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简介：1 一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕； 见附图一、二 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插 25 片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插 100 张硅片，需更换手套。5.3

简介：第二章扩散工艺作业1、 1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20 分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μ m的结深，推进时间应为多少假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多少 （已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 1021cm-3， 磷的扩散系数为 1.39 10-14cm2/s， 1100℃时磷的扩散系数为 1.56 10-13 cm2/s ）2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃， 11分钟预淀积扩散；再进行 1180℃， 40分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽

简介：关于有机太阳能电池及其材料姚阳屹 电子 81 08051025 能源问题是制约 21 世纪经济社会发展的全球性问题 ,而解决能源问题的方法有时日新月异。 近段时期在世界范围内越来越受到重视的是各种可再生能源。 风能， 潮汐能等的应用在人们对能源的强烈渴望中逐步发展起来。 然而这些大自然的赋予似乎仍然难以满足日增的能源需求， 所以自然而然的， 人们便把目光投向了我们平日最常见但却最难被应用的一种能源太阳能。太阳能占地球总能量 99以上，是人类取之不尽用之不竭的可再生能源．也是清洁能源，不产生任何的环境污染。然而这看似无穷无尽的能源我们又将以什么方式来应用呢仅仅是索取那阳光下的片刻温暖是

简介：非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺内容提纲一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介二、非晶硅太阳能电池制造工艺三、非晶硅电池封装工艺一、 非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介1、电池结构分为单结、双结、三结2、制造技术三种类型①单室，多片玻璃衬底制造技术该技术主要以美国 Chronar 、 APS、 EPV 公司为代表②多室，双片（或多片）玻璃衬底制造技该技术主要以日本 KANEKA 公司为代表③卷绕柔性衬底制造技术（衬底不锈钢、聚酰亚胺 该技术主要以美国 Uni-Solar 公司为代表所谓 “ 单室，多片玻璃衬底制造技术 ” 就 是指在一个真空室内，完成 P、 I、 N 三层非晶

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简介：湖南红太阳光电科技有限公司 文件编号 UMGD/ZLPG-DJ-26-2012 等离子刻蚀设备操作规程版号 A 修改第 0 次页 码第 1 页 共 2 页编制宇树光 审核 批准 / 日期1 1. 目的确保刻蚀机处于良好的运行状态。2. 适用范围刻蚀机操作及保养。3. 参考设备管理程序。4. 责任由设备工程师及工艺工程师负责。5. 内容5.1 开机5.1.1 合上墙上电控柜中的断路器开关，按下“电源”，此时将自动登录初始画面，用户登录名和密码，然后点击“进入”，输入相应的密码，进入操作界面（手动模式）；点击“真空泵”图标按钮，等待 10 秒钟真空泵完全启动；5.1.2 旋动射频

简介：355nm全固态紫外激光切割硅片的研究 张菲， 杨焕， 段军， 曾晓雁 （ 华中科技大学武汉光电国家实验室 ，湖北武汉 430074） 摘要 近年来，激光微加工硅和蓝宝石等半导体材料已经吸引越来越多的关注。高精度激光切割和钻孔加工已经成功用于半导体、光电子、光机电系统（ MEMS ）行业，包括晶圆切割、划线、直接成型通孔和三维微结构。利用自主研发的紫外激光微加工设备，系统研究了激光功率密度、重复频率、扫描次数、单脉冲能量等工艺参数对切割 0.18mm厚多晶硅片和 0.38mm厚单晶硅片的缝宽和效率的影响规律。结果表明，采用扫描振镜加远心扫描透镜系统，当需要得到最大的切割深度时，优化

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简介：实验一 加工方法及加工装备的归纳与调研一．车削加工1. 车削概述在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过程，称为车削加工。其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。车削适合加工回转零件， 其切削过程连续平稳， 可以加工各种内外回转体表面及端平面。所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。图 1.1 车削加工主要应用范围车削加工的尺寸精度较宽，一般可达 it12 ～ it7 ，精车时可达 it6 ～ it5 。表面粗糙度 ra数值的范围一般是 6.3 ～ 0.8

简介：本文由米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 整理推荐米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展摘要 集成电路芯片不断向高密度、 高性能和轻薄短小方向发展， 发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。 随着大直径硅片的应用， 硅片的厚度相应增大， 而先进的封装技术则要求更薄的芯片， 超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。 本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术， 论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、 工艺特点和关键技术， 介绍了硅片背面磨

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