简介：10 申请公布号 CN 102560646 A43 申请公布日 2012.07.11CN102560646A*CN102560646A*21 申请号 201210073988.522 申请日 2012.03.20C30B 29/06 2006.01C30B 11/00 2006.0171 申请人 浙江大学地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38 号72 发明人 余学功 肖承全 杨德仁74 专利代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224代理人 胡红娟54 发明名称一种掺杂电阻率均匀的 N型铸造硅单晶及其制备方法57 摘要本发明