简介：本文由生产计划部贡献doc 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。世界和 2006 年世界和中国 光伏 太阳能电池 光伏 太阳能电池 产业全景数据一 , 光伏上游相关产业数据 一 2004 和 2005 年世界高纯多晶硅制造商产量及其光伏供应量一览表 鉴于光伏产业保持持续高速增长态势 , 世界晶硅原料的光伏应用比例逐年增 加 , 根据我们的分析 , 光伏晶硅原料的用量将会在 2007 年超过半导体行业的用 光伏晶硅原料的用量将会在 量 . 下图给出了包括 SGS,Hemlock,Wacker,Tokuyama,AsiMI

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简介：晶体硅太阳电池前电极形成机理分析 3李军勇 ,梁宗存 ,赵汝强 ,金井升 ,沈 辉中山大学太阳能系统研究所 ,国家新能源工程技术研究中心华南分中心 ,广州 510006 摘要 目前市场上 85 以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前 、 背电极 。 为了了解前电极的 Ag 2Si接触形成机理以及电流传输机制 ,对前电极烧结工艺以及 Ag 2Si 接触的形成机理进行了分析 ,提出了 4 种 Ag2Si 界面的接触形式 。 根据不同的界面接触形式 ,指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最主要的电流传输方式 。关键词 太阳电池 前电极 烧结 Ag2Si

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简介：晶硅太阳能电池生产线工艺及设备调研第一章 背景及原理第二章 主要生产工艺过程第三章 主要设备介绍第四章 深圳相关公司介绍第五章 我国晶硅太阳能电池设备存在三大问题（引用网络文章）第一章 背景及原理1.1 背景略（光伏意义，政府政策等）1.2 硅太阳能电池的结构及其工作原理其主要是利用硅半导体 p-n 结的光生伏打效应。 即当太阳光照射 p-n 结时， 便产生了电子 -空穴对， 并在内建电场的作用下， 电子驱向 n 型区， 空穴驱向 p 型区， 从而使 n 区有过剩的电子， p 区有过剩的空穴，于是在 p-n 结的附近形成了与内建电场方向相反的光生电场。在 n 区与 p 区间产生了电动势。当接

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简介：各种不同太阳电池的优缺点分析http//news.cecb2b.com/ 来源 元器件交易网 日期 2012 年 05 月 10 日硅太阳 电池 的应用日趋广泛 , 但昂贵的原材料成为发展的瓶颈 . 薄膜太阳 电池 由于只需使用一层极薄的光电材料， 材料使用非常少。 并可使用软性衬底， 应用弹性大， 如果技术发展成熟， 其市场面将相当宽阔。 本文就迄今被人们广为关注的薄膜太阳 电池 , 即非晶硅薄膜太阳 电池 ， 微 多 晶硅薄膜太阳 电池 ， 铜铟硒薄膜太阳 电池 ， 碲化镉薄膜太阳电池， 染料敏化薄膜太阳电池和有机薄膜太阳电池的发展概况 , 技术难点和优缺点进行论述。1 引

简介：晶体硅太阳电池工艺技术新进展 3赵汝强 ,梁宗存 ,李军勇 ,金井升 ,沈 辉中山大学太阳能系统研究所 ,广东省教育厅太阳能重点实验室 ,国家新能源工程技术研究中心华南分中心 ,广州 510006 摘要 晶体硅太阳电池是目前技术最成熟 、 应用最广泛的太阳电池 。 以晶体硅太阳电池的生产流程为基础 ,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发 ,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果 ,并对各种制备工艺进行了评价 。关键词 晶体硅太阳电池 制备工艺 最新进展New Develop ment of Manufact ure Technology of Cryst

简介：晶体硅太阳电池组件的优化设计孔凡建江苏辉伦太阳能科技有限公司（ 210032）一般地认为，晶体硅太阳电池组件的制造技术比较简单，所以一些企业对组件制造过程的技术管理和控制并不十分重视，并且在某些方面存在着误解和错误，而且关于晶体硅太阳电池组件的相关文献十分缺少。笔者近几年相继发表了一些关于晶体硅太阳电池组件的研究报告 [1-3] 。本文的目的就是将这些报告中的一些成果和目前正在研究的成果做一个简要的介绍。1． 光路优化和光学增益文献 [1]于 2003 年发表，讨论了晶体硅太阳电池组件的光学增益问题。文献中记载的实验证明，好的光学匹配可以使光学增益达到 5.75。但是，坏的光学匹配，也可以

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