表面钝化-光伏文库_太阳能光伏文库_太阳能发电技术文档

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晶体硅太阳能电池表面钝化技术研究进展（2页）

ELECTRONICS WORLD·攘索与彩赛晶体硅太阳能电池表面钝化技术研究进展尹雨欣文章综述了晶体硅太阳能电池表面钝化技术的研究进展，主要包括siN、钝化、Si0，钝化、si0／SiN、叠层钝化，Al0，钝化以及TOP． Con钝化接触，介绍了各钝化膜层的生长工艺、钝化原理及应...

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10001468_新型晶体硅表面钝化技术（4页）

新型晶体硅表面钝化技术陈剑辉 1 葛坤鹏 1杨林林 1 李锋 2 宋登元 1,2 许颖 1 麦耀华 3 1 物理科学与技术学院，河北大学，071002，保定 2 光伏材料与技术国家重点实验室，英利集团，071002，保定 3 新能源技术研究院，暨南大学，510632，广州摘要硅基光伏技术由于.

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太阳电池背表面钝化-王文静-中科院电工研究所.pdf （27页）

太阳电池背表面钝化王文静中科院电工研究所为什么背表面钝化越来越重要各种钝化技术的结果各种钝化技术与裸硅片及 100 金属化表面的饱和电流裸硅片的钝化与金属表面的钝化同样重要太阳电池表面钝化 Surface passivation N 型前表面钝化（P 型衬底） P 型背...

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氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用-周国华-江南大学.pdf （3页）

- m} - 收稿日期 2007 - 11 - 27 作者简介周国华 1981 - ,男 ,江苏泰州人 ,检测技术与自动化装置。研究方向高效太阳能电池。氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用周国

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Al2O3薄膜对c-Si表面钝化机制的研究-王禹钧-大连理工大学.pdf （56页）

硕士学位论文 Al 2 O 3 及 SiN x / Al 2 O 3 薄膜对 c-Si 表面钝化机制的研究 Investigation of Al 2 O 3 film and SiN x /Al 2 O 3 stacks on the surface passivation m

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N-PERT电池表面钝化技术研究-上海神舟新能源.pdf （15页）

光伏事业部技术研发中心 N-PERT电池表面钝化技术研究上海神舟新能源发展有限公司2014年11月8日光伏事业部技术研发中心万方数据光伏事业部技术研发中心光伏事业部技术研发中心银铝电极 metal contact P层硼掺杂（Boron diffusion）氧化/钝化层 passi

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0-00+工业化Al2O3沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究(ALD-PECVD-溅射对比).p （6页）

36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经...

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晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究（4页）

通大学学报JOURNAL OF XI′ AN JIAOTONG UN IV ERSITYVol. 36 № 6Jun. 2002文章编号 0253 - 987X 20020620651204晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究杨宏 1 , 王鹤 1 , 于化丛 2 , 奚建平 2 , 胡宏

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工业化Al2O3沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究（8页）

工业化 Al2O3 沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究摘要新一代工业化硅太阳能电池的目标转换效率在 20以上。在硅片厚度不断减薄的趋势下，为了实现这一目标，就必须为电池的前、背表面提供高效的钝化技术。在此之前，开发出一种可提供高质量背表面钝化的合适...

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工业化Al2O3沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究的副本（6页）

36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经...

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太阳能电池用硅片表面钝化研究（3页）

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硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究_曾湘安（5页）

第 53 卷第 3 期2014 年 5 月中山大学学报（自然科学版）ACTA SCIENTIAＲ UM NATUＲ ALIUM UNIVEＲ SITATIS SUNYATSENIVol. 53 No. 3May 2014硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究 *曾湘安，艾斌，邓幼俊，

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0-00+工业化Al2O3沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究(ALD-PECVD-溅射对比).p （6页）

36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经...

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工业化Al2O3沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究.pdf （6页）

36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经...

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