简介：点击查看更多korteHIT电池关键技术-经典精彩内容。

简介：非 晶 硅 / 晶 体 硅 HIT太 阳 电 池 研 究摘 要 运用 AMPS程序模拟计算了 p-型非晶硅 / n-型晶体硅 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 异质结太阳电池的光伏特性。通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较， 得出导带补偿小部分 0.18eV ， 价带补偿大部分 0.5eV 的基本结论。同时还证实，界面态是决定电池性能的关键因素，显著影响电池的开路电压（ VOC）和填充因子（ FF） 。最后计算了这种电池理想情况下（无界面态、 有背面场、 正背面反射率分别为 0 和 1） 的理论效率 Eff2

简介：SANYO Develops HIT *1 Solar Cells with World ’ s Highest Energy Conversion Efficiency *2 of 23.0 *3Click here for high-resolution press photos available for a limited time only Tokyo, May 22, 2009----SANYO Electric Co., Ltd. SANYO announced today that it has broken its own record for the world

简介：蓝光仪器 HIT 扭力测试仪使用说明 蓝光 HIT 系列扭力测试仪 使用说明书 HIT 系列扭力测试仪是一种分体式的大量程扭力测试仪器。广泛使用于生产控制系统， 是一种易操作， 精确度高， 又经济的测试工具。一、特点 1、扭力大小为很清晰的数字显示，故阅读简单，精确； 2、具有最大值保持 PEAK 和跟踪 TRACK 两种测量方式；3、结构部分简单、坚固； 4、仪器携带方便、轻巧，使用可充电电池供电。 二、面板功能键说明（图一所示）（图一） 1、 POWER电源开关 ON 电源打开 OFF 电源关闭； 2、 RESET 复位开关按下时清掉保持状态 PEAK时

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简介：点击查看更多RF-PECVD制备非晶硅膜及HIT太阳电池的研究精彩内容。

简介：高效能的 HIT太阳能电池研究刘绍欢 国电光伏（江苏）有限公司 江苏（宜兴） Abstract Heterojunction with Intrinsic Thin Layer HIT solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with low temperature preparation, high conversion efficiency and excellent temperature coeff

简介：H IT 太阳能电池的发展概况 *史少飞 1, 2 , 吴爱民 1, 2, 3, 张学宇 1, 2 , 姜 辛 1, 4 1 大连理工大学 材料科学与工程学院 , 大连 116024; 2 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室 , 大连 116024;3 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室 , 大连 116024; 4 德国锡根大学材料工程学院 , 德国 锡根 57056摘要 阐述了异质结 HIT 太阳能电池的结构与特征 , 并从异质结能带结构的优 化 、 非 晶硅层的制 备方法 、 背面场 BSF 的研究 、 衬底材料的选取以及发射极材料的革新等方 面综述了 H IT 太阳能

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简介：HIT 太阳能电池的界面钝化研究 谢 杨 敬 启（中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室 北京 100083） 摘要摘要 硅异质结电池（ HIT ）具有制备温度低、稳定性好等优点，在光伏领域具有很好的前景。非晶硅 /单晶硅之间的界面态对电池性能影响较大，因而非晶硅 /单晶硅界面钝化问题一直是 HIT 电池研究热点之一。本论文从模拟与实验两方面研究了界面态密度对 HIT 电池的影响。 模拟结果表明界面态对电池开压影响较大， 而对电池电流密度影响较小 （如图 1 所示） ，实验采用少子寿命和表面光电压谱 （ SPS surface photovoltage spe

简介：Areviewon the researchand development of the silicon-basedheterojunction HITsolar cells with intrinsic thin layerAreviewon the research and the industrialization of silicon-based HIT solar cells with intrinsic thin layer is presented. The key technologies about improving the conversion eficiencies

简介：摘 要本文通过中国专利检索系统，检索了 hit 太阳能电池相关的专利申请，重点分析了hit 太阳能电池专利申请的分布情况，从技术演进、专利申请年度发表趋势进行了分析，在上述统计分析的基础上，总结出 hit 太阳能电池专利技术的一些规律，为进一步研究 hit 太阳能电池提供参考资料。关键词 hit ；太阳能电池；专利分析；技术发展hit 太阳能电池既利用了薄膜太阳能电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，其具有以下显著优点 （ 1）低温工艺， hit 太阳能电池结合了薄膜太阳能电池低温 （ 200℃～ 250℃） 制造的优点； （ 2） 高效率， hit 电池继承了单晶

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简介：Development status of high-efciency HIT solar cellsTakahiro Mishima n , Mikio Taguchi, Hitoshi Sakata, Eiji MaruyamaAdvanced Energy Research Center, SANYO Electric Co., Ltd., Japan, 7-3-2 Ibukidai-higashimachi, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo 651-2242, Japana r t i c l e i n f oAvailable online 28 Apri

简介：杜益周，李光星 湖南省电力公司 怀化电业局，湖南 怀化 418000 摘 要 通过分析配电网在设置不同中性点接地方式后， 出现各种运行故障时， 内外过电压、过电流的情况， 从而得出不同电网中为了保护设备和人身安全以采取哪种中性点接地方式为最佳。 并对电网就供电可靠性以及运行维护等几个方面探讨各种中性点接地方式的优缺点和适用场所。关键词中性点不接地系统；中性点电阻接地系统；中性点谐振接地系统； 中性点直接接地系统；消弧线圈中图分类号 TM727 文献标志码 A 文章编号 1001-7836 电力系统接地运行方式涉及电网的安全运行、供电可靠性、用户用电安全等