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铸造多晶硅C、N杂质及其夹杂物的研究（30页）

多晶硅中Si3N4、SiC相界面及去除研究 20.1.06谭毅、李鹏廷大连理工大学材料学院第十六届太阳能级硅及光伏发电研讨会汇报提纲1研究背景及意义3Si3N4、SiC和Si的相界面研究 4定向凝固去除硅中硬质颗粒5电子束精炼2多晶硅中Si3N4SiC硬质颗粒替代位晶格畸变硬质夹杂产...

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第20卷第4期 2 0 1 4年4月计算机集成制造系统 Computer Integrated Manufacturing Systems V01．20 No．4 Apr．2 01 4 DOI10．13196／j．cims．2014．04．zhengjun．0898．11．20140421 基于工

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铸造单晶硅材料的晶界工程硅材料国家重点实验室 1 报告人张放导师余学功教授，杨德仁教授单位浙江大学 2 目录  研究背景  实验思路  结果和讨论  结论和展望 3 研究背景 bottom middle top [1] S. Nathan, et al. Solid State P

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铸造单晶中的生长微孪晶李杭霏原帅余学功教授杨德仁教授浙江大学硅材料重点实验室硅材料国家重点实验室 State Key Laboratory of Silicon Materials 目录背景介绍实验结果与讨论结论背景随着人口数量越来越多，温室气体排放量亦逐年上升，为了缓解

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高性能铸造单晶硅的制备与性能胡动力研发总监保利协鑫江苏协鑫硅材料科技发展有限公司目录 CONTENTS 行业背景铸造单晶介绍2 铸造单晶产业化3 铸造单晶发展方向4 1 总结5 行业背景 ● 硅体材料占总成本的 40 Data from ITRPV 9th Edition 2018,

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N型铸造多晶硅中磷的挥发及分布研究大连理工大学材料科学与工程学院 2018.11.10 李鹏廷，王子龙，谭毅第十四届太阳能级硅及光伏发电研讨会汇报提纲  研究背景及现状  磷的纵向分布及分凝行为  磷的横向分布及分凝行为  总结研究背景及现状目前市场上 P...

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