薄膜太阳能电池知识大全

薄膜太阳能电池知识大全说明：薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金属片等不同材料当基板来制造， 形成可产生电压的薄膜厚度仅需数 μ m， 因此在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量 (厚度可低于硅晶圆太阳能电池 90%以上 )，目前转换效率最高以可达 13%， 薄膜电池太阳电池除了平面之外， 也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大， 可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份， 在薄膜太阳电池制造上， 则可使用各式各样的沈积 (deposition) 技术，一层又一层地把 p-型或 n-型材料长上去，常见的薄膜太阳电池有非晶硅、 CuInSe2 (CIS)、 CuInGaSe2 (CIGS)、和 CdTe等。薄膜太阳电池产品应用：半透明式的太阳能电池模块：建筑整合式太阳能应用 (BIPV) 薄膜太阳能之应用：随身折迭式充电电源、军事、旅行薄膜太阳能模块之应用：屋顶、建筑整合式、远程电力供应、国防薄膜太阳能电池的特色：1.相同遮蔽面积下功率损失较小 (弱光情况下的发电性佳 ) 2.照度相同下损失的功率较晶圆太阳能电池少3.有较佳的功率温度系数4.较佳的光传输5.较高的累积发电量6.只需少量的硅原料7.没有内部电路短路问题 (联机已经在串联电池制造时内建 ) 8.厚度较晶圆太阳能电池薄9.材料供应无虑10.可与建材整合性运用 (BIPV) 太阳能电池厚度比较：晶硅 (200～ 350μ m)、非晶性薄膜 (0.5μ m) 薄膜太阳能电池的种类：非晶硅 (Amorphus Silicon, a-Si)、微晶硅 (Nanocrystalline Silicon ， nc-Si， Microcrystalline Silicon ，mc-Si)、 化合物半导体 II-IV 族 [CdS、 CdTe(碲化镉 )、 CuInSe2]、 色素敏化染料 (Dye-Sensitized Solar Cell)、有机导电高分子 (Organic/polymer solar cells) 、 CIGS (铜铟硒化物 )等薄膜太阳能电池分类表薄膜太阳能电池制造厂商 ：联相光电、富阳光电、旭能光电、绿能科技、新能光电、茂迪、奇美能源、大亿光电、大丰能源、鑫笙能源、威奈联合、嘉晶电子、崇越科技、台达电、中环、宇通光电薄膜太阳能测试设备厂商 ：庆声科技薄膜太阳能制程流程表薄膜太阳能模块结构图说明：薄膜太阳能模块是由玻璃基板、金属层、透明导电层、电器功能盒、胶合材料、半导体层 等所构成的。薄膜太阳能电池可靠度试验规范： IEC61646(薄膜太阳光电模块测试标准 )、 CNS15115(薄膜硅陆上太阳光电模块设计确认和型式认可 ) 薄膜太阳能电池专有名词整理：英文名称 中文名称 说明A-Si Amorphus Silicon 非晶硅利用溅镀或是化学气相沉积方式在玻璃或金属基板上生成薄膜的薄膜太阳能生产方式。BIPV Building-integrated photovoltaic 一体型太阳能电池模板BIPV 是结合太阳能发电与建筑物外墙两项功能， 将太阳电池模块 (module) 或数组 (array) 整合、设计并装置在建筑物上的双用途产品。CdTe Cadmium telluride 碲化镉CdTe属于化合物半导体， 电池转换效率不差， 若使用耐高温( 约 600℃ ) 的硼玻璃作为基板转换效率可达 16%，而使用不耐高温但是成本较低的钠玻璃做基板也可达到 12%的转换效率，转换效率远优于非晶硅材料。CEI 904 具光谱照射光参考数据之太阳原件量测原理，等同 IEC 904 CIS Copper Indium Diselenide 硒化铟铜属于化合物半导体，这样的材料吸光范围广稳定性好，若是用聚光装置辅助，转换效率可达 30%，标准环境测试下最高也可达到 19.5%，模块的话，可达约 13%。CIGS Copper Indium Gallium Diselenide 铜铟镓硒属于化合物半导体，这样的材料吸光范围广稳定性好，若是用聚光装置辅助，转换效率可达 30%，标准环境测试下最高也可达到 19.5%，模块的话，可达约 13%。Dye-Sensitized Solar Cell 色素敏化染料GaAs Multijuction 多接面砷化镓Nc-Si Nanocrystalline Silicon 微晶硅是非晶硅的改良材料，其结构介于非晶硅和晶体硅之间，主要是在非晶体结构中具有微小的晶体粒子， 因此同时具有非晶硅容易薄膜化， 制程便宜的特性， 以及晶体硅吸收光谱广，且不易出现光劣化效应的优点，转换效率也较高。NOCT Nominal Operating Cell Temperature 标准操作电池温度在标准参考环境 (SRE)下，开架式安装模块之太阳能电池之平衡平均接面温度。Mc-Si(Microcrystalline Silicon) 微晶硅是非晶硅的改良材料，其结构介于非晶硅和晶体硅之间，主要是在非晶体结构中具有微小的晶体粒子， 因此同时具有非晶硅容易薄膜化， 制程便宜的特性， 以及晶体硅吸收光谱广，且不易出现光劣化效应的优点，转换效率也较高。PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 电浆体增强化学气相沈积在二个电极板间外加一个射频电压， 于是在二个电极之间的气体会解离而产生电浆，使用电浆的辅助能量，使得沈积反应的温度得以降低。Polymer solar cells 有机导电高分子Sputtering 真空溅镀SRE 标准参考环境倾斜角度 ( 与水平成 45 度 ) 、总照射度 (800Wm^-2)、周围温度 (20 ℃ ) 、风速 (1ms^-1) 、电力负载 (无开路 ) 。STC 标准测试条件电池温度 (25 ℃ ) 、照射度 (1000Wm^-2) 符合规范 CEI 904-3所要求之参考太阳能光谱之照射分布。Thin-film Photovoltaic 薄膜太阳能电池