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  • 简介:基于钝化接触技术的N型电池研发与产业化2019 CITPV 中 国 国 际 光 伏 技 术 论 坛 杭 州刘 大 伟国 家 电 投 集 团 西 安 太 阳 能 电 力 有 限 公 司 2 ContentsØ 公 司 简 介 与 产 品 介 绍Ø N-PERT电 池 产 业 化 进 展Ø 钝 化 接 触 技 术 的 研 究Ø TOPCon电 池 的 提 效 方 案Ø 总 结 与 展 望 国 家 电 投 集 团 西 安 太 阳 能 电 力 有 限 公 司 西宁 P-PERC电池 西安N-PERT/Topcon电池西宁200MW
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  • 简介:CSIQ NASDAQ 黑硅技术及多晶未来发展 2019/9/5 CITPV王栩生阿特斯阳光电力集团 2Canadian Solar Inc. 目录 多晶P3-P4-P5的发展路线公司简介总结与展望黑硅多晶P3技术 3Canadian Solar Inc. 阿特斯-健康、稳健 组件发货量超过33GW 全球最大的晶硅组件太阳能电站开发商9.5GW全球项目储备4.6GW已建成和并网电站1.2GW持有运营电站2001年成立于安大略省2006年NASDAQ CSIQ 上市生产,销售,服务网络覆盖全球19个国家/地区2017年GTM全球第一名晶硅电站开发商 在IHS组件质量可靠性和
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  • 简介:VON ARDENNE Future-proof HJT Coating Equipment Maximum Performance – Minimum Capex 06.09.2019 Future-proof HJT Coating Equipment; Confidential1 AGENDA 2 1. VON ARDENNE Company Introduction 2. VON ARDENNE‘s Roadmap 3. Key Component 4. TCO Solution Comparison Future-proof HJT Coating Equipme
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  • 简介:Topcon电池的挑战与机遇王文静中科院电工所中国科学院大学 太阳电池技术发展方向从钝化接触(con)到钝化重掺杂SiNxH 铝背场金属电极p型硅衬底n型发射极 SiNxH背场 金属电极PN型硅衬底n型发射极金属电极钝化膜 SiN xH背场 金属电极PN型硅衬底n型发射极钝化膜 可产业化的新型结构晶体硅太阳电池 Topcon POLO 从Topcon到HJT HIT Triex TopconPOLOSanyo 塞 昂 Solivo FrauhoferGIT, ECNPECVD 湿 法 氧 化 PECVD 湿 法 氧 化 PECVDLPCVD湿 法
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  • 简介:N型钝化接触电池技术及产业化最新进展陈嘉 博士泰州中来光电科技有限公司中国国际光伏技术论坛2019-09-06 目录 2 中来股份及中来光电公司简介双面N型钝化接触电池产业化与研发进展中来N型双面组件性能中来N型双面组件电站的应用总结 3 苏州中来光伏新材股份有限公司泰州中来光电科技有限公司苏州中来民生太阳能电力有限公司 – A股上市公司,SZ300393– 全球最大背板制造商– 全球30 市场份额– 全球最大2.4GW N型双面电池 – N型双面组件产能超过1GW– 注册资金 15 亿元– 申请高效电池组件相关专利 101项(获授权58项)– 致力于家庭分布式开发, 2
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  • 简介:CdTe薄膜太阳能技术发展介绍中山瑞科新能源有限公司齐鹏飞13916052698瑞科自主核心科技 公司介绍 l 创立于1993,总部位于广东中山,员工近万人,研发技术人员占比30以上;l 主营业务包括新能源高端装备、兆瓦级风机及核心部件的研发、制造、运维服务、新能源投资运营等;l 布局中山、北京、上海、深圳、香港、硅谷、汉堡全球七大研发中心及销售、服务体系;l 2018年全球新能源企业500强中位居第37位,2018年全球海上风电创新排名第一位。l 2019年1月份在上海证券交易所上市,股票代码601615全球新能源500强372018全球海上风电创新12018 a
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  • 简介:光伏从技术到产业化的 密码解读 2019 | 9 施正荣 博士 能源产品的三个特点 光伏正在成为最廉价的发电技术 2019.8 260RMB/MWh China 光伏正在成为最廉价的发电技术 目前晶硅技术已成为产业的主流 0.21 梦想成为现实,过程值得我们分析、思考、总结、借鉴 ⚫ 特点 ➢ 直接带隙半导体材料,四元化合物,光电转换理论 30 ➢ 对太阳光谱,特别是近红外区域响应好 ➢ 抗辐射,弱光效应好 ⚫ 缺陷 ➢ 材料组分复杂,工艺稳定性和产品良率低,仅为 50 ➢ In 是稀有元素,全球储量仅 1.5万吨 ⚫ 特点 ➢ 直接带隙半导体材料,光电转换理论效率高达 30
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  • 简介:- 0 - 2020-1-2 光 伏 发 展 评 述 与 未 来 展 望沈 辉杭 州 2019 .09. 05 - 1 - 2020-1-2 主 要 内 容 光 伏 理 论 建 立 与 发 展 我 国 光 伏 发 展 历 史 回 顾 晶 体 硅 太 阳 电 池 技 术 发 太 阳 电 池 发 展 的 经 验 教 训 新 型 硅 基 异 质 结 太 阳 电 池 晶 体 硅 光 伏 组 件 技 术 发 展 光 伏 产 业 发 展 前 景 展 望 古 代 太 阳 文 化 与 技 术 - 2 - 2020-1-2 光 伏 理
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  • 简介:Inst. Of Photo-electronics 薄膜太阳电池 发展 历程 与 展望 孙 云 sunynankai.edu.cn 南开大学电子信息与光学工程学院光电子 研究所 杭州 2019年 9月 5日 Inst. Of Photo-electronics 已 商品化 的 薄膜太阳电池 硅薄膜电池 碲化镉电池 铜铟镓硒电池 原材料 丰富 、 无毒 、 无 污染 ,工艺 简单可靠 ,裁剪方便 ;转换效率低 , 有光致衰退 , 被主流 市场 淘汰 。 与太阳光谱有最佳 匹配的禁带 宽度; 不衰退;抗辐射 能力最 强; 负温度 系数最低 。 有源层光吸收系数最高 ,
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  • 简介:技术总结 户外环境影响光伏组件固有的漏电流,PID的衰减方式主要有PID-s和PID-p,当然还存在其它衰减方式,目前PID衰减机理还没有一个系统的全面的解释; PID-s主要在PN结处形成漏电流通道,影响Rsh、FF;PID-p主要离子极化加速表面少子复合速率,影响Isc、Voc; P-perc双面正面主要为PID-s,背面主要为PID-p; N-PERT双面正面两种方式都存在,背面主要是PID-s,所以一般正面衰减大; 多主栅组件PID焊带区域明显衰减更严重,猜测为焊带结构导致局部场强大导致; N-pert双面组件PID封装优化,可以选择高克重POE,
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  • 简介:建设户外实证监测平台,采用长期运行监测手段,可有效对光伏电站关键部件能否满足领跑者性能要求进行长期监管,同时为提高光伏电站关键部件效率提供数据支撑。 光伏组件实证监测系统对组件运行性能长期实证测试包括前期组件初始功率标定、组件长期在线测试、组件测试结果分析。 光伏组件STC条件移动测试平台在进行组件运行性能长期实证测试前,对光伏组件初始功率进行STC条件标定,并对组件进行EL测试。 该移动测试装置还可为“领跑者”实证电站内运行的组件提供STC条件下功率标定,获取实验室检测的衰减率,结合实证监测衰减率进行综合比较分析。 光伏逆变器实证监测系统针对光伏领跑技术
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  • 简介:技术总结 单晶全面超越得益与技术创新,核心技术的突破是关键。本文做了阶段性总结,内容涵盖 一.黑心片(同心圆)形成机制及影响因素 二.单晶性能与电池的转换效率 三.单晶的品质控制 四.太阳能单晶创新拉晶技术分析 五.新一代拉晶技术进展
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  • 简介:HJT电池和组件的量产推动了光伏行业新一轮技术升级,也给精准IV测试带来了新的挑战。HJT组件的高容性需要更长的扫描时间来消除,针对实验室测试环境,介绍了最长可达1000ms的线性正、反向对比测试方案,针对25s的产线测试节拍要求,实现了等效600ms的长脉冲叠加智能扫描方案。对于双面HJT组件精确测试,研究了各种背面反射条件下的差异,开发了闪光过程中温升消除、双面闪光精准辐照度控制等技术。
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  • 简介:©Fraunhofer ISE/Foto Guido Kirsch© Fraunhofer ISEFHG-SK ISE-CONFIDENTIALCONFIDENTIAL The Impact Of Novel Module Designs On Power And Costs Module Concepts and Applications Max Mittag, Boris FarnungFraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE13 th PVPMC WorkshopKunshan, 09.12.2019ww
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  • 简介:不同直径圆形焊带多主栅组件 功率和 CTM模型研究 连云港神舟新能源 二 O一九年十一月二三日 目 录 2.研究 内容与结果 2.1多主栅电池片修正 3.结论 1.研究背景与内容 2.2 不同尺寸圆形焊带 12BB电池片功率计算 2.3 12BB整片 组件 CTM理论 计算 2.4 60板型整片 12BB组件试制与测量 2.5 实际功率与理论计算对比 多主栅技术通过 提高电池片主栅线数量 , 达到降本增效的目的。 目前,大多 数厂家多主栅产品进入量 产阶段 , 具备稳定 的数据基础,对多主栅组件 CTM模型 研究 提供支持 。 1、研究背景与内容 五 参数模型 (单 二极管
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