓 度 来 实 现 。 但 过 高 的 载 流 子 浓 度 会 增 大 薄 膜 的 近

简介：使用 CdSe/CdS复合窗口层的碲化镉薄膜太阳电池 胡钢，李创，曹洪源，王文武，武莉莉，李卫，赵德威，冯良桓， 张静全 四川大学材料科学与工程学院，成都 610064； zhangjqscu.edu.cn 图 1. 基于硫化镉 /硒化镉复合窗口层的器件结构 左 和真空蒸发硒化镉层示意图 右 ◆ Notes ➢ 分别采用水浴法和真空热蒸发技术在 NSG TEC 12D衬底上 沉积硫化镉和硒化镉 层 ， 形成复合窗口层 。 ➢ 碲化镉吸收层采 用近空间升华法沉积 ， 厚度 约 3 μm。 碲化镉薄膜太阳电池理论效率高 、 发电成本低 ， 是迄今为止商业化进展最 快的薄膜太阳电池 。

简介：低醋酸腐蚀胶膜在新型 电池封装的应用研究 熊唯诚CONTENTS 目 录 01 02 03 04 公司和胶膜介绍 抗腐蚀胶膜的特点 EVA湿热/热老化 不同电池封装公 司 和 胶 膜 介 绍 PART 01百佳年代简介发展历程 2011年 成立光伏薄膜事业部 2012年 成立PC薄膜事业部 2013年 成立BOPET薄膜事业部 2015年 成立装饰基膜事业部 2017年常州百佳年代薄膜科技股份有限公司成立 2020年设立盐城百佳和越南百佳两 家子公司，同时建设BOPET第二条 生产线； 12月份引入中石化、国电投、招商 局资本等战投，同月完成IPO辅导备 案工作 2007年常州百佳薄膜科技有

简介： 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 基础材料 建筑节能 专题 薄膜 BIPV 春潮涌动 华泰研究 建材 增持 维持 玻璃 增持 维持 研究员 方晏荷 SAC No. S0570517080007 SFC No. BPW811 fangyanhehtsc.com 86-755-22660892 研究员 张艺露 SAC No. S0570520070002 zhangyiluhtsc.com 研究员 黄颖 SAC No. S0570522030002 SFC No. BSH293 huangying01

简介：本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 1 [Table_Title] 建筑建材行业深度报告 BIPV风口提速，建筑节能不是空谈 2022年03月27日 [Table_Summary]  2020年是 BIPV（光伏建筑一体化）发展元年，BIPV技术及应用场景不断 演进，落地项目也日益增多。作为新建材形态，其发展进程值得关注，业内已形 成了一些共识，例如 BAPV 主要应用于存量改造，BIPV 更适合新建建筑，以及 工商业更适配BIPV。推广过程则存在诸多痛点待解决，我们从建设方、使用方、 运营方3个角度梳理对于建设方，投资较大、回收周期较长，且建设

简介：ICS 13.020.01 CCS Z 00 团 体 标 准 T/CSES 41 2021 二氧化碳捕集利用与封存术语 Terms of carbon dioxide capture, utilization and storage CCUS） 2021 - 12 - 22 发布 2022 - 01 - 01 实施 中国环境科学学会 发布 全国团体标准信息平台 T/CSES 41 2021 I 目 次 前言 II 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 CCUS 相关 术语 1 4 二氧化碳 相关 术语 2 5 二氧化碳捕集和运输 相关 术语 4 6 二

简介： 企业温室气体排放核算方法与报告指南 发电设施解读 生态环境部 全国碳市场发电行业碳排放数据质量管理培训班 2022.4.6 告 制计划，对相关台账和原 化石燃料燃烧的生物质发电企业 核算边界示意图 建设的，副产品综合利用使 CNAS认可标识章 时，取 26.7GJ/t。 热量由每月平均低位发热量 电量 可得时取 0； 为 95；如没有则换

简介：广东省能源发展“十四五”规划 ２０２２年３月 目录 第一章 发展环境１􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 第一节 发展现状１􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 第二节 存在问题５􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 第三节 发展形势６􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 第四节 需求预测９􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺 􀆺

简介： “十四五”能源领域科技创新规划 2021年12月 I 目 录 前 言 . 1 一、发展形势. 2 （一）世界能源科技发展形势 2 （二）我国能源科技发展形势 5 二、总体要求和发展目标 8 （一）指导思想 8 （二）基本原则 8 （三）发展目标 9 三、重点任务. 10 （一）先进可再生能源发电及综合利用技术 10 （二）新型电力系统及其支撑技术 17 （三）安全高效核能技术 22 （四）绿色高效化石能源开发利用技术 26 （五）能源系统数字化智能化技术 39 四、保障措施. 46 （一）健全能源科技创新协同机制 47 （二）完善能源科技创新平台体系 47 （三）推动能源科技成果示范应用

简介：PID 测试分析报告 一、什么是 PID PIDPotential Induced Degradation （诱导电势衰减）表明光伏组件中的退化和损耗现 象，这个问题是在过去十年中，在逆变器中消除输出变压器之后越来越多。目前组串电压越 来越高的串，已经导致在电池上施加负电压（相对于地），如引起这种极化现象，从而导致 组件电压降低，导致整个系统的性能显著降低。许多光伏面板暴露于负电压接地时，诱导电 势衰落是光伏组串一个严重问题，它可以导致组件开路电压降低，影响电站发电量及经济收 益。 PID 效应是可逆的。目前市场上有几种抗 PID 装置。这些装置可以在夜 间进行修复组 件工作。然

简介：普 洛 德 （ 上 海 ） 智 能 科 技 有 限 公 司www.plaud-tech.com 普 洛 德 新 品 Anti-PID Box 有 效 解 决 PID 问 题一 、 PID 原 因 对 地 电 压 和 电 位诱 导 电 势 衰 减 （ PID） 是 一 种 影 响 晶 体 硅 光 伏 组 件 性 能 的 现 象 并 导 致 功 率 输 出 逐 步 恶 化 ，几 年 后 功 率 衰 减 达 到 30以 上 。 如 果 我 们 想 理 解 PID， 我 们 必 须 首 先 定 义 电 压 和 电 势 这 两 个术 语 电 压 的 电 势 点 描 述 了