集成电路特征线宽的不断减小对直拉 CZ 单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下 ,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商 美国的 MEMC 公司近年来提出的基于快速热处理 RTP的内吸杂工艺 ,是一个有里程碑意义的突破...
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