大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展	2018-08-15
	本文由米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 整理推荐米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展摘要 集成电路芯片不断向高密度、 高性能和轻薄短小方向发展， 发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。 随着大直径硅片的应用， 硅片的厚度相应增大， 而先进的封装技术
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	关于硅多线切割的线痕问题	2018-08-15
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	等离子刻蚀工艺-培训教程	2018-08-15
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	单晶硅、多晶硅太阳电池区别？	2018-08-15
	单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池， 它的构成和生产工艺已定型， 产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。 这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求 99.999 ％。为了降低生产成本， 现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒， 材料性能指标有所放宽。 有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片
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	工艺事故分析	2018-08-15
	工艺事故质量分析一次清洗1．现象描述制绒后硅片厚度很薄在 160um 以下且硅片表面“小雨点”很多，导致硅片报废原因分析此类事故发生时多在新配液时， 主要原因是上一位员工在配氢氧化钾和硅酸钠后， 由于吃饭或其它原因把操作交给另外一位员工， 后面的员工上岗后没有加异丙醇就直接上料， 从而造成事故。事故总结新配液时， 由于更换操作员而导致没有加异丙醇， 出现工艺失控。 建议新配液时有一位员工
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	大连理工-康仁科-863课题	2018-08-15
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	第1章衬底	2018-08-15
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	单晶硅棒切片工艺详细流程	2018-08-15
	单晶硅 切 片制作 . 生产工艺流程具体介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。切片将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产
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	超声波清洗器广泛使用于电子器件、半导体硅片	2018-08-15
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	工艺故障排除指南(单晶制绒)	2018-08-15
	工艺故障排除指南单晶硅太阳能电池工 序 故障表现 诊 断 措 施制绒硅片表面大部分发白， 发白区域未出绒面1、 NaOH 与 IPA 比例失调。NaOH 含量偏低，不能充分进行反应， 或者 IPA 含量过高，抑止反应进行。1、 首先判断原因。2、 增加 NaOH 的浓度，减少 IPA 的用量。3、 如果不能调节，重新配制溶液。2、 如果表现后续返工可以处理发白区域，则可以断定NaOH 浓度不够。
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