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简介：20.5 以上效率多晶电池量产技术路线1.晶体硅电池效率损失机制太阳能电池转换效率受到光吸收利用、 载流子输运、 载流子收集的限制。 对于晶体硅电池而言， 其转换效率的理论最高值是 28。 影响晶体硅电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图 1 所示（ 1）光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。（ 2）电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻， 以及金属和硅片的接触电阻等的损失。 这其中最关键的是降低光生载流子的复合， 它直接影响太阳能电池的开路电压。 当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅

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简介：36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言，可以通过采用热氧化（≥ 900℃） SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面，可以达到非常低的表面复合速率（ SRV）水平。背表面处，热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜，在经过约 400℃左右的退火处理之后（即所谓的“退火”工艺），可在低电阻率（约 1Ω cm）的 p型硅片上将 SRV降低至 20cm/s以下 [2] 。除此之外，电池背表面的 SiO 2/Al 叠层结构还可作为近带隙光子的极佳反射器，可显著提升（背表面的）限光特性并以此提高电池的短路电流。但是为什么迄今为止热

简介：本文由生产计划部贡献doc 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。世界和 2006 年世界和中国 光伏 太阳能电池 光伏 太阳能电池 产业全景数据一 , 光伏上游相关产业数据 一 2004 和 2005 年世界高纯多晶硅制造商产量及其光伏供应量一览表 鉴于光伏产业保持持续高速增长态势 , 世界晶硅原料的光伏应用比例逐年增 加 , 根据我们的分析 , 光伏晶硅原料的用量将会在 2007 年超过半导体行业的用 光伏晶硅原料的用量将会在 量 . 下图给出了包括 SGS,Hemlock,Wacker,Tokuyama,AsiMI

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简介：晶体硅太阳电池前电极形成机理分析 3李军勇 ,梁宗存 ,赵汝强 ,金井升 ,沈 辉中山大学太阳能系统研究所 ,国家新能源工程技术研究中心华南分中心 ,广州 510006 摘要 目前市场上 85 以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前 、 背电极 。 为了了解前电极的 Ag 2Si接触形成机理以及电流传输机制 ,对前电极烧结工艺以及 Ag 2Si 接触的形成机理进行了分析 ,提出了 4 种 Ag2Si 界面的接触形式 。 根据不同的界面接触形式 ,指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最主要的电流传输方式 。关键词 太阳电池 前电极 烧结 Ag2Si

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简介：晶硅太阳能电池生产线工艺及设备调研第一章 背景及原理第二章 主要生产工艺过程第三章 主要设备介绍第四章 深圳相关公司介绍第五章 我国晶硅太阳能电池设备存在三大问题（引用网络文章）第一章 背景及原理1.1 背景略（光伏意义，政府政策等）1.2 硅太阳能电池的结构及其工作原理其主要是利用硅半导体 p-n 结的光生伏打效应。 即当太阳光照射 p-n 结时， 便产生了电子 -空穴对， 并在内建电场的作用下， 电子驱向 n 型区， 空穴驱向 p 型区， 从而使 n 区有过剩的电子， p 区有过剩的空穴，于是在 p-n 结的附近形成了与内建电场方向相反的光生电场。在 n 区与 p 区间产生了电动势。当接

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