昆山迅立光电设备有限公司 迅立光电设备有限公司保密资料- 未经许可不得外传 高端真空镀膜设备的研发和制造 光伏 平板显示 半导体 节能建 筑 汽车 零部件 新 材料研 发 医疗器 械 非晶硅/ 晶体硅异质结(HAC )光伏 发展与 国产化 论坛 2018.11.18 江西南昌 动态在...
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3 北 京 市 科 技 新 星 计 划 资 助 项 目 H020821480130 收 稿 日 期 2003211206 PECVD 沉 积 氮 化 硅 薄 膜 在 退 火 过 程 中 的 特 性 变 化 及 在 太 阳 电 池 中 的 应 用 3 叶 小 琴 1 许 颖 2 李 艳 1 顾 雅 华
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PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 毕业设计(论文) ( 2013 届) 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147 姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院 专 业 材料加工及技术应用 班 级 10 材料( 1)班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 PECV
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第 15卷第 1期 材 料 科 学 与 工 程 总第 5 7期 V o 1115N o 11 M aterials Science 在 M O S 电路中 , Si3N 4和 SiO 2组成复合栅绝缘层 \[ 2 \], 对于提高电路的击穿电压起了很大作用 , 是 M O S 电路中最重要的工艺之一
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