简介：1 培 训 资 料前道一 制绒工艺一、制绒目的1.消除表面硅片有机物和金属杂质。2.去处硅片表面机械损伤层。3.在硅片表面形成表面组织，增加太阳光的吸收减少反射。二、工艺流程1、来料，开盒，检查，装片，称重，配液加液，制绒，甩干，制绒后称重，绒面检查，流出。2、单晶制绒（ 1） 1 号机槽号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 作用 超声 溢流 制绒槽 超声 喷淋 溢流成份柠檬酸/ 双氧水 氨水纯水 NaOHIPANa 2SiO 3 纯水配液 6 瓶/25L25L 5 瓶 3 瓶 3 瓶补加液 100-150g1L 无温度 90/60 60 80 常温时间 300/600 20

简介：行政安全管理1 生产基础安全知识电池片生产工艺过程1. 制绒面目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以 HF． HN03 为基础的水溶液体系，其基理为 HN03 给硅表面提供空穴，打破了硅表面的 Si2H 键，使 Si 氧化为 Si02 ，然后 HF 溶解 Si02 ，并生成络合物 H2SiF6 。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成的粗糙的多孔硅层，有利于减少光反射，增强光吸收表面。制绒的化学反应原理Si2HN03Si02H20NOx Si026HFH2[SiF6]2H2 碱洗槽 利用 KOH溶液洗除多孔硅酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜。这个多孔硅膜具有极低

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简介：复习资料1 一、 填空题（ 28）1、我们公司主要使用的太阳能电池材料是 _单晶硅 _。2、化学清洗中 HCL 的作用 _去除金属离子 _。3、我们公司生产的单晶硅片是 N 型还是 P 型硅 _P 型 _。4、 制绒的目的是 去除表面污垢和金属杂质、去除硅片表面的损伤层、增加 PN 结的表面积、形成绒面减少反射增强阳光的吸收。5、制绒工艺化学反应方程式 __SINAOH → NA2SIO3H2_ _。6、去 PSG 工艺化学总方程式 __SIO2HF → H2SIF6H2O_ _。7、硅片在切割的过程中所造成的损伤层约 __10um 左右 。8、制绒工艺主要控制点 __减薄量 __

简介：武汉轻工大学毕 业 设 计（论 文）光 伏 行 业 成 本 分 析姓 名曾娟学 院经济与管理学院学 号 018011200050专 业会计年 级 11 级2014 年 8 月 20 日摘 要目前我国的光伏产业虽然拥有了世界第一的光伏电池制造能力，但由于发展时间短， 光伏产业的配套体系尚未完全建立， 光伏发电成本还有较大的下降空间 。由于目前光伏组件成本偏高导致发电成本高于传统发电方式， 因此光伏技术降低成本是主导方向， 成本控制是关键。高效率、低成本将成为太阳能光伏发电的发展趋势，光伏产品应用也将更多的从地面和屋顶电站向自给式、 分布式应用发展， 最终实现清洁电力的平价上网。

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简介：单晶硅太阳能电池1. 基本 结构2. 太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀 钢丝 切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类1、有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。2、 颗粒沾污 运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm 颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm 颗粒。3、 金属离子沾污 该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。 硅片表面金属杂质沾污又可分为两大

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简介：新余吉阳新能源有限公司This document and information herein is the property of JY and all unauthorized use and reproduction is prohibited.XinYu Giga Solar New Energy Co., Ltd 机密等级 机密 新余吉阳新能源有限公司Controlled Document （受控）Confidential level Confidential Document Title 文件名称 PECVD工艺文件Document Number文件编号 X

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简介：第 42 卷 第 9 期2015 年 9 月天 津 科 技 TIANJIN SCIENCE TECHNOLOGY Vol.42 No.9Sep. 2015收稿日期 2015-08-09 应用技术 倒角砂轮使用寿命研究陶术鹤 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津 300220摘 要 在硅片倒角过程中，影响到硅片边缘质量的因素很多，主要是主轴精度、 Y 轴端跳、砂轮金刚石密度等。设备参数中切入量对倒角边缘质量影响也很大，切入量越小，边缘质量越好，硅片边缘出现崩边、亮点的几率也越小。设备本身的冷却水也很重要，当冷却水流量达到一定量时，降低砂轮与硅片接触位置的表面温度，

简介：单晶硅的制备工艺张可升无机非金属 材科 7 班 学号 20090800730 一、 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅， 然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核， 如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒， 则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料， 随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸（ 300 毫米）及 18 英寸（ 450 毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就

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