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简介:华中科技大学文华学院毕业设计(论文)题目薄膜太阳能电池的研究与发展现状学 生 姓 名 陈刚祥 学号 080110011106 学 部 (系) 信息学部电子科学与技术系专 业 年 级 电子科学与技术 2008级指 导 教 师 周裕鸿 职称或学位 讲师2012 年 5 月 13 日华中科技大学文华学院毕业设计(论文)I目 录摘 要 · · · · · · · · · · · · · · · · ·
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简介:硅基薄膜太阳能电池基础知识非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺内容提纲一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介二、非晶硅太阳能电池制造工艺三、非晶硅电池封装工艺一、 非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介1、电池结构分为单结、双结、三结2、制造技术三种类型①单室,多片玻璃衬底制造技术该技术主要以美国 Chronar、 APS、 EPV 公司为代表②多室,双片 或多片 玻璃衬底制造技该技术主要以日本 KANEKA 公司为代表③卷绕柔性衬底制造技术 衬底不锈钢、聚酰亚胺 该技术主要以美国 Uni-Solar 公司为代表所谓“单室,多片玻璃衬底制造技术”就是指在一个真空室内,完成 P、
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简介:2011-2-28 1薄膜太阳能电池的特点及发展前景清华大学机械工程系张 弓 教授 / 博导2011-2-28 2主要内容1. 光伏产业的发展现状2. 薄膜太阳能电池在光伏产业中的地位3. 非晶硅、碲化镉、铜铟硒三种典型薄膜太阳能电池的特点及应用4. 薄膜太阳能电池的特点和优势5. 薄膜太阳能电池与建筑的结合2011-2-28 31. 光伏产业的发展现状2011-2-28 4z 光伏发电已逐渐从解决特殊领域供电转向作为常规能源的一种重要补充,并以分散的形式进入电力市场。z 在可以预见的将来,光伏发电必将部分取代常规能源。z 满足可持续发展战略和环境保护的需要。z 近几年,光伏电池以及组件产量
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简介:广州建筑 GUANGZHOU ARCHITECTURE 2007 年第 2 期1976 年 , 卡尔松和路昂斯基宣告了无定形硅( 简称 a- Si ) 薄膜太阳能电池的诞生。时至今日 ,非晶硅科技已转化为一支大规模的产业 , 对整个光伏洁净 可 再 生 能 源 发 展 起 到 巨 大 的 推 动 作 用 ,极大地增强了人们对作为清洁可再生能源的光伏能替代常规能源的信心。本文将通过分析非晶硅薄膜太阳能电池发展过程和近期研究进展 , 展望薄膜太阳能电池的应用发展前景。1 非晶硅薄膜太阳能电池的发展过程1.1 非晶硅薄膜太阳能电池的起步阶段研究发现 , 太阳能电池可用廉价的非晶硅材料和工艺制作 ,
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简介:薄膜太阳能电池研究进展孔继川 缪 娟河南理工大学物理化学系 ,河南 焦作 454000摘 要 薄膜太阳能电池是缓解 能源危机的新型光伏器件 。 综述了硅基薄膜太阳能电池 、C dTe薄膜 太阳能电池 、C IS CIGS 薄膜太阳能电池 、T iO 2 薄膜太阳能电池 、Z nO薄膜太阳 能电池和有机薄膜太阳能电池的研究现状 , 展望了 太阳能电池的发展趋势 。关键词 薄膜太阳能电 池 硅 C dTe C I S T iO2 Z nO 有机收稿日期 2008 - 05 - 09基金项目 河南省自然科学基金 编号 0511050200 和河南理
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简介:GaAs 太阳能电池李永富太阳光辐射主要是以可见光 为中心,分布于 0.3 微米至几 微米光谱范围,对 应光子能量0.4eV4eV 之间,总体来说,理想太阳能电池材料需要具备能带在 1.1eV1.7eV 之间 对应光波长范围 0.731.13 μ m直接能带半导体组成材料无毒性可利用薄膜沉积技术且可大面积制备有良好的光电转换效率具有长期稳定性GaAs 是典型的 III-V 族化合物半导体材料,具有直接能带隙,带隙宽度为 1.42eV( 300K) ,可以良好的吸收太阳光,因此,是很理想的太阳能电池材料。 GaAs 材料的主要特点光吸收系数高。 GaAs 太阳能电池的有源区厚度多
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简介: 鏈 枃鐢眑 iujunxia80600璐$尞pdf鏂囨。鍙 兘鍦╓ AP绔 祻瑙堜綋楠屼笉浣炽€傚缓璁 偍浼樺厛閫夋嫨 TXT锛屾垨涓嬭浇婧愭枃浠跺埌鏈 満鏌ョ湅銆�绗 鍗� �4鏈 绗� �2008骞�2鏈�鏉 鏂 鐮 绌 涓 搴 鐢� � � � � � �MA TERIAL S R ESEA RC H AND A PPL ICA TIONVo1. 2 ,No . 4 Dec . 2 0 0 8鏂囩珷缂栧彿 167329981 2008 0420450205闄堝煄閽 � , 閭辫儨妗 � , 鍒樼繝闈 � , 鍚寸嚂涓 � , 鏉�1 , 浣欐 杩
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